一种通用功率MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体、器件主体底端的固定机构和器件主体一侧的连接机构，所述固定机构包括底座和外壳，所述器件主体的底端设置有底座，所述底座的顶端设置有外壳，所述底座的顶端表面设置有固定冒檐，所述固定冒檐的底端相对于底座的顶端设置有滑轨，所述外壳的底端相对于滑轨的位置处设置有滑柱，所述外壳的一侧设置有磁铁；固定冒檐和滑轨的设置简化了功率器件终端拆卸安装的步骤，在保证稳定性的同时使得功率器件终端更容易拆卸，不仅简化了安装拆卸步骤，同时节约了时间，降低了工作难度，增加了工作效率和经济效益，不仅减少了经济损失，节省了时间的同时，降低了工作难度。

A Universal Power MOSFET Device

The utility model discloses a universal power MOSFET device, which comprises a device main body, a fixing mechanism at the bottom of the device main body and a connecting mechanism at the side of the device main body. The fixing mechanism comprises a base and a shell. The bottom of the device main body is provided with a base, and the top of the base is provided with a shell. The top surface of the base is provided with a fixed eave, and the fixed eave is provided with a fixed eave. A sliding rail is arranged at the bottom end relative to the top of the base, a sliding column is arranged at the bottom end of the shell relative to the sliding rail, and a magnet is arranged at one side of the shell; the setting of fixed eaves and sliding rails simplifies the steps of disassembly and installation of power device terminals, and makes it easier to disassemble power device terminals while ensuring stability, not only simplifies the steps of installation and disassembly, but also simplifies the steps of disassembly. It not only reduces the economic loss, saves time, but also reduces the difficulty of work.

【技术实现步骤摘要】
一种通用功率MOSFET器件
本技术属于功率器件终端
，具体涉及一种通用功率MOSFET器件。
技术介绍
MOSFET采用新的耐压层结构，利用一系列的交替排列的P型和N型半导体薄层，在较低反向电压下将P型N型区耗尽，实现电荷相互补偿，从而使N型区在高掺杂浓度下实现高的击穿电压，从而同时获得低导通电阻和高击穿电压，打破传统功率MOSFET导通电阻的理论极限，且终端有很多类型，包括智能家居终端、行业通讯应用终端和蜂窝移动通信终端，因此广义上终端芯片也包含很多种，器件终端不仅要使用方便，同时要便于拆卸和维修，便于推广到市场。现有的功率器件终端在使用时存在着一定的问题，由于器件终端体积较小，所以维修打开过于复杂和麻烦，不仅难以拆卸，同时耗费了工作人员大量的时间，同时用到的工具过多，给工作人员增加了工作难度，不仅降低了工作效率，同时降低了经济效益的问题，为此我们提出一种通用功率MOSFET器件。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种通用功率MOSFET器件，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的功率器件终端在使用时存在着一定的问题，由于器件终端体积较小，所以维修打开过于复杂和麻烦，不仅难以拆卸，同时耗费了工作人员大量的时间，同时用到的工具过多，给工作人员增加了工作难度，不仅降低了工作效率，同时降低了经济效益等问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体、器件主体底端的固定机构和器件主体一侧的连接机构，所述固定机构包括底座和外壳，所述器件主体的底端设置有底座，所述底座的顶端设置有外壳，所述底座的顶端表面设置有固定冒檐，所述固定冒檐的底端相对于底座的顶端设置有滑轨，所述外壳的底端相对于滑轨的位置处设置有滑柱，所述外壳的一侧设置有磁铁，所述底座的一侧相对于磁铁的位置处设置有固定卡槽，所述底座的另一侧设置有连接柱，所述连接柱的两侧内部设置有固定弹簧，所述底座的两侧相对于固定弹簧的位置处设置有固定槽，所述固定槽的一侧设置有按压块。优选的，所述连接机构包括固定柱和固定管，所述器件主体的一侧设置有固定柱，所述固定柱的一侧设置有固定管，所述固定柱的一侧相对于按压块的内部设置有固定块，所述按压块的一侧内壁设置有内螺纹。优选的，所述外壳的一侧设置有固定孔，所述外壳的另一侧表面设置有连接孔，且连接孔贯穿外壳的一侧表面。优选的，所述外壳的两侧设置有限位孔，且限位孔贯穿外壳的整体。优选的，所述外壳的一侧设置有连接卡座，所述连接卡座的一侧设置有连接块。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构科学合理，使用安全方便，固定冒檐和滑轨的设置简化了功率器件终端拆卸安装的步骤，在保证稳定性的同时使得功率器件终端更容易拆卸，不仅简化了安装拆卸步骤，同时节约了时间，降低了工作难度，增加了工作效率和经济效益，固定管和固定块的设置使得功率器件终端在连接数据时更佳准确和稳定，不仅减少了数据断连丢失的状况，同时保证了连接线不会断裂，不仅减少了经济损失，同时保障了数据传送的稳定，节省了时间的同时，降低了工作难度。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为本技术的底座立体图；图3为本技术的外壳剖视图；图4为本技术的连接柱剖视图；图5为本技术的固定块放大图；图6为本技术的电路图；图中：1、外壳；2、固定孔；3、底座；4、限位孔；5、器件主体；6、固定柱；7、连接块；8、连接卡座；9、连接孔；10、固定冒檐；11、滑轨；12、滑柱；13、固定卡槽；14、磁铁；15、连接柱；16、固定管；17、按压块；18、固定槽；19、固定弹簧；20、固定块。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1请参阅图1-图6，本技术提供一种技术方案：一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体5、器件主体5底端的固定机构和器件主体5一侧的连接机构，固定机构包括底座3和外壳1，器件主体5的底端设置有底座3，底座3的顶端设置有外壳1，底座3的顶端表面设置有固定冒檐10，固定冒檐10的底端相对于底座3的顶端设置有滑轨11，外壳1的底端相对于滑轨11的位置处设置有滑柱12，外壳1的一侧通过卡合连接有磁铁14，底座3的一侧相对于磁铁14的位置处设置有固定卡槽13，底座3的另一侧通过卡合连接有连接柱15，连接柱15的两侧内部通过螺栓固定有固定弹簧19，底座3的两侧相对于固定弹簧19的位置处设置有固定槽18，固定槽18的一侧通过卡合连接有按压块17。为了增加连接时的稳定性，本实施例中，优选的，所述连接机构包括固定柱6和固定管16，所述器件主体5的一侧通过焊接固定有固定柱6，所述固定柱6的一侧通过螺栓连接有固定管16，所述固定柱6的一侧相对于按压块17的内部通过焊接固定有固定块20，所述按压块17的一侧内壁设置有内螺纹。为了使得器件主体5固定效果更佳，本实施例中，优选的，所述外壳1的一侧设置有固定孔2，所述外壳1的另一侧表面设置有连接孔9，且连接孔9贯穿外壳1的一侧表面。为了使得器件主体5限位效果更好，本实施例中，优选的，所述外壳1的两侧设置有限位孔4，且限位孔4贯穿外壳1的整体。为了使得器件主体5连接效果显著，本实施例中，优选的，所述外壳1的一侧通过焊接固定有连接卡座8，所述连接卡座8的一侧设置有连接块7。实施例2请参阅图1-图6，本技术提供一种技术方案：一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体5、器件主体5底端的固定机构和器件主体5一侧的连接机构，固定机构包括底座3和外壳1，器件主体5的底端设置有底座3，底座3的顶端设置有外壳1，底座3的顶端表面设置有固定冒檐10，固定冒檐10的底端相对于底座3的顶端设置有滑轨11，外壳1的底端相对于滑轨11的位置处设置有滑柱12，外壳1的一侧通过螺栓连接有磁铁14，底座3的一侧相对于磁铁14的位置处设置有固定卡槽13，底座3的另一侧通过螺栓连接有连接柱15，连接柱15的两侧内部通过卡合固定有固定弹簧19，底座3的两侧相对于固定弹簧19的位置处设置有固定槽18，固定槽18的一侧通过螺栓连接有按压块17。为了增加连接时的稳定性，本实施例中，优选的，所述连接机构包括固定柱6和固定管16，所述器件主体5的一侧通过法兰固定有固定柱6，所述固定柱6的一侧通过卡合连接有固定管16，所述固定柱6的一侧相对于按压块17的内部通过焊接固定有固定块20，所述按压块17的一侧内壁设置有内螺纹。为了使得器件主体5固定效果更佳，本实施例中，优选的，所述外壳1的一侧设置有固定孔2，所述外壳1的另一侧表面设置有连接孔9，且连接孔9贯穿外壳1的一侧表面。为了使得器件主体5限位效果更好，本实施例中，优选的，所述外壳1的两侧设置有限位孔4，且限位孔4贯穿外壳1的整体。为了使得器件主体5连接效果显著，本实施例中，优选的，所述外壳1的一侧通过法兰固定有连接卡座8，所述连接卡座8的一侧设置有连接块7。本技术的工作原理及使用流程：在使用本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体(5)、器件主体(5)底端的固定机构和器件主体(5)一侧的连接机构，其特征在于：所述固定机构包括底座(3)和外壳(1)，所述器件主体(5)的底端设置有底座(3)，所述底座(3)的顶端设置有外壳(1)，所述底座(3)的顶端表面设置有固定冒檐(10)，所述固定冒檐(10)的底端相对于底座(3)的顶端设置有滑轨(11)，所述外壳(1)的底端相对于滑轨(11)的位置处设置有滑柱(12)，所述外壳(1)的一侧设置有磁铁(14)，所述底座(3)的一侧相对于磁铁(14)的位置处设置有固定卡槽(13)，所述底座(3)的另一侧设置有连接柱(15)，所述连接柱(15)的两侧内部设置有固定弹簧(19)，所述底座(3)的两侧相对于固定弹簧(19)的位置处设置有固定槽(18)，所述固定槽(18)的一侧设置有按压块(17)。

【技术特征摘要】
1.一种通用功率MOSFET器件，包括器件主体(5)、器件主体(5)底端的固定机构和器件主体(5)一侧的连接机构，其特征在于：所述固定机构包括底座(3)和外壳(1)，所述器件主体(5)的底端设置有底座(3)，所述底座(3)的顶端设置有外壳(1)，所述底座(3)的顶端表面设置有固定冒檐(10)，所述固定冒檐(10)的底端相对于底座(3)的顶端设置有滑轨(11)，所述外壳(1)的底端相对于滑轨(11)的位置处设置有滑柱(12)，所述外壳(1)的一侧设置有磁铁(14)，所述底座(3)的一侧相对于磁铁(14)的位置处设置有固定卡槽(13)，所述底座(3)的另一侧设置有连接柱(15)，所述连接柱(15)的两侧内部设置有固定弹簧(19)，所述底座(3)的两侧相对于固定弹簧(19)的位置处设置有固定槽(18)，所述固定槽(18)的一侧设置有按压块(17)。2.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，陈译，陈剑，姜帆，张军亮，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35