一种IGBT模块结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种IGBT模块结构，包括绝缘底板，所述绝缘底板的顶部固定连接有绝缘基质罩，所述绝缘基质罩的一侧且位于绝缘底板的正上方开设有固定凹槽，所述固定凹槽共设有四个，四个所述固定凹槽分别于绝缘基质罩的四角处开设，四个所述固定凹槽的底部均开设有固定螺钉孔，绝缘基质罩的顶部固定连接有树脂外盖，树脂外盖共设有三个，三个树脂外盖的顶部均固定连接有主端子，绝缘基质罩的右侧滑动连接有树脂外壳，树脂外壳共设有两个，本实用新型专利技术涉及电子元件技术领域。该IGBT模块结构，解决了在将其它电路连通到IGBT终端时，使用的连接方式不方便，拆卸时浪费时间，导线易扯断，使得装置更容易将树脂外壳拆卸下来。

An IGBT Module Structure

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT模块结构
本技术涉及电子元件
，具体为一种IGBT模块结构。
技术介绍
在IGBT得到大力发展之前，功率场效应管MOSFET被用于需要快速开关的中低压场合，晶闸管、GTO被用于中高压领域。MOSFET虽然有开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、驱动电路简单的优点；但是，在200V或更高电压的场合，MOSFET的导通电阻随着击穿电压的增加会迅速增加，使得其功耗大幅增加，存在着不能得到高耐压、大容量元件等缺陷。双极晶体管具有优异的低正向导通压降特性，虽然可以得到高耐压、大容量的元件，但是它要求的驱动电流大，控制电路非常复杂，而且交换速度不够快。IGBT正是作为顺应这种要求而开发的，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十KHz频率范围内。基于这些优异的特性，IGBT一直广泛使用在超过300V电压的应用中，模块化的IGBT可以满足更高的电流传导要求，其应用领域不断提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT模块结构，包括绝缘底板(1)，其特征在于：所述绝缘底板(1)的顶部固定连接有绝缘基质罩(2)，所述绝缘基质罩(2)的一侧且位于绝缘底板(1)的正上方开设有固定凹槽(3)，所述固定凹槽(3)共设有四个，四个所述固定凹槽(3)分别于绝缘基质罩(2)的四角处开设，四个所述固定凹槽(3)的底部均开设有固定螺钉孔(4)，所述绝缘基质罩(2)的顶部固定连接有树脂外盖(5)，所述树脂外盖(5)共设有三个，三个所述树脂外盖(5)的顶部均固定连接有主端子(6)，所述绝缘基质罩(2)的右侧滑动连接有树脂外壳(7)，所述树脂外壳(7)共设有两个，两个所述树脂外壳(7)的顶部均固定连接有辅助端子(8)...

【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块结构，包括绝缘底板(1)，其特征在于：所述绝缘底板(1)的顶部固定连接有绝缘基质罩(2)，所述绝缘基质罩(2)的一侧且位于绝缘底板(1)的正上方开设有固定凹槽(3)，所述固定凹槽(3)共设有四个，四个所述固定凹槽(3)分别于绝缘基质罩(2)的四角处开设，四个所述固定凹槽(3)的底部均开设有固定螺钉孔(4)，所述绝缘基质罩(2)的顶部固定连接有树脂外盖(5)，所述树脂外盖(5)共设有三个，三个所述树脂外盖(5)的顶部均固定连接有主端子(6)，所述绝缘基质罩(2)的右侧滑动连接有树脂外壳(7)，所述树脂外壳(7)共设有两个，两个所述树脂外壳(7)的顶部均固定连接有辅助端子(8)，两个所述树脂外壳(7)的底部均固定连接有滑块(9)，所述绝缘基质罩(2)的右侧开设有与滑块(9)相配合的滑槽(10)。2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块结构，其特征在于：两个所述树脂外壳(7)的右侧均滑动连接有推杆(11)，所述推杆(11)位于树脂外壳(7)内部的一端固定连接有齿杆(12)。3.根据权利要求2所述的一种I...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，陈译，陈剑，姜帆，张军亮，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35