一种改善EAS特性的功率MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，包括主体，还包括固定装置和弹出装置，所述主体包括保护壳，所述固定装置包括四个底座，四个所述底座均位于保护壳的顶面，四个所述底座的内侧设置有两个弹簧，两个所述弹簧的内侧设置有凸起，两个所述弹簧的一侧均设置有凸板，四个所述底座的顶部均固定连接有夹紧座，所述夹紧座的内侧连接有两个卡槽，所述夹紧座的底部四周设置有限位板；通过设计安装了夹紧座，在夹紧导线时能便捷的将导线与装置固定，解决了现有的MOSFET器件，由于没有设置夹紧座等装置，在将导线和装置固定连接时，需要将导线围绕螺栓，并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动，导致在固定导线的过程较为费时费力的问题。

A Power MOSFET Device for Improving EAS Characteristics

The utility model discloses a power MOSFET device for improving EAS characteristics, which includes a main body, a fixing device and a pop-up device. The main body includes a protective shell. The fixing device comprises four bases, four bases are located on the top of the protective shell, four bases are provided with two springs inside, two springs are provided with protrusions inside, and two said springs are provided with protrusions inside. A convex plate is arranged on one side of the spring, and a clamping seat is fixed at the top of the four bases. The inner side of the clamping seat is connected with two chucks, and a finite position plate is arranged around the bottom of the clamping seat. By designing and installing the clamping seat, the conductor and the device can be fixed conveniently when clamping the conductor, thus resolving the existing MOSFET devices, because there is no clamping seat, etc. When fixing the wire and the device, the wire should be surrounded by the bolt, and the wire should not be moved in the process of tightening the bolt, which leads to the problem of time-consuming and labor-consuming in the process of fixing the wire.

【技术实现步骤摘要】
一种改善EAS特性的功率MOSFET器件
本技术属于MOSFET器件
，具体涉及一种改善EAS特性的功率MOSFET器件。
技术介绍
MOSFET器件：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型。现有的MOSFET器件，由于没有设置夹紧座等装置，在将导线和装置固定连接时，需要将导线围绕螺栓，并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动，在夹紧导线时不能便捷的将导线与装置固定，导致在固定导线的过程较为费时费力的问题，为此我们提出一种改善EAS特性的功率MOSFET器件。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，以解决上述
技术介绍
中提出现有的MOSFET器件，由于没有设置夹紧座等装置，在将导线和装置固定连接时，需要将导线围绕螺栓，并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动，在夹紧导线时不能便捷的将导线与装置固定，导致在固定导线的过程较为费时费力的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，包括主体，还包括固定装置和弹出装置，所述主体包括保护壳，所述固定装置包括四个底座，四个所述底座均位于保护壳的顶面，四个所述底座的内侧设置有两个弹簧，两个所述弹簧的内侧设置有凸起，两个所述弹簧的一侧均设置有凸板，四个所述底座的顶部均固定连接有夹紧座，所述夹紧座的内侧连接有两个卡槽，所述夹紧座的底部四周设置有限位板。优选的，所述弹出装置包括两个卡扣，两个所述卡扣均为位于保护壳的顶部，两个所述卡扣的顶部均连接有把手，两个所述卡扣的底部均固定连接有挡板，两个所述卡扣的两侧均卡合连接有扭簧，所述扭簧的一侧固定连接有固定板。优选的，所述主体还包括插槽，所述保护壳的表面设置有插槽，且所述保护壳与插槽相互紧密连接。优选的，所述弹簧通过和凸起卡合与底座固定连接，且所述卡槽与凸板相互卡合对应。优选的，所述把手的表面设置有防滑纹，且把手与卡扣与挡板均为一体式结构。与现有技术相比，本技术的有益效果是：(1)通过设计安装了位于保护壳顶部的夹紧座，在夹紧导线时能便捷的将导线与装置固定，解决了现有的MOSFET器件，由于没有设置夹紧座等装置，在将导线和装置固定连接时，需要将导线围绕螺栓，并且需要保证在旋紧螺栓的过程中导线不得移动，导致在固定导线的过程较为费时费力的问题。(2)通过设计安装了位于插槽两侧的卡扣，便于省力的将与插槽连接的插头取下，解决了现有的MOSFET器件，由于没有设置卡扣类装置，插头与插槽卡合连接后，再将插头取下，只能在打开插头上的卡扣的同时将插头向外侧拔出，导致取下插头的过程较为不便的问题。附图说明图1为本技术MOSFET器件的结构示意图；图2为本技术底座的竖截面剖视图；图3为本技术底座的俯视图；图4为本技术保护壳的竖截面剖视图；图5为本技术卡扣的结构示意图；图6为本技术MOSFET器件的电路图；图中：1、保护壳；2、夹紧座；3、插槽；4、把手；5、底座；6、限位板；7、卡槽；8、凸板；9、弹簧；10、凸起；11、扭簧；12、挡板；13、固定板；14、卡扣。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1请参阅图1-图6，本技术提供一种技术方案：一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，包括主体，还包括固定装置和弹出装置，主体包括保护壳1，固定装置包括四个底座5，四个底座5均位于保护壳1的顶面，四个底座5的内侧设置有两个弹簧9，两个弹簧9的内侧设置有凸起10，两个弹簧9的一侧均设置有凸板8，四个底座5的顶部均固定连接有夹紧座2，夹紧座2的内侧连接有两个卡槽7，夹紧座2的底部四周设置有限位板6。为了便于保证弹出装置的正常使用，本实施例中，优选的，弹出装置包括两个卡扣14，两个卡扣14均为位于保护壳1的顶部，两个卡扣14的顶部均连接有把手4，两个卡扣14的底部均固定连接有挡板12，两个卡扣14的两侧均卡合连接有扭簧11，扭簧11的一侧固定连接有固定板13。为了便于保证插槽3的正常使用，本实施例中，优选的，主体还包括插槽3，保护壳1的表面设置有插槽3，且保护壳1与插槽3相互紧密连接。为了便于更好的使用弹簧9，本实施例中，优选的，弹簧9通过和凸起10卡合与底座5固定连接，且卡槽7与凸板8相互卡合对应。为了便于增加卡扣14的一体性，本实施例中，优选的，把手4的表面设置有防滑纹，且把手4与卡扣14与挡板12均为一体式结构。实施例2请参阅图1-图6，本技术提供一种技术方案：一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，包括主体，还包括固定装置和弹出装置，主体包括保护壳1，固定装置包括四个底座5，四个底座5均位于保护壳1的顶面，四个底座5的内侧设置有两个弹簧9，两个弹簧9的内侧设置有凸起10，两个弹簧9的一侧均焊接有凸板8，四个底座5的顶部均固定连接有夹紧座2，夹紧座2的内侧连接有两个卡槽7，夹紧座2的底部四周一体式连接有限位板6。为了便于保证弹出装置的正常使用，本实施例中，优选的，弹出装置包括两个卡扣14，两个卡扣14均为位于保护壳1的顶部，两个卡扣14的顶部均连接有把手4，两个卡扣14的底部均固定连接有挡板12，两个卡扣14的两侧均卡合连接有扭簧11，扭簧11的一侧固定连接有固定板13。为了便于保证插槽3的正常使用，本实施例中，优选的，主体还包括插槽3，保护壳1的表面设置有插槽3，且保护壳1与插槽3相互紧密连接。为了便于更好的使用弹簧9，本实施例中，优选的，弹簧9通过和凸起10卡合与底座5固定连接，且卡槽7与凸板8相互卡合对应。为了便于增加卡扣14的一体性，本实施例中，优选的，把手4的表面设置有防滑纹，且把手4与卡扣14与挡板12均为一体式结构。本技术的工作原理及使用流程：安装时，将导线对准底座5并插入，直至导线顺着底座5从另一端开口露出，然后旋紧螺栓，螺栓表面的螺纹与底座5表面螺纹孔内壁的螺纹相互作用，螺栓即可向下旋送，直至螺栓接触夹紧座2时，继续旋紧螺栓，螺栓向下挤压夹紧座2，弹簧9开始形变收缩，直至夹紧座2完全将导线固定，在夹紧导线时能便捷的将导线与装置固定，需要取出插头时，通过把手4将两侧的卡扣14向两侧按压，在卡扣14向外侧翻转的过程中，与把手4为一体的挡板12开始对插头的地推向上推动，当把手4向两侧翻转至一定角度时，挡板12即可将插头推出，便于省力的将与插槽3连接的插头取下。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，包括主体，其特征在于：还包括固定装置和弹出装置，所述主体包括保护壳(1)，所述固定装置包括四个底座(5)，四个所述底座(5)均位于保护壳(1)的顶面，四个所述底座(5)的内侧设置有两个弹簧(9)，两个所述弹簧(9)的内侧设置有凸起(10)，两个所述弹簧(9)的一侧均设置有凸板(8)，四个所述底座(5)的顶部均固定连接有夹紧座(2)，所述夹紧座(2)的内侧连接有两个卡槽(7)，所述夹紧座(2)的底部四周设置有限位板(6)。

【技术特征摘要】
1.一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，包括主体，其特征在于：还包括固定装置和弹出装置，所述主体包括保护壳(1)，所述固定装置包括四个底座(5)，四个所述底座(5)均位于保护壳(1)的顶面，四个所述底座(5)的内侧设置有两个弹簧(9)，两个所述弹簧(9)的内侧设置有凸起(10)，两个所述弹簧(9)的一侧均设置有凸板(8)，四个所述底座(5)的顶部均固定连接有夹紧座(2)，所述夹紧座(2)的内侧连接有两个卡槽(7)，所述夹紧座(2)的底部四周设置有限位板(6)。2.根据权利要求1所述的一种改善EAS特性的功率MOSFET器件，其特征在于：所述弹出装置包括两个卡扣(14)，两个所述卡扣(14)均为位于保护壳(1)的顶部，两个所述卡扣(14)的顶部均连接有把手(4)，两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈利，陈译，陈剑，姜帆，张军亮，
申请(专利权)人：厦门芯一代集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35