【技术实现步骤摘要】
薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线及制造方法
本专利技术涉及一种薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线及制造方法,属于电子
技术介绍
薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator,FBAR)是一种新型声波谐振器件,核心结构为上下两层金属和压电薄膜的三明治结构,其原理是利用压电体的电能与机械能转换,由交变场激励起声波谐振,具有体积小、工作频率高、功耗低、插入损耗小等声学天线中的却少之又少。磁性/压电异质结构中的不同介质间的强的磁电耦合最近已经得到了证实,也就是说能够实现磁和电之间有效的能量转换。在不同的介质之间实现强的磁电耦合,便可以实现电磁感应射频电磁波发射电磁波的功能。现有的微型天线是依靠电磁波的共振来工作的,这就要使得天线的尺寸和电磁波的尺寸相当,因此天线的长度一般要大于载波波长的十分之一。目前最大的挑战就是天线尺寸的小型化,由于尺寸的限制,使得小型天线和天线阵列在实现微型化,特别是在具有大的波长的甚高频(30-300MHz)和超高频(0.3-3GHz)的情况下的时候,造成了很大的限制。
技术实现思路
为了克服现有技术的上述缺 ...
【技术保护点】
1.一种薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线,其特征在于:所述天线包括衬底、磁致伸缩层和压电堆;所述压电堆包括压电薄膜、下电极和上电极;所述下电极位于压电薄膜与衬底之间,所述磁致伸缩层和上电极位于压电薄膜上方,在下电极的位置处,衬底内设置通孔用于下电极的电气连接。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线,其特征在于:所述天线包括衬底、磁致伸缩层和压电堆;所述压电堆包括压电薄膜、下电极和上电极;所述下电极位于压电薄膜与衬底之间,所述磁致伸缩层和上电极位于压电薄膜上方,在下电极的位置处,衬底内设置通孔用于下电极的电气连接。2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线,其特征在于:所述通孔位于下电极两侧,形成两个连接的碗状结构。3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线,其特征在于:所述磁致伸缩层呈圆柱状,与下电极呈同轴。4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线,其特征在于:所述上电极呈片状,使压电薄膜的一侧呈现两个连接的矩形面,另一侧呈现与其轴对称的图形。5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器结构的纳米机械声学天线,其特征在于:所述下电极材料为金属Pt,厚度为50nm,上电极的材料为金属Au,厚度为100nm,压电薄膜的材料是AlN,厚度为500n...
【专利技术属性】
技术研发人员:苗红霞,齐本胜,王志超,孙彬彬,
申请(专利权)人:河海大学常州校区,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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