曝光聚焦补偿设备制造技术

本实用新型专利技术属于半导体集成电路制造技术领域，涉及一种曝光聚焦补偿设备，包括表面地形测量装置、聚焦测量装置与曝光机；曝光机包括曝光机座，以及与曝光机座上下对应设置的曝光单元；表面地形测量装置和聚焦测量装置均内置于所述曝光机中；表面地形测量装置用于测量得到晶圆表面地形图；聚焦测量装置用于测量得到晶圆表面各聚焦测量点的聚焦值及坐标；曝光机依据所述表面地形图对晶圆表面进行区域划分并根据各个区域聚焦测量点的聚焦值及坐标建立各个区域的曝光补偿模型，曝光单元根据各个区域的曝光补偿模型对晶圆表面的各个区域分别进行曝光处理。本实用新型专利技术提供的设备能提高曝光机进行光刻工艺时的聚焦准确性。

【技术实现步骤摘要】
曝光聚焦补偿设备
本技术属于半导体集成电路制造
，涉及一种曝光聚焦补偿设备。
技术介绍
集成电路是通过在硅片表面几微米的范围内形成半导体器件，再通过金属互连线把这些器件连接形成电路。在半导体工艺中，光刻、曝光工艺占有举足轻重的地位。但在光刻、曝光中晶圆的转动、晶圆自身的温度、光刻胶释放的气体、基板表面平整度等因素使得曝光过程中的曝光聚焦测量点位于不同平面，晶圆表面部分区域曝光聚焦不准确，进而使得晶圆表面会部分曝光不足、部分曝光过度，导致曝光显影后晶圆上图案的特征尺寸的均一性存在问题。随着半导体技术的发展，为了提高产品性能，节省成本，集成电路的密度越来越大，特征尺寸越来越小，光刻、曝光工艺中聚焦曝光中存在的问题会影响集成电路的整体的性能。
技术实现思路
本技术提供一种曝光聚焦补偿设备，其能提高曝光机进行光刻工艺时的聚焦准确性。为实现上述技术目的，本技术采取的技术方案为，一种曝光聚焦补偿设备，包括表面地形测量装置、聚焦测量装置与曝光机；所述曝光机包括曝光机座，以及与曝光机座上下对应设置的曝光单元；所述曝光机座用于承载晶圆；所述表面地形测量装置和所述聚焦测量装置均内置于所述曝光机中，且所述表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光聚焦补偿设备，其特征在于，包括表面地形测量装置、聚焦测量装置与曝光机；所述曝光机包括曝光机座，以及与曝光机座上下对应设置的曝光单元；所述曝光机座用于承载晶圆；所述表面地形测量装置和所述聚焦测量装置均内置于所述曝光机中，且所述表面地形测量装置和所述聚焦测量装置均与所述曝光机相连；所述表面地形测量装置用于测量得到所述晶圆的表面地形图；所述聚焦测量装置用于测量得到所述晶圆表面各聚焦测量点的聚焦值及坐标；所述曝光机依据所述表面地形图对所述晶圆表面进行区域划分并根据各个区域聚焦测量点的聚焦值及坐标建立各个区域的曝光补偿模型，曝光单元根据各个区域的所述曝光补偿模型对所述晶圆表面的各个区域分别进...

【技术特征摘要】
1.一种曝光聚焦补偿设备，其特征在于，包括表面地形测量装置、聚焦测量装置与曝光机；所述曝光机包括曝光机座，以及与曝光机座上下对应设置的曝光单元；所述曝光机座用于承载晶圆；所述表面地形测量装置和所述聚焦测量装置均内置于所述曝光机中，且所述表面地形测量装置和所述聚焦测量装置均与所述曝光机相连；所述表面地形测量装置用于测量得到所述晶圆的表面地形图；所述聚焦测量装置用于测量得到所述晶圆表面各聚焦测量点的聚焦值及坐标；所述曝光机依据所述表面地形图对所述晶圆表面进行区域划分并根据各个区域聚焦测量点的聚焦值及坐标建立各个区域的曝光补偿模型，曝光单元根据各个区域的所述曝光补偿模型对所述晶圆表面的各个区域分别进行曝光处理。2.根据权利要求1所述的曝光聚焦补偿设备，其特征在于，所述曝光机包括步进式光刻机。3.根据权利要求1所述的曝光聚焦补偿设备，其特征在于，所述曝光机包...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34