图像传感器、电子装置及其制造方法制造方法及图纸

本公开涉及图像传感器、电子装置及其制造方法。在一个实施例中，本公开涉及一种图像传感器的衬底，所述衬底包括第一衬底；以及第二衬底；其中所述第一衬底具有凹槽，所述第二衬底形成在所述第一衬底的所述凹槽中，所述第二衬底的带隙较所述第一衬底更宽。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器、电子装置及其制造方法
本公开一般涉及半导体
，更具体地，涉及图像传感器、电子装置及其制造方法。
技术介绍
近年来，诸如视频相机或数字静态相机的固态图像传感器通常使用CCD图像传感器或CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器，其不仅用于消费电子领域，例如微型数码相机、手机摄像头、摄像机和数码单反中，而且在汽车电子、监控、生物技术和医学等领域也得到了广泛的应用。随着对像素大小的要求与日俱增，图像传感器中像素的数目正迅速增加，或者图像传感器的大小正迅速缩减。然而，随着像素数目的增加或大小的缩减，图像传感器中的相邻像素之间的间隔变小，从而产生了一个被称为高光溢出的新问题，即像素饱和之后电荷泄漏到相邻像素。溢出到相邻像素中的电荷会使得相邻像素输出不能体现其真实入射光量的电信号。此外，为了在黑暗的地方获得更明亮的拍摄图像，除了红色(R)像素、绿色(G)像素和蓝色(B)像素之外，还设计了包括白色(W)像素的图像传感器装置。由于白光是由不同颜色(即，不同频率)的光混合而成，因此白光的光谱自然要比彩色光的光谱宽。在相同光照条件下，白色像素由于会接受到更多数量的光子，会比其他彩色像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的衬底，其特征在于所述衬底包括：第一衬底；以及第二衬底；其中所述第一衬底具有凹槽，所述第二衬底形成在所述第一衬底的所述凹槽中，所述第二衬底的带隙较所述第一衬底更宽。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的衬底，其特征在于所述衬底包括：第一衬底；以及第二衬底；其中所述第一衬底具有凹槽，所述第二衬底形成在所述第一衬底的所述凹槽中，所述第二衬底的带隙较所述第一衬底更宽。2.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第二衬底的材料从由以下材料组成的组中选择：GaN、GaAs、α-Si、Si-C、InN、Inx-Ga1-xN。3.一种图像传感器，其特征在于所述图像传感器包括：像素传感器阵列，所述像素传感器阵列包括多个第一像素传感器以及多个第二像素传感器；第一衬底，所述第一像素传感器布置在所述第一衬底中；第二衬底，所述第二像素传感器布置在所述第二衬底中；其中所述第一衬底具有凹槽，所述第二衬底形成在所述第一衬底的所述凹槽中，所述第二衬底的带隙较所述第一衬底更宽。4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中所述第二衬底的材料从由以下材料组成的组中选择：GaN、GaAs、α-Si、Si...

【专利技术属性】
技术研发人员：武海亮，陈世杰，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32