摄像装置制造方法及图纸

本公开的摄像装置具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元。光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在第1电极及第2电极之间，包含对于与第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料。第1材料的离子势的绝对值比第2材料的离子势的绝对值大0.2eV以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置
本公开涉及摄像装置。
技术介绍
安全照相机为了安全驾驶支持的车载照相机等的用途，要求除了可视域以外，能够实现对于波长比其长的近红外或红外域的光的高灵敏度化的摄像装置。以往被广泛使用的MOS(Metal－oxide－semiconductor)型的摄像装置将存储在构成各像素的PN光敏二极管中的信号通过包括MOS电场效应晶体管(MOSFET)的放大电路读出。作为MOS型的摄像装置的半导体材料被广泛使用的硅因为物性的极限，不怎么能够吸收约1100nm以上的波长的光。因此，使使用硅基板的图像传感器具有对于这样的长波长的光的灵敏度是困难的。此外，在使用硅基板的图像传感器中，因为光的吸收系数的波长依存性，已知对于波长为800nm以上的近红外域的光的灵敏度也比对于可视域的光的灵敏度低。所以，例如在专利文献1及专利文献2中，提出了作为光电变换材料而使用有机物，将检测红外光的光电变换部和检测可视光的光电变换部在纵向上层叠的技术。但是，使用有机物的摄像装置通常具有来源于构成作为光电变换材料的有机物的骨架的特有的吸收波谱，所以如硅那样遍及较宽的波长域具有宽广的分光灵敏度并不简单。因此，在专利文献本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，其特征在于，具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元；上述光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在上述第1电极及上述第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在上述第1光电变换层及上述第2电极之间，包含对于与上述第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料；上述第1材料的离子势的绝对值比上述第2材料的离子势的绝对值大0.2eV以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.05 JP 2016-1545071.一种摄像装置，其特征在于，具备包括将入射的光变换为电荷的光电变换部的至少1个单位像素单元；上述光电变换部包括：第1电极；透光性的第2电极；第1光电变换层，配置在上述第1电极及上述第2电极之间，包含对于第1波长具有吸收峰值的第1材料；以及第2光电变换层，配置在上述第1光电变换层及上述第2电极之间，包含对于与上述第1波长不同的第2波长具有吸收峰值的第2材料；上述第1材料的离子势的绝对值比上述第2材料的离子势的绝对值大0.2eV以上。2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第1波长及上述第2波长的一方包含在可视波长域中；上述第1波长及上述第2波长的另一方包含在红外波长域中。3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第1波长包含在可视波长域中；上述第2波长包含在红外波长域中。4.如权利要求1～3中任一项所述的摄像装置，其特征在于，上述第1材料及上述第2材料是电子施与性的分子。5.如权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其特征在于，上述第1光电变换层及上述第2光电变换层都还包含电子受容性的分子。6.如权利要求1～5中任一项所述的摄像装置，其特征在于，还具备与上述第2电极电连接的电压施加电路；上述电压施加电路有选择地将第1电压及与上述第1电压不同的第2电压的某个向上述第1电极与上述第2电极之间施加。7.如权利要求6所述的摄像装置，其特征在于，上述第2电压的绝对值比上述第1电压的绝对值大；在与上述第2材料的吸收峰值对应的第2波长中，在上述第1电极与上述第2电极之间施加上述第2电压时的上述光电变换部的外部量子效率，比在上述第1电极与上述第2电极之间施加上述第1电压时的上述光电变换部的外部量子效率大；上述第2波...

【专利技术属性】
技术研发人员：中田学，井土真澄，町田真一，井上恭典，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP