图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一面、以及与第一面相对的第二面；对基底第一面进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层，所述第一离子层包括第三面、以及与第三面相对的第四面，所述第三面到基底第一面的距离小于第四面到基底第一面的距离；对所述基底第二面进行减薄，直至暴露出所述第一离子层的第四面表面；湿法刻蚀工艺去除所述第一离子层，在所述基底内形成背面深沟槽。所述方法形成的图像传感器性能较好。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器是一种快速发展的固态图像传感器，由于CMOS图像传感器中的图像传感器部分和控制电路部分集成于同一芯片中，因此CMOS图像传感器的体积小、功耗低、价格低廉，相较于传统的CCD(电荷耦合)图像传感器更具优势，也更易普及。现有的CMOS图像传感器中包括用于将光信号转换为电信号的光电传感器，所述光电传感器为形成于硅衬底中的光电二极管。此外，在形成有光电二极管的硅衬底表面还形成有介质层，所述介质层内形成有金属互联层，所述金属互联层用于使光电二极管与外围电路电连接。对于上述CMOS图像传感器来说，所述硅衬底具有介质层和金属互联层的一面为CMOS图像传感器的正面，与正面相对的一面为CMOS图像传感器的背面，根据光线照射方向的差异，所述CMOS图像传感器能够分为前照式(Front-sideIllumination，FSI)CMOS图像传感器和背照式(Back-sideIllumination)CMOS图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一面、以及与第一面相对的第二面；对基底第一面进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层，所述第一离子层包括第三面、以及与第三面相对的第四面，所述第三面到基底第一面的距离小于第四面到基底第一面的距离；对所述基底第二面进行减薄，直至暴露出所述第一离子层的第四面表面；湿法刻蚀工艺去除所述第一离子层，在所述基底内形成背面深沟槽。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一面、以及与第一面相对的第二面；对基底第一面进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层，所述第一离子层包括第三面、以及与第三面相对的第四面，所述第三面到基底第一面的距离小于第四面到基底第一面的距离；对所述基底第二面进行减薄，直至暴露出所述第一离子层的第四面表面；湿法刻蚀工艺去除所述第一离子层，在所述基底内形成背面深沟槽。2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺对所述第一离子层和基底具有不同的刻蚀速率。3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一离子注入的参数包括：离子注入能量为500Kev～3000Kev，离子注入剂量为1E13～1E15；各次第一离子注入的离子注入能量不同。4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一离子层的形成方法包括：在所述基底表面形成图形化的光胶层，所述图形化的光胶层内具有若干开口；以所述图形化的光胶层为掩膜，进行多次第一离子注入，在所述基底内形成若干分立的第一离子层。5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述第一离子层前，还包括：对所述基底第一面进行第二离子注入，在所述基底内形成第二离子层，所述第二离子层包括第五面，所述第二离子层的第五面与第一离子层的第四面相接触；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓明，林宗德，何延强，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32