一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法技术

本发明专利技术提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，包括下列步骤：进行N/P型源漏极离子注入处理；进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；进行后续接触孔制程。本发明专利技术可以通过薄膜沉积及退火工艺简单有效的改善金属污染，不涉及其它影响，本发明专利技术降低CIS器件的白色像素，减少CIS器件的暗电流，且不影响其它参数。

【技术实现步骤摘要】
一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法。
技术介绍
自上世纪60年代末期美国贝尔实验室提出固态成像器件概念后,固体图像传感器便得到了迅速发展,成为传感技术中的一个重要分支。它是个人计算机多媒体不可缺少的外设,也是监控设备中的核心器件。近年来,由于集成电路设计技术和工艺水平的提高,CIS(CMOSIMAGESENSOR，互补金属氧化物半导体图像传感器)，即CMOS图像传感器因其固有的诸如像元内放大、列并行结构,集成度高、采用单电源和低电压供电、成本低和技术门槛低等特点得到更广泛地应用。并且，低成本、单芯片、功耗低和设计简单等优点使CIS在保安监视系统、可视电话、可拍照手机、玩具、汽车和医疗电子等低端像素产品领域中大出风头。WP(WhitePixel，白色像素)是指在无光照条件下CIS器件输出的DN值>64的像素数量，它是评估CIS器件性能的一个重要指标，直接反应器件成像质量。因此，提高CIS器件WP性能，即降低WPCount(白色像素点)是CIS器件制造工艺的一个长期目标。现有工艺采用的TEOS和的SRO(SiliconRichOxide,富硅氧化物)作为SAB(SalicideBlock，自对准硅化物区域阻挡层)阻挡层，并且在SAB薄膜沉积后无退火处理，在原有制程中WPCount中值在370DPPM左右,WPWaferEdge(晶元边缘)高值易造成良率失效。
技术实现思路
本专利技术提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，改善金属污染问题，从而提高CIS器件稳定性，降低白色像素。为了达到上述目的，本专利技术提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，包括下列步骤：进行N/P型源漏极离子注入处理；进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；进行后续接触孔制程。进一步的，所述氧化物层为TEOS氧化物层。进一步的，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积。进一步的，所述氧化物层的厚度为130埃。进一步的，所述源漏极热处理采用快速加热退火处理。进一步的，所述源漏极热处理的温度为1050℃。进一步的，所述氮化物层采用空阴极高密度等离子体制备。进一步的，所述氮化物层的厚度为270埃。进一步的，所述自对准硅化物区域阻挡层退火处理的温度为650℃。进一步的，所述自对准硅化物区域阻挡层退火处理的时间为60分钟。本专利技术提出的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，使用的TEOS和的HCDNitride(HollowcathodehighdensityplasmaNitride，空阴极高密度等离子体制备氮化物)作为SAB阻挡层，并增加650℃的退火处理60min，其它工艺不变，以达到降低白色像素WPCount的目的。本专利技术可以通过薄膜沉积及退火工艺简单有效的改善金属污染，不涉及其它影响，本专利技术降低CIS器件的白色像素，减少CIS器件的暗电流(DarkCurrent,DC)，且不影响其它参数。附图说明图1所示为本专利技术较佳实施例的改善CIS白色像素的方法流程图。具体实施方式以下结合附图给出本专利技术的具体实施方式，但本专利技术不限于以下的实施方式。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用于方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图1，图1所示为本专利技术较佳实施例的改善CIS白色像素的方法流程图。本专利技术提出一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，包括下列步骤：步骤S100：进行N/P型源漏极离子注入处理；步骤S200：进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；步骤S300：进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；步骤S400：进行后续接触孔制程。根据本专利技术较佳实施例，本专利技术首先进行NP/PP制程，NP/PP制程是定义N/P型源漏极的重要步骤，主要由光刻、离子注入、去除光刻胶等步骤完成。接着进行SAB制程，首先沉积氧化物层，所述氧化物层为TEOS氧化物层，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积，所述氧化物层的厚度为130埃。接着进行源漏极SD热处理，所述源漏极热处理采用快速加热退火(RapidThermalAnneal,RTA)处理。所述源漏极热处理SDRTA的温度为1050℃，以推进NP/PPSD的离子注入，稳定器件源漏极的离子浓度。然后进行氮化物层沉积，所述氮化物层采用空阴极高密度等离子体制备HCDNitride(HollowcathodehighdensityplasmaNitride)，进一步的，所述氮化物层的厚度为270埃。随后进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理SABANN，所述退火处理的温度为650℃，进一步的，所述退火处理的时间为60分钟。接下来进行接触孔CT制程，之后的工艺与原始制程一致。根据实验测试结果，新制程下产品良率测试的原始数据反应出白色像素WPCount中值由371DPPM降至254DPPM，提高约31％，P97值由471降至289，均匀性提高约90％。于此同时，暗电流DC中值由0.32降至0.27，减少约16％。综上所述，本专利技术提出的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，使用的TEOS和的HCDNitride(HollowcathodehighdensityplasmaNitride，空阴极高密度等离子体制备氮化物)作为SAB阻挡层，并增加650℃的退火处理60min，其它工艺不变，以达到降低白色像素WPCount的目的。本专利技术可以通过薄膜沉积及退火工艺简单有效的改善金属污染，不涉及其它影响，本专利技术降低CIS器件的白色像素，减少CIS器件的暗电流(DarkCurrent,DC)，且不影响其它参数。虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术所属
中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，包括下列步骤：进行N/P型源漏极离子注入处理；进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；进行后续接触孔制程。

【技术特征摘要】
1.一种通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，包括下列步骤：进行N/P型源漏极离子注入处理；进行自对准硅化物区域阻挡层制程，沉积氧化物层，进行源漏极热处理，并沉积氮化物层；进行自对准硅化物区域阻挡层退火处理；进行后续接触孔制程。2.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氧化物层为TEOS氧化物层。3.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氧化物层采用化学气相沉积方式进行沉积。4.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其特征在于，所述氧化物层的厚度为130埃。5.根据权利要求1所述的通过优化SAB制程改善CIS白色像素的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：范洋洋，王明，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31