一种掩膜版玻璃基板的清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜版玻璃基板的清洗方法
本专利技术涉及芯片制造领域，特别是涉及一种掩膜版玻璃基板的清洗方法。
技术介绍
随着近年来科技不断的进步，芯片的制备工艺得到了极大的发展，其中掩模版在芯片制备工艺中起到了重中之重的作用。在现阶段，通常都是通过光刻的方法，使用掩模版在芯片的基底上刻蚀线路图案，掩膜版是光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版上的任何缺陷都会对最终图形精度产生严重的影响，所以掩膜版必须保持“完美”。而在掩膜版的制作工艺中，来源于玻璃基底本身的缺陷或微小沾污占整个掩膜版制作工艺的70至80％。该玻璃基底本身的沾污及任何残留在基底表面的沾污都可传播和扩散到掩膜版内部，甚至扩散到后续的半导体芯片内部。最终这些缺陷与沾污都将造成掩膜版成品率的大大损失及可靠性降低，进而导致掩膜版“不完美”。所以如何提供一种可以全方面清洗掩膜版玻璃基板的方法是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，可以有效去除玻璃基底表面的各种沾污以及颗粒。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，其特征在于，包括：将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中；其中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值；将所述玻璃基板浸入纯水中，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂；在清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂之后，将所述玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗；其中，所述中性无机洗剂与所述碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值；将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液；在清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液之后，以预设的提拉速度从所述纯水中提拉出所述玻璃基板。可选的，所述第一SPM洗剂的温度的取值范围为80℃至100℃，包括端点值。可选的，所述将所述玻璃基板浸入纯水中包括：将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中，所述第一温度的取值范围为40℃至60℃，包括端点值；在将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中之后，将所述玻璃基板浸入具有室温温度的纯水中。可选的，所述预设的提拉速度的取值范围为2mm/s至10mm/s，包括端点值。可选的，所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗包括：将所述玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗。可选的，所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行兆级超声清洗包括：将所述玻璃基板浸入纯水中；使用至少两个频率的超声波交替对所述玻璃基板进行兆级超声清洗。可选的，所述混合液的温度的取值范围为30℃至50℃，包括端点值。可选的，在所述将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗之后，所述方法还包括：将所述玻璃基板浸入纯水中进行漂洗，同时向所述该纯水中鼓入二氧化碳气体。可选的，在所述将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中之后，所述方法还包括：当所述第一SPM洗剂使用时间小于时间阈值时，根据预设的频率向所述第一SPM洗剂中添加第二SPM洗剂，所述第二SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为1:1至1:2，包括端点值；当所述第一SPM洗剂使用时间大于时间阈值时，根据预设的频率向所述第一SPM洗剂中添加第三SPM洗剂，所述第三SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为2:1至4:1，包括端点值。可选的，在所述将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中之前，所述方法还包括：使用纯水将所述玻璃基板润湿。本专利技术所提供的一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。附图说明为了更清楚的说明本专利技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例所提供的一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图；图2为本专利技术实施例所提供的另一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图；图3为本专利技术实施例所提供的一种具体的掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图。具体实施方式本专利技术的核心是提供一种掩膜版玻璃基板的清洗方法。在现有技术中，通常对于玻璃基板的清洗仅仅是去除玻璃基板表面的静电以及存放过程中的沾污等，在现阶段并没有一种针对玻璃基板表面微小颗粒、沾污等全方面清洗玻璃基板的方法。而本专利技术所提供的一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通过将玻璃基板浸入浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1的第一SPM洗剂中去除有机物类沾污；再通过将玻璃基板浸入中性无机洗剂与碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6的混合液中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较大的颗粒以及沾污；之后通过将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗可以去除玻璃基板表面较小的颗粒；最终将玻璃基板提拉出纯水以完成干燥脱水，从而全方面的清除玻璃基板表面的各种颗粒以及沾污。为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1，图1为本专利技术实施例所提供的一种掩膜版玻璃基板清洗方法的流程图。参见图1，在本专利技术实施例中，掩膜版玻璃基板的清洗方法包括：S101：将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中。在本专利技术实施例中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值。上述玻璃基板即在本专利技术实施例中需要进行清洗的玻璃基板，该玻璃基板具体作为在光刻过程中所使用的掩膜版所使用。在本步骤之前，通常会先使用纯水将所述玻璃基板润湿，以减少玻璃基板表面的接触角，同时清除掉玻璃基板表面的浮灰。在本步骤中，会将玻璃基板浸入由浓硫酸和过氧化氢混合而成的第一SPM洗剂中。在SPM洗剂中，浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值。即在第一SPM洗剂中，浓硫酸与过氧化氢的比例可以恰好为4:1，或者是恰好为6:1。在本专利技术实施例中，上述浓硫酸优选为浓度在98％左右的浓硫酸，而过氧化氢优选为纯度在电子级的过氧化氢。在本步骤中，通过第一SPM洗剂可以有效去除玻璃基板表面的有机物、油脂、手指印等有机物类沾污，同时通过双氧水与浓硫酸反应生成的微小气泡可以去除玻璃基板表面的部分颗粒。通常情况下，在本步骤中，第一SPM洗剂的温度的取值范围为80℃至100℃，包括端点值。即在本步骤中，玻璃基板需要浸入温度较高的第一SPM洗剂中，以保证有效去除玻璃基板表面的有机物类沾污。S102：将玻璃基板浸入纯水中，以清洗玻璃基板表面残留的第一SPM洗剂。在本步骤中，会使用纯水对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，其特征在于，包括：将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中；其中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值；将所述玻璃基板浸入纯水中，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂；在清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂之后，将所述玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗；其中，所述中性无机洗剂与所述碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值；将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液；在清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液之后，以预设的提拉速度从所述纯水中提拉出所述玻璃基板。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版玻璃基板的清洗方法，其特征在于，包括：将玻璃基板浸入第一SPM洗剂中；其中，所述第一SPM洗剂中浓硫酸与过氧化氢的比例的取值范围为4:1至6:1，包括端点值；将所述玻璃基板浸入纯水中，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂；在清洗所述玻璃基板表面残留的所述第一SPM洗剂之后，将所述玻璃基板浸入包括中性无机洗剂和碱性无机洗剂的混合液中进行超声清洗；其中，所述中性无机洗剂与所述碱性无机洗剂的比例的取值范围为1:4至1:6，包括端点值；将所述玻璃基板浸入纯水中进行超声清洗，以清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液；在清洗所述玻璃基板表面残留的所述混合液之后，以预设的提拉速度从所述纯水中提拉出所述玻璃基板。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一SPM洗剂的温度的取值范围为80℃至100℃，包括端点值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述玻璃基板浸入纯水中包括：将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中，所述第一温度的取值范围为40℃至60℃，包括端点值；在将所述玻璃基板浸入具有第一温度的纯水中之后，将所述玻璃基板浸入具有室温温度的纯水中。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设的提拉速度的取值范围为2mm/s至10mm/s，包括端点值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李翼，李伟，徐根，张诚，周学文，
申请(专利权)人：湖南普照信息材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南,43