一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法技术

本发明专利技术公开了一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法，步骤包括涂布第一光刻胶，形成第一光刻胶层，第一光刻胶的光刻胶原液与稀释剂的体积比为第一稀释比例R<subgt;1</subgt;；烘烤第一光刻胶层，采用阶梯升温方式对第一光刻胶层进行烘烤，使第一光刻胶层成膜；在第一光刻胶层表面涂布第二光刻胶，形成第二光刻胶层，第二光刻胶的光刻胶原液与稀释剂的体积比为第二稀释比例R<subgt;2</subgt;；烘烤第二光刻胶层，采用阶梯升温方式对第二光刻胶层进行烘烤，使第二光刻胶层成膜；将烘烤处理过的玻璃基板放入洁净环境中使光刻胶和玻璃基板降至室温。本发明专利技术提供的厚层光刻胶的涂布烘烤方法，能够获得厚度大、胶面均匀、感光性好的厚层光刻胶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造光刻工艺，尤其涉及一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法。

技术介绍

1、在全球半导体产业中，随着物联网如智能驾驶、智慧物流、智能家居的快速兴起，传感器的消费需求与日俱增。mems传感器是指用半导体技术在硅片上制造的微型传感器装置，mems是micro-electro mechanical system的缩写，即微机电系统，是一个独立的智能系统。

2、mems加工技术工艺是根据产品需要，在各类衬底(如硅衬底、玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底等)上制作微型结构的加工工艺。微型结构主要是作为各类传感器和执行器，根据不同传感器类型而制作成不同的可动结构(如齿轮、悬臂梁、空腔、桥结构等)以及各种功能材料。由于mems传感器内部的机械结构在微米级甚至是纳米级，采用传统机械加工方式显然无法满足mems的生产需求。

3、目前工业中应用的mems微机械加工技术包括：体硅微加工、表面微加工和liga工艺(光刻、电铸和注塑结合)，其中liga工艺可制作高深宽比、高精度、结构复杂的微型结构。为了获得结构完整、尺寸较大的微型结构，用于m本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板表面镀有一层氧化薄膜，其特征在于，所述涂布烘烤方法包括：

2.根据权利要求1所述的涂布烘烤方法，其特征在于，所述阶梯升温方式至少为三段式阶梯升温方式，对所述第一光刻胶层进行烘烤具体包括：

3.根据权利要求2所述的涂布烘烤方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层进行烘烤具体包括：

4.根据权利要求1至3中任一所述的涂布烘烤方法，其特征在于，在所述第二光刻胶层烘烤完成之后，在所述第二光刻胶层的表面依次进行第三光刻胶的涂布、烘烤至第N光刻胶的涂布、烘烤，形成第N光刻胶层，所述第N光刻胶的光刻胶原液与稀释...

【技术特征摘要】

1.一种厚层光刻胶的涂布烘烤方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板表面镀有一层氧化薄膜，其特征在于，所述涂布烘烤方法包括：

2.根据权利要求1所述的涂布烘烤方法，其特征在于，所述阶梯升温方式至少为三段式阶梯升温方式，对所述第一光刻胶层进行烘烤具体包括：

3.根据权利要求2所述的涂布烘烤方法，其特征在于，对所述第二光刻胶层进行烘烤具体包括：

4.根据权利要求1至3中任一所述的涂布烘烤方法，其特征在于，在所述第二光刻胶层烘烤完成之后，在所述第二光刻胶层的表面依次进行第三光刻胶的涂布、烘烤至第n光刻胶的涂布、烘烤，形成第n光刻胶层，所述第n光刻胶的光刻胶原液与稀释剂的体积比为第n稀释比例rn，所述第n稀释比例rn为最小稀释比例。

5.根据权利要求4所述的涂布烘烤方法，其特征在于，烘烤第n光刻胶层，采用阶梯升温方式对所述第n光刻胶层进行烘烤，包括：第一阶段，将第n光刻胶层从室温升温至第七温度t3(n-1)+1，保温10—20min；第二阶段，将第n光刻胶层从第七温度t3(n-1)+1升温至第八温度t3(n-1)+2，保温10—20min；...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴云峰，周志刚，李伟，张诚，屈强，
申请(专利权)人：湖南普照信息材料有限公司，
类型：发明
国别省市：