【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及集成电路设计与制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法。
技术介绍
DRAM(动态随机存取存储器)是一种半导体存储器件，DRAM包括存储阵列区(memoryarrayaera)以及外围电路(peripheralcircuits)，其中，存储阵列区包括存储器、电容等结构，外围电路包括用于控制存储单元阵列排布的电路。通常，在边界区域(存储阵列区和外围电路过渡区域)设置有虚拟晶体管(DummyMOSgate)，以解决边界区域在光刻工艺中的边缘效应(boundaryedgeeffect)与化学机械研磨工艺中的微负载效应(microloadingeffect)，但是虚拟晶体管的设置会造成集成电路密度降低。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种半导体器件及其制备方法，减少虚拟晶体管的占地面积以提高集成电路密度。为实现上述目的，本专利技术提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供一基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；形成栅极多晶硅层在所述基底上，所述栅极多晶硅层位于所述第二区域，并且...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；形成栅极多晶硅层在所述基底上，所述栅极多晶硅层位于所述第二区域，并且在靠近所述第一区域的一侧具有一第二边界；依次形成栅极金属层与栅极保护层在所述基底上，所述栅极金属层和所述栅极保护层覆盖所述栅极多晶硅层，并从所述栅极多晶硅层的所述第二边界延伸至所述第一区域中；以及依次刻蚀所述栅极保护层、所述栅极金属层和所述栅极多晶硅层，以形成相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形在所述第二区域上，所述虚拟栅极图形的栅极多晶硅层具有所述第二边界，所述虚拟栅...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包含第一区域与第二区域，所述第一区域与所述第二区域交界处具有一第一边界；形成栅极多晶硅层在所述基底上，所述栅极多晶硅层位于所述第二区域，并且在靠近所述第一区域的一侧具有一第二边界；依次形成栅极金属层与栅极保护层在所述基底上，所述栅极金属层和所述栅极保护层覆盖所述栅极多晶硅层，并从所述栅极多晶硅层的所述第二边界延伸至所述第一区域中；以及依次刻蚀所述栅极保护层、所述栅极金属层和所述栅极多晶硅层，以形成相互分隔的虚拟栅极图形与功能栅极图形在所述第二区域上，所述虚拟栅极图形的栅极多晶硅层具有所述第二边界，所述虚拟栅极图形的栅极金属层和栅极保护层覆盖栅极多晶硅层并延伸至所述第二边界与所述第一边界之间，以使所述虚拟栅极图形的高度从所述第二边界至所述第一边界逐渐降低；形成介质层在所述基底上并进行平坦化。2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成介质层在所述基底上并进行平坦化的步骤包括：形成介质层在所述基底上，所述介质层覆盖所述基底、所述虚拟栅极图形以及所述功能栅极图形，并填充所述虚拟栅极图形和所述功能栅极图形之间的间隙；平坦化所述介质层，至暴露出所述虚拟栅极图形与所述功能栅极图形。3.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述虚拟栅极图形在所述第一边界与所述第二边界之间的宽度占总的所述虚拟栅极图形宽度的2％～60％。4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一区域的所述基底内形成有埋入式栅极，所述埋入式栅极的表面低于所述基底的表面，在所述埋入式栅极以及所述第一区域的所述基底上还形成有绝缘层。5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极多晶硅层之前，还包括：形成栅极氧化层在所述基底上，所述栅极氧化层覆盖所述第二区域的所述基底。6.如权利要求5所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述栅极多晶硅层在所述基底上的步骤包括：形成栅极多晶硅材料层在所述基底上，所述栅极多晶硅材料层覆盖所述基底与所述栅极氧化层；形成图形化的光刻胶层在所述栅极多晶硅材料层上；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述栅极多晶硅材料层，去除所述第一区域以及所述第二区域靠近所述第一区域的部分所述栅极多晶硅材料层，以形成所述栅极多晶硅层。7.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在形成所述栅极多晶硅层之后，在形成所述栅极金属层之前，还包括：形成金属粘附层在所述基底上。8.如权利要求7所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34
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