下载半导体器件及其制备方法的技术资料

文档序号:19748998

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本发明提供一种半导体器件及其制备方法,所述方法包括:提供具有第一区域与第二区域的基底,第一区域与第二区域交界处具有第一边界,在第二区域上形成栅极多晶硅层,且栅极多晶硅层靠近第一区域的一侧具有一第二边界,在基底上依次形成栅极金属层与栅极保护层...
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