用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构制造技术

本发明专利技术公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本发明专利技术的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。

【技术实现步骤摘要】
用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及集成电路的静电保护。
技术介绍
静电放电（ElectrostaticDischarge，ESD）是集成电路可靠性的一项重要分支，随着集成电路制造工艺的发展与电路复杂度的提升，ESD保护面临重大问题与挑战，相应的ESD保护变得更加复杂和困难。单个器件是ESD保护设计中的最小单元，单个器件的选择与设计直接关系到整个芯片ESD保护设计的成败。ESD现象的模型主要有四种：人体放电模型（HBM）、机械放电模型（MM）、器件充电模型（CDM）以及电场感应模型（FIM）。对一般集成电路产品来说，一般要经过人体放电模型，机械放电模型以及器件充电模型的测试。为了能够承受如此高的静电放电电压，集成电路产品通常必须使用具有高性能、高耐受力的静电放电保护器件。为了达到保护芯片抵御静电打击的目的，目前已有多种静电防护器件被提出。在集成电路中，二极管、GGNMOS、SCR等都可以用来充当ESD保护器件，其中可控硅器件（SCR）是最具有效率的ESD保护器件之一。随着功率集成电路技术的快速进展，功率集成电路的ESD保护已成为一个主要的可靠性设计问题。SCR被经常用在功率集成电路VDD和VSS之间进行ESD保护。对于高压端口ESD保护，难点在于LDMOSESD保护器件的设计。对于40VLDMOS，当有异常大的ESD脉冲时，LDMOS可以工作在一次雪崩击穿后的大电流区，此时LDMOS自身属于自保护器件，但是由于横向寄生NPN晶体管Q1在ESD脉冲下有时很难开启，所以容易受ESD脉冲的冲击而损坏，为提高ESD保护能力可采取多种方法。可控硅（Siliconcontrolledrectifier–SCR）也叫晶闸管在功率器件中广泛应用，因为它可以在高阻态与低阻态之间切换，可用作电源开关，然而它同时也是十分有效的ESD保护器件，由于其维持电压很低，所以能够承受很高的ESD电流，因此，SCR天然具有高的ESD鲁棒性。相较其他ESD保护器件，SCR器件的单位面积ESD保护能力最强。一般SCR器件为单方向ESD保护器件，结构如图1所示，在另外一个方向的ESD保护由寄生二极管或者并联一个二极管来完成。采用额外的二极管来进行另外一个方向的ESD保护，会增大版图面积。在一些有负电压的电路中，如果IO电压低于-0.7V，GND电压为0V，采用二极管进行反方向保护时，二极管在正常工作时就会导通，产生漏电，不能满足使用要求，必须采用双向SCR结构进行保护。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，满足使用需求、节省版图面积。本专利技术的目的是这样实现的：一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，第二P阱上层设有第二N+注入区，第二N+注入区两侧部分位于第二N阱上层。本专利技术的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，通过采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀，并延长了电流泄放路径，提高了维持电压。作为本专利技术的进一步改进，从一个主电级到另个主电级的ESD电流泄放路径依次为：第一P+注入区、第一N阱、深N阱、第二N阱、第二N+注入区、第二N阱、深N阱、第一N阱、第一N+注入区，保证双向的泄放通路长度一致，并有相同的触发电压和维持电压。附图说明图1为现有技术的单向SCRESD保护结构示意图。图2为本专利技术的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构的示意图。其中，1P型衬底，2、2’深N阱，3、3’第一N阱，4、4’第一P阱，5、5’第二N阱，6、6’第一N+注入区，7、7’第一P+注入区，8第二P阱，9第二N+注入区。具体实施方式如图2所示的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底1，P型衬底1上层两侧对称设置有深N阱2和深N阱2’，深N阱2上层由外侧至内侧依次设有第一N阱3、第一P阱4和第二N阱5，第一N阱3上层设有相对独立的第一N+注入区6和第一P+注入区7，第一N+注入区6和第一P+注入区7通过金属相连构成主电极T1。对称地，深N阱2’上层由外侧至内侧依次设有第一N阱3’、第一P阱4’和第二N阱5’，第一N阱3’上层设有相对独立的第一N+注入区6’和第一P+注入区7’，第一N+注入区6’和第一P+注入区7’通过金属相连构成主电极T2。也就是说，深N阱2和深N阱2’及其上层结构完全对称。第二N阱5和第二N阱5’之间设有第二P阱8，第二P阱8上层设有第二N+注入区9，第二N+注入区9两侧部分位于第二N阱5和第二N阱5’的上层。本实施例的用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，从T1主电级到T2主电级，第一P+注入区7、第一N阱3、深N阱2、第二N阱5、第二N+注入区9、第二N阱5’、深N阱2’、第一N阱3’、第一N+注入区6’构成正向ESD电流泄放路径SCR1（如图2上虚曲线所示）。从T2主电级到T1主电级，第一P+注入区7’、第一N阱3、深N阱2’、第二N阱5’、第二N+注入区9、第二N阱5、深N阱2、第一N阱3、第一N+注入区6构成反方向ESD电流泄放路径SCR2（如图2上实曲线所示）。ESD电流泄放路径中经过第二N阱5、第二N+注入区9、第二N阱5’延长了电流路径，提高了维持电压。此外，由于第一N+注入区6、第一P+注入区7和第一N+注入区6’和第一P+注入区7’在第二N+注入区9两侧对称布局，保证左边和右边的SCR1通路长度一致，同时也保证左边和右边的SCR2通路长度一致。一致的通道长度保证左边和右边的SCR1特性一样，有相同的触发电压和维持电压。一致的通道长度保证左边和右边的SCR2特性一样，有相同的触发电压和维持电压。采用对称性的结构设计，使ESD电流泄放更均匀。本专利技术并不局限于上述实施例，在本专利技术公开的技术方案的基础上，本领域的技术人员根据所公开的
技术实现思路
，不需要创造性的劳动就可以对其中的一些技术特征作出一些替换和变形，这些替换和变形均在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，所述深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，所述第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，所述第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个所述深N阱的第二N阱之间设有第二P阱，所述第二P阱上层设有第二N+注入区，所述第二N+注入区两侧部分位于所述第二N阱上层。

【技术特征摘要】
1.一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构，包括P型衬底，其特征在于：所述P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱，所述深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱，所述第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和第一P+注入区，所述第一N+注入区和第一P+注入区通过金属相连构成主电极，两个所述深N阱的第二N阱之间...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡小五，赵发展，淮永进，杜寰，黄启俊，周祥兵，
申请(专利权)人：扬州江新电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32