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用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构制造技术
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下载用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构的技术资料
文档序号:19748991
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本发明公开了集成电路领域内一种用于功率集成电路输出LDMOS器件保护的双向ESD结构,包括P型衬底,P型衬底上层两侧对称设置有两个深N阱,深N阱上层由外侧至内侧依次设有第一N阱、第一P阱和第二N阱,第一N阱上层设有相对独立的第一N+注入区和...
该专利属于扬州江新电子有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州江新电子有限公司授权不得商用。
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