蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术提供一种蚀刻液组合物，其特征在于，包含过硫酸盐、无机酸、环状胺化合物、有机酸、有机酸盐、氨基磺酸、甘氨酸和水，相对于蚀刻液组合物整体100重量％，上述氨基磺酸的含量为0.1～6重量％，上述甘氨酸的含量为0.1～5重量％，本发明专利技术的蚀刻液组合物能够选择性蚀刻铜系金属膜。

【技术实现步骤摘要】
蚀刻液组合物
本专利技术涉及能够选择性蚀刻铜系金属膜的蚀刻液组合物。
技术介绍
为了平板显示器的图像呈现，使用TFT(ThinFilmTransistor(薄膜晶体管))阵列透明像素电极、栅电极、源电极和漏电极。通常，作为像素电极，使用以铟为主成分的透明导电膜，作为栅电极、源电极和漏电极，使用以Cu、Cr、Mo、Ti、Al等为主成分的单层膜或多层膜。近年来，为了将生产工序而提高生产量，开发了在最下部蒸镀作为铟系透明导电膜的IZO(铟锌氧化物)作为栅极(Gate)配线，且在其上由铜系金属膜形成新的数据(Data)配线。此时，为了蚀刻上述栅极配线，应当不蚀刻最下部的IZO薄膜，而是仅选择性蚀刻处于其上的铜系金属膜。韩国公开专利第2012-0138290号涉及一种蚀刻液组合物、利用其的金属配线和薄膜晶体管基板的形成方法，并且公开了如下涉及蚀刻液组合物的内容，即相对于蚀刻液组合物总重量，包含0.5重量％～20重量％的过硫酸盐、0.01重量％～2重量％的氟化合物、1重量％～10重量％的无机酸、0.5重量％～5重量％的环状胺化合物、0.1重量％～10.0重量％的磺酸、0.1重量％～10重量％的有机酸及其盐中的至少一种、以及使整体组合物的总重量成为100重量％的水。但是，在使用上述文献的蚀刻液组合物的情况下，因氟化合物而可能会对IZO薄膜造成损伤而在仅选择性蚀刻铜系金属膜方面存在困难，且存在处理张数特性不佳的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国公开专利第10-2012-0138290号(2012.12.26)
技术实现思路
所要解决的课题本专利技术的目的在于提供能够不对IZO薄膜造成蚀刻损伤而仅选择性蚀刻铜系金属膜的蚀刻液组合物。此外，本专利技术的目的在于提供处理张数特性提高了的蚀刻液组合物。解决课题的方法用于达成上述目的的本专利技术的蚀刻液组合物包含过硫酸盐、无机酸、环状胺化合物、有机酸、有机酸盐、氨基磺酸、甘氨酸和水，相对于蚀刻液组合物整体100重量％，上述氨基磺酸的含量为0.1～6重量％，上述甘氨酸的含量为0.1～5重量％。专利技术效果本专利技术的蚀刻液组合物不包含对IZO薄膜造成影响的成分，因此具有不对IZO薄膜造成蚀刻损伤并且能够仅选择性蚀刻铜配线的优点。此外，本专利技术的蚀刻液组合物由于包含特定成分，因此具有与以往的蚀刻液相比处理张数特性提高而能够在更长的工序时间维持期望的铜膜的蚀刻形状的优点。附图说明图1(a)和图1(b)是示出实施例和比较例的IZO单层膜损伤测试结果的图。图2是示出随处理张数变化的锥角的变化的图。图3是随处理张数变化的侧蚀变化的图。具体实施方式以下，对本专利技术更详细地说明。本专利技术中，当指出某一构件位于另一构件“上”时，其不仅包括某一构件与另一构件接触的情况，还包括两构件之间存在其他构件的情况。本专利技术中，当指出某一部分“包含”某一构成要素时，其意味着只要没有特别相反的记载，则可以进一步包含其他构成要素，而不是将其他构成要素排除。<蚀刻液组合物>本专利技术的一方式涉及一种蚀刻液组合物，其包含过硫酸盐、无机酸、环状胺化合物、有机酸、有机酸盐、氨基磺酸、甘氨酸和水，相对于蚀刻液组合物整体100重量％，上述氨基磺酸的含量为0.1～6重量％，上述甘氨酸的含量为0.1～5重量％。本专利技术的蚀刻液组合物在不损害本专利技术的效果的范围内除了上述的成分以外可以进一步追加包含蚀刻调节剂、表面活性剂、pH调节剂之类的添加剂，但并不限定于此。本专利技术的一实施方式中，相对于上述蚀刻液组合物整体100重量％，可以包含上述过硫酸盐0.5～20重量％；上述无机酸0.1～9重量％；上述环状胺化合物0.1～5重量％；上述有机酸0.1～20重量％；上述有机酸盐0.1～10重量％；上述氨基磺酸0.1～6重量％；上述甘氨酸0.1～5重量％；和余量的水。本专利技术的铜系金属膜可以为仅由铜构成的铜单一膜，也可以为由含有铜以及选自由铝(Al)、镁(Mg)、锰(Mn)、铍(Be)、铪(Hf)、铌(Nb)、钨(W)和钒(V)组成的组中的一种以上的铜合金构成的铜合金膜。上述铜系金属膜也可以包含在最下部具备IZO薄膜的复合膜中，该情况下，上述复合膜中还可以追加包含除了上述铜系金属膜以外的构成。只是，在该情况下，除了上述铜系金属膜以外追加包含的构成优选能够与上述铜系金属膜一同被本专利技术的蚀刻液组合物一并蚀刻。过硫酸盐本专利技术的蚀刻液组合物包含过硫酸盐。上述过硫酸盐作为主氧化剂可以发挥在蚀刻时对于铜系金属膜形成锥面的作用。相对于上述蚀刻液组合物整体100重量％，上述过硫酸盐的含量可以为0.5～20重量％，优选可以为1～18重量％，更优选可以为5～15重量％，该情况下，具有蚀刻率佳的优点。在上述过硫酸盐的含量小于上述范围的情况下，蚀刻率可能降低而无法实现充分的蚀刻，在超过上述范围的情况下，会产生蚀刻率可能过快而难以控制蚀刻程度，从而上述铜系金属膜可能被过蚀刻(overetching)的问题。本专利技术的又一实施方式中，上述过硫酸盐可以包含选自由过硫酸钾(K2S2O8)、过硫酸钠(Na2S2O8)和过硫酸铵((NH4)2S2O8)组成的组中的至少一种。无机酸本专利技术的蚀刻液组合物包含无机酸。上述无机酸可以发挥助氧化剂的作用，可以根据上述无机酸的含量来控制蚀刻速度。在上述蚀刻液组合物包含上述无机酸的情况下，上述无机酸能够与铜系金属膜蚀刻过程中溶出的铜离子反应，因此具有防止上述铜离子增加的现象从而能够防止蚀刻速度或蚀刻率降低的优点。相对于上述蚀刻液组合物整体100重量％，上述无机酸的含量为0.1～9重量％，优选为1～5重量％，更优选为2～4重量％，该情况下，具有能够提供具有合适的蚀刻速度的蚀刻液组合物的优点。在上述无机酸的含量小于上述范围的情况下，蚀刻率可能降低而无法达到充分的蚀刻速度，在超过上述范围的情况下，铜系金属膜蚀刻时所使用的感光膜可能产生裂纹(crack)或发生上述感光膜剥落的现象。在上述感光膜产生裂纹或上述感光膜发生剥落的情况下，位于上述感光膜的下部的铜系金属膜可能会被过度蚀刻，因而优选相对于上述蚀刻液组合物整体100重量％上述无机酸的含量处于上述范围内。上述无机酸比如可以将硝酸、硫酸、磷酸或高氯酸单独或将两种以上混合后包含，但并不限定于此。环状胺化合物本专利技术的蚀刻液组合物包含环状胺化合物。上述蚀刻液组合物包含上述环状胺化合物的情况下，起到防腐蚀作用，且可以发挥能够调节蚀刻速度的作用。相对于上述蚀刻液组合物整体100重量％，上述环状胺化合物的含量可以为0.1重量％～5重量％，优选可以为0.3～3重量％，更优选可以为0.5～1重量％。在上述环状胺化合物的含量小于上述范围的情况下，铜系金属膜的蚀刻率可能变高而存在被过蚀刻的危险，在超过上述范围的情况下，铜系金属膜的蚀刻率可能降低而无法获得期望的程度的蚀刻。上述环状胺化合物比如可以为选自由氨基四唑(aminotetrazole)系、咪唑(imidazole)系、吲哚(indole)系、嘌呤(purine)系、吡唑(pyrazole)系、吡啶(pyridine)系、嘧啶(pyrimidine)系、吡咯(pyrrole)系、吡咯烷(pyrrolidine)系和吡咯啉(pyrroline)系组成的组中的一种以上。具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液组合物，其包含过硫酸盐、无机酸、环状胺化合物、有机酸、有机酸盐、氨基磺酸、甘氨酸和水，相对于蚀刻液组合物整体 100重量％，所述氨基磺酸的含量为 0.1～6重量％，所述甘氨酸的含量为 0.1～5重量％。

【技术特征摘要】
2017.05.19 KR 10-2017-00623651.一种蚀刻液组合物，其包含过硫酸盐、无机酸、环状胺化合物、有机酸、有机酸盐、氨基磺酸、甘氨酸和水，相对于蚀刻液组合物整体100重量％，所述氨基磺酸的含量为0.1～6重量％，所述甘氨酸的含量为0.1～5重量％。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，相对于所述蚀刻液组合物整体100重量％，包含：所述过硫酸盐0.5～20重量％；所述无机酸0.1～9重量％；所述环状胺化合物0.1～5重量％；所述有机酸0.1～20重量％；所...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘仁浩，金宝衡，南基龙，金相泰，朴英哲，林大成，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR