具有结构调节层的阻变式存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。本发明专利技术的阻变式存储器具有结构调节层，可以实现导电丝通段的局域化，从而大大提高阻变式存储器的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
具有结构调节层的阻变式存储器及其制备方法
本专利技术属于信息存储领域，具体涉及一种具有结构调节层的阻变式存储器。
技术介绍
阻变式存储器(RRAM)由于其结构简单、存储密度高、转换速度快、功耗低、操作电压小等优点被认为最有希望取代闪存而成为下一代非易失性存储器。对于RRAM器件，人们普遍接受的模型是导电丝模型，即通过导电丝的通断来实现阻变行为。然而，导电丝是依靠金属阳离子或氧离子在电场作用下迁移而形成的，金属阳离子(氧离子)的迁移具有随机性，这会增加转换参数的波动，如高低电阻、开启关闭电压。一旦阻变参数的波动性过大，就会出现坏点使器件无法正常的运行，这也限制了存储器的进一步发展。因此，通过一些方法来降低器件运行中的波动性已经成为刻不容缓的问题，大量的研究工作致力于提高器件的稳定性与均一性。一些方法如插入超薄的金属层或氧化层、插入金属的纳米团簇、制备双层结构、使用纳米尺寸电极等用来提高RRAM器件的性能。这些方法的主要目的是控制导电丝的形成过程，减小导电丝形成的随机性，进而减小电学参数的波动。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。

【技术特征摘要】
1.一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。2.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其中，所述下电极层的材料为ITO、Pt或Au。3.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其中，所述阻变层的材料为ZnS或Ag2S。4.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其中，所述调节层的材料为ZnS：Ag或ZnS：Cu。5.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其中，所述上电极层的材料为Ag或Cu。6.根据权利要求1所述的阻变式存储器，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，白雪冬，许智，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11