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本发明提供一种阻变式存储器，包括：惰性下电极层、所述惰性下电极层之上的硫族化合物阻变层、所述硫族化合物阻变层之上的金属掺杂的硫族化合物调节层、以及所述金属掺杂的硫族化合物调节层之上的活性金属上电极层。本发明的阻变式存储器具有结构调节层，可以...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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