半导体结构及其形成方法技术

一种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。第一氧化物材料和第二氧化物材料中的至少一者为顶电极材料的一氧化物。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及一种半导体结构及其形成方法。本专利技术特别涉及一种包括两个依序设置的存储元件的半导体结构及其形成方法。
技术介绍
可变电阻式存储器(RRAM)是一种类型的非挥发性存储器，其提供简单的结构、小的存储单元尺寸、可扩缩性(scalability)、超高速操作、低功率操作、与互补金属氧化物半导体(CMOS)的兼容性、及低成本等优点。RRAM可具有包括其中电阻能够通过施加电脉冲而在两个或更多个稳定的电阻范围之间改变的存储元件的特征。存储元件可加以选择和调整，以提供更佳的电性和其他性能表现。此外，以节省成本和简单的方式达成改善，可能更为有利。
技术实现思路
本专利技术是导向以节省成本和简单的方式改善半导体结构，特别是改善半导体结构中的存储器，像是RRAM。根据一些实施例，提供一种半导体结构，此种半导体结构包括一底电极、一第一存储元件、一第二存储元件、及一顶电极。第一存储元件设置在底电极上。第一存储元件包括一第一氧化物材料。第二存储元件设置在第一存储元件上。第二存储元件包括不同于第一氧化物材料的一第二氧化物材料。顶电极设置在第二存储元件上。顶电极包括一顶电极材料。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：一底电极；一第一存储元件，设置在该底电极上，该第一存储元件包括一第一氧化物材料；一第二存储元件，设置在该第一存储元件上，该第二存储元件包括不同于该第一氧化物材料的一第二氧化物材料；以及一顶电极，设置在该第二存储元件上，该顶电极包括一顶电极材料，其中该第一氧化物材料和该第二氧化物材料中的至少一者为该顶电极材料的一氧化物。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：一底电极；一第一存储元件，设置在该底电极上，该第一存储元件包括一第一氧化物材料；一第二存储元件，设置在该第一存储元件上，该第二存储元件包括不同于该第一氧化物材料的一第二氧化物材料；以及一顶电极，设置在该第二存储元件上，该顶电极包括一顶电极材料，其中该第一氧化物材料和该第二氧化物材料中的至少一者为该顶电极材料的一氧化物。2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一氧化物材料为氧化钨或氧化硅。3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该底电极包括一底电极材料，且该第一氧化物材料为该底电极材料的一氧化物，其中该第二氧化物材料为该顶电极材料的该氧化物。4.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二氧化物材料为氧化钨、氧化钛、氧氮化钛、氧化铝、氧化镍、氧化铜、氧化锆、氧化铌、氧化铪、氧化钌、氧化铱、氧化钽、或氧氮化钽。5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该顶电极材料为钨、钛、氮化钛、铝、镍、铜、锆、铌、铪、钌、铱、钽、或氮化钽。6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王超鸿，蒋光浩，李峰旻，林昱佑，李岱萤，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71