一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用技术

本发明专利技术属于薄膜器件技术领域，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明专利技术非晶薄膜器件包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；第一电极结构设置于基底上；非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧；第二电极结构设置在非晶薄膜层背离第一电极结构的一侧，第一电极结构与第二电极结构相互接触连接；非晶薄膜层为SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。本发明专利技术非晶薄膜器件采用SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，该器件具有明显的整流二极管的导电性，整流特性显著；该器件开关比大于10

【技术实现步骤摘要】
一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用
本专利技术属于薄膜器件
，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。
技术介绍
目前市场上的非易失性存储器以闪存(Flash)为主，但是随着科技的高速发展，各类新型电子产品层出不穷，电子产品对存储器的各项性能也有了更为严苛的要求和更多优化性能的需求，如读写速度快、存储密度高、功耗低、寿命长、厚度更薄和体积更小等。可现阶段的Flash存储器件的尺寸在65nm以下时，传统的多晶硅浮栅结构存在擦写速度与可靠性的矛盾以及栅介质漏电等问题限制了该存储器件的进一步优化。因此，开发一种新型的存储器件成为电子科技研究者新的动向。基于不同机制和材料，目前已有多种存储器件有极大可能可以取代Flash存储器件，如铁电存储器(FerroelectricRandomAccessMemory，FeRAM)、磁存储器(MagneticRandomAccessMemory，MRAM)、相变存储器(PhaseChangeRandomAccessMemory，PRAM)及阻变存储器(ResistiveRandomAccessMemory，RRAM)。在这些存储器当中，RRAM本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶薄膜器件，其特征在于，包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；所述第一电极结构设置于所述基底上；所述非晶薄膜层设置在所述第一电极结构背离所述基底的一侧；所述第二电极结构设置在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接；所述非晶薄膜层为SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。

【技术特征摘要】
1.一种非晶薄膜器件，其特征在于，包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；所述第一电极结构设置于所述基底上；所述非晶薄膜层设置在所述第一电极结构背离所述基底的一侧；所述第二电极结构设置在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接；所述非晶薄膜层为SrFexTi1-xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。2.根据权利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述非晶薄膜层为SrFe0.1Ti0.9O3非晶薄膜层。3.根据权利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述非晶薄膜层的厚度为150nm～300nm。4.根据权利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述基底为玻璃基底、硅片基底、单晶钛酸锶基底、掺铌钛酸锶基底或铂/钛/氧化硅/硅(100)基底。5.根据权利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述第一电极结构为铂电极、LaNiO3电极、SrRuO3电极、LaRuO3电极、LaMnO3电极、SrMnO3电极、ITO电极或FTO电极。6.根据权利要求1所述的非晶薄膜器件，其特征在于，所述第二电极结构为金电极、铂电极、钨电极、银电极或铝电极。7.一种非晶薄膜器件的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤卉，唐新桂，刘秋香，蒋艳平，张天富，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东,44