一种相变存储器的擦写方法技术

本发明专利技术公开了一种相变存储器的擦写方法，其擦写包括通过对于相变存储器进行预操作使相变材料进入中间态，并且将相变材料在中间态以及非晶态之间进行可逆转变从而实现相变存储器的高低阻态循环，相较于传统的将相变材料在晶态以及非晶态之间操作的相变存储器，使用本发明专利技术的相变存储器有着显著降低的操作电流，操作电流被降低至可以与二端选通管集成从而实现三维堆叠的程度。本发明专利技术操作方案简单，适用于各种结构的相变存储器，且可以在不改变生产流程的前提下降低操作功耗，有着大规模应用的潜力，适用于工业生产和产品化。

【技术实现步骤摘要】
一种相变存储器的擦写方法
本专利技术属于微电子学领域，更具体地，涉及一种可以使相变存储器功耗降低的擦写方法，包括预操作以及擦写操作。
技术介绍
现代社会对于低功耗、高密度存储的需求越来越高，而Flash技术面临着物理极限难以进一步发展。由于相变存储器没有理论上的物理极限，结构简单，擦写速度快，被人们认为是下一代非易失存储器的候选之一。作为下一代非易失存储技术中最为成熟也最有可能商业化的存储器件，相变存储器一直受到广泛的关注。但是相变存储器较高的操作电流局限了其应用，目前已经有一系列的工作致力于降低相变存储器的操作电流。如：专利CN1763986A通过特殊工艺来实现较低的电极接触面积，从而降低相变存储器的功耗；专利CN102064276B利用非对称环状电极接触从而降低操作功耗。但是以上方式结构都较为复杂，从而会提高生产成本。
技术实现思路
针对现有技术的以上缺陷或改进需求，本专利技术提供了一种相变存储器的擦写方法，由此解决现有降低相变存储器操作电流的方式存在的结构复杂，生产成本较高的技术问题。为实现上述目的，本专利技术提供了一种相变存储器的擦写方法，包括：对相变存储器进行预操作使所述相变存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相变存储器的擦写方法，其特征在于，包括：对相变存储器进行预操作使所述相变存储器中的相变材料从初始的非晶态进入中间态，其中，所述中间态是介于所述非晶态以及稳定的晶态之间的亚稳态；对所述相变存储器中的相变材料施加第一电脉冲，使所述相变材料进入非晶态，以实现擦操作；对所述相变存储器中的相变材料施加第二电脉冲，使所述相变材料处于中间态，以实现写操作。

【技术特征摘要】
1.一种相变存储器的擦写方法，其特征在于，包括：对相变存储器进行预操作使所述相变存储器中的相变材料从初始的非晶态进入中间态，其中，所述中间态是介于所述非晶态以及稳定的晶态之间的亚稳态；对所述相变存储器中的相变材料施加第一电脉冲，使所述相变材料进入非晶态，以实现擦操作；对所述相变存储器中的相变材料施加第二电脉冲，使所述相变材料处于中间态，以实现写操作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述擦操作与所述写操作之间能够通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：童浩，何明泽，缪向水，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42