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本发明公开了一种相变存储器的擦写方法，其擦写包括通过对于相变存储器进行预操作使相变材料进入中间态，并且将相变材料在中间态以及非晶态之间进行可逆转变从而实现相变存储器的高低阻态循环，相较于传统的将相变材料在晶态以及非晶态之间操作的相变存储器，...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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