测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置制造方法及图纸

提供测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置，测量芯片破坏时的曲率。该方法对在芯片的弯折试验中芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，具有：芯片保持步骤，将芯片的一端侧的第一区域保持在第一保持单元的支承面上，将芯片的另一端侧的第二区域保持在第二保持单元的支承面上；第一移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元相对移动，以便使芯片的第一区域与第二区域之间的测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，使第一保持单元与第二保持单元向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，检测芯片被破坏的情况；和曲率检测步骤，对检测到芯片破坏时的测量区域的曲率进行检测。

The Method of Measuring the Curvature of Chip and the Device of Measuring the Curvature of Chip

Provides a method for measuring the curvature of the chip and a device for measuring the curvature of the chip. Measures the curvature of the chip when it is damaged. The method measures the curvature of the chip when the chip is damaged in the bending test of the chip. It has the following steps: the chip holding step, which maintains the first area on one side of the chip on the support surface of the first holding unit, the second area on the other side of the chip on the support surface of the second holding unit, and the first movement. The first holding unit and the second holding unit are moved relative to each other in order to make the profile shape of the measuring area between the first and second regions of the chip arc, so that the support surface of the first holding unit and the support surface of the second holding unit face; and the second moving step makes the first holding unit and the second holding unit face. Maintain the relative movement of the unit in the direction of mutual proximity; chip damage detection steps to detect chip damage; and curvature detection steps to detect the curvature of the measurement area when chip damage is detected.

【技术实现步骤摘要】
测量芯片的曲率的方法和测量芯片的曲率的装置
本专利技术涉及对芯片的抗折强度进行评价时测量芯片的曲率的方法以及对芯片的抗折强度进行评价时测量芯片的曲率的装置。
技术介绍
在半导体晶片的正面上按照呈格子状排列的方式设定有多条分割预定线，在由该分割预定线划分的各区域分别形成有IC或LSI等器件。并且，当沿着该分割预定线对该半导体晶片进行分割时，形成具有器件的各个芯片。当对半导体晶片或芯片施加较大的冲击时，有时产生裂纹、碎裂等损伤而丧失器件的功能。因此，为了开发出具有规定的水准的抗折强度的芯片，对半导体晶片或试制的芯片的抗折强度进行测量。对抗折强度进行评价的方法例如有SEMI(SemiconductorEquipmentandMaterialsInternational：国际半导体设备与材料产业协会)标准G86-0303中规定的三点弯曲(3-PointBending)法。例如在利用三点弯曲法对半导体晶片的抗折强度进行测量的情况下，将两个圆柱状的支承体放倒并相互平行地排列，将作为测量对象的半导体晶片相对于该支承体不固定地载置在该支承体的侧面上。并且，将圆柱状的压头配置在该两个支承体之间的该半导体晶片的上方且与该两个支承体平行。然后，通过该压头从上方对该半导体晶片进行按压而将其破坏，将此时施加在该半导体晶片的载荷作为强度进行测量(参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2014-222714号公报近年来，电子设备等的小型化和薄型化的趋势显著。与此相伴，搭载于该电子设备等的芯片的小型化和薄型化的趋势也显著，例如制造厚度为30μm以下的极薄芯片。当为了对该极薄芯片的抗折强度进行评价而想要利用三点弯曲法实施测量时，产生下述问题：测量时即使利用压头对芯片进行按压，芯片也仅发生挠曲而无法将芯片破坏，从而无法对抗折强度进行测量。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供对芯片的抗折强度进行评价时能够测量该芯片破坏时的曲率的方法和能够测量该曲率的装置。根据本专利技术的一个方式，提供测量芯片的曲率的方法，在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的方法具有如下的步骤：芯片保持步骤，将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在包含将上表面作为支承面的第一支承体在内的第一保持单元的该支承面上，并且将该芯片的另一端侧的第二区域保持在包含将上表面作为支承面的第二支承体在内的第二保持单元的该支承面上；第一移动步骤，在实施了该芯片保持步骤之后，使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，在实施了该第一移动步骤之后，在该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对的状态下使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中芯片被破坏的情况进行检测；以及曲率检测步骤，对在该芯片破坏检测步骤中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。另外，根据本专利技术的另一个方式，提供测量芯片的曲率的装置，其在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的装置具有：第一保持单元和第二保持单元，该第一保持单元将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在作为第一支承体上表面的第一支承面上，该第二保持单元将芯片的另一端侧的第二区域保持在作为第二支承体上表面的第二支承面上；移动单元，其使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使保持于该第一保持单元和该第二保持单元的芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一支承面与该第二支承面面对，接着使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测单元，其对在由该移动单元实现的该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体的相对移动中芯片被破坏的情况进行检测；以及曲率检测单元，其对在该芯片破坏检测单元中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。在本专利技术的一个方式中，使用对芯片的一端侧的第一区域进行保持的第一保持单元以及对芯片的另一端侧的第二区域进行保持的第二保持单元。首先，将作为测量对象的芯片保持在作为该第一保持单元的第一支承体上表面的支承面上和作为该第二保持单元的第二支承体上表面的支承面上。然后，使第一保持单元的第一支承体与第二保持单元的第二支承体相对移动，从而使夹在芯片的该第一区域与该第二区域的测量区域弯曲而在该测量区域产生破坏。要想使芯片的测量区域弯曲，首先使第一保持单元的第一支承体与第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对。在该过程中，在芯片产生破坏的情况下，对产生破坏时的测量区域的曲率进行测量。在直至使第一保持单元的支承面与第二保持单元的支承面面对为止的期间芯片未被破坏的情况下，进一步使第一保持单元的第一支承体与第二保持单元的第二支承体相互接近而减小距离，从而使测量区域的曲率变大。并且，在检测到在芯片产生破坏的情况下，对产生破坏时的测量区域的曲率进行测量。这样，当使用第一保持单元和第二保持单元使芯片弯曲时，与使用上述三点弯曲法的情况相比，能够使芯片的曲率增大。因此，即使在对极薄芯片的抗折强度进行评价的情况下，也能够使曲率增大至芯片被破坏的程度。并且，当对产生破坏时的芯片的曲率进行测量时，能够对极薄芯片的抗折强度进行评价。因此，根据本专利技术，提供对芯片的抗折强度进行评价时能够测量该芯片破坏时的曲率的方法以及能够测量该曲率的装置。附图说明图1是示意性示出测量曲率的装置的侧视图。图2是示意性示出测量曲率的装置的按压组件的立体图。图3是示意性示出测量曲率的装置的台的立体图。图4是示意性示出测量曲率的装置的保持组件的立体图。图5是保持组件的剖视示意图。图6的(A)是示意性示出芯片保持步骤中的保持组件和芯片的侧视图，图6的(B)是示意性示出第一移动步骤中的保持组件和芯片的侧视图。图7是示意性示出第二移动步骤中的保持组件的侧视图。标号说明2：装置；2a：按压组件；2b：台；2c：保持组件；4：顶板；6：台座；8：支柱；10：升降机；10a：固定板；10b：伸缩机构；12：载台；14：高度调节螺丝；16：数字式量规；16a：主体；16b：轴；16c：信号线；18：显示部；20：上表面；20a、20b：区域；22：槽；24：弹簧；26：弹簧上板；28、30：保持单元；28a、30a：支承面；32a、32b：静电保持部；34a、32b：绝缘体；36a、36b：带状橡胶收纳体；38：带状橡胶；40a、40b：高电压施加组件；42a、42b、42c、42d：导线；44a、44b、44c、44d：电极；46a、46b：绝缘体；1：芯片；3a、3b：端；9：测量区域。具体实施方式首先，对本实施方式的测量芯片的曲率的装置进行说明。图1是示意性示出该装置的侧视图。该装置2具有按压组本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测量芯片的曲率的方法，在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的方法具有如下的步骤：芯片保持步骤，将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在包含将上表面作为支承面的第一支承体在内的第一保持单元的该支承面上，并且将该芯片的另一端侧的第二区域保持在包含将上表面作为支承面的第二支承体在内的第二保持单元的该支承面上；第一移动步骤，在实施了该芯片保持步骤之后，使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，在实施了该第一移动步骤之后，在该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对的状态下使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中芯片被破坏的情况进行检测；以及曲率检测步骤，对在该芯片破坏检测步骤中检测到芯片破坏时的该测量区域的曲率进行检测。

【技术特征摘要】
2017.05.26 JP 2017-1043471.一种测量芯片的曲率的方法，在芯片的弯折试验中对芯片被破坏时的芯片的曲率进行测量，其特征在于，该测量芯片的曲率的方法具有如下的步骤：芯片保持步骤，将弯折前的状态的芯片的一端侧的第一区域保持在包含将上表面作为支承面的第一支承体在内的第一保持单元的该支承面上，并且将该芯片的另一端侧的第二区域保持在包含将上表面作为支承面的第二支承体在内的第二保持单元的该支承面上；第一移动步骤，在实施了该芯片保持步骤之后，使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体相对移动，以便使芯片的该第一区域与该第二区域之间的测量区域弯曲并且该测量区域的剖面形状成为圆弧状，从而使该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对；第二移动步骤，在实施了该第一移动步骤之后，在该第一保持单元的支承面与该第二保持单元的支承面面对的状态下使该第一保持单元的第一支承体与该第二保持单元的第二支承体向相互接近的方向相对移动；芯片破坏检测步骤，对在该第一移动步骤或该第二移动步骤的实施中芯片被破坏的情况...

【专利技术属性】
技术研发人员：松崎荣，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP