包括纳米线的器件与其制作方法技术

本申请提供了一种包括纳米线的器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，凹槽与绝缘部一一对应；步骤S3，刻蚀去除绝缘部两侧的基底的部分，剩余的且位于绝缘部两侧壁上的基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除纳米线之外的基底形成第一基底本体，绝缘部位于第一基底本体的表面上。上述的制作方法形成的纳米线的晶格比较完美，器件的性能较好；并且，该制作方法中，纳米线附着在绝缘部上，即绝缘部为纳米线提供了支撑，使得该纳米线可以做得很长且很细，不会发生断裂问题，且可以实现纳米线的高密度。

Devices including nanowires and their fabrication methods

The present application provides a device including nanowires and a method for their fabrication. The fabrication method includes: (1) providing a grooved base; (2) filling the groove with insulating material to form an insulating part, which corresponds to the insulating part one by one; and (2) etching the base part on both sides of the insulating part, and forming a plurality of stacked nanowires on the remaining base which is located on both sides of the insulating part. The remaining substrates except the nanowires form the first substrate body, and the insulating part is on the surface of the first substrate body. The lattice of the nanowires formed by the above-mentioned fabrication method is perfect and the device performance is good; moreover, in the fabrication method, the nanowires are attached to the insulating part, that is, the insulating part provides support for the nanowires, so that the nanowires can be made very long and fine, without fracture, and can achieve the high nanowires. Density.

【技术实现步骤摘要】
包括纳米线的器件与其制作方法
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种包括纳米线的器件与其制作方法。
技术介绍
在先进CMOS制造中，纳米线沟道与环栅结合的方式成为解决<5nm以下制程的热点技术：一种方法是：采用外延生长的方式在衬底上生长出Si/GeSi的叠层，然后通过选择性腐蚀其中的GeSi留下Si的纳米线。其优点为工艺与FinFet工艺类似，但局限性为外延工艺的晶格缺陷要多于体硅，尤其是多层交替外延后比较难以保证外延层的晶格完美无缺，因此器件性能会受到影响。另外一种为：采用直接刻蚀衬底硅的方法(各向异性刻蚀与各向同性刻蚀交替)形成凸凹侧壁的硅条，再采用氧化的方法来形成彼此独立的纳米线，该方法直接用衬底硅作为纳米线沟道，避免了外延工艺引入的缺陷，但其局限在于纳米线缺乏支撑，其强度较弱，无法做直径很细或者很密集的纳米线堆积，并且，纳米线在工艺制程中容易发生断裂等损坏问题。在
技术介绍
部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的
技术介绍
的理解，因此，
技术介绍
中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
技术实现思路
本申请的主要目的在于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包括纳米线的器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在所述凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，所述凹槽与所述绝缘部一一对应；以及步骤S3，刻蚀去除所述绝缘部两侧的所述基底的部分，剩余的且位于所述绝缘部两侧壁上的所述基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除所述纳米线之外的所述基底形成第一基底本体，所述绝缘部位于上述第一基底本体的表面上。

【技术特征摘要】
1.一种包括纳米线的器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在所述凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，所述凹槽与所述绝缘部一一对应；以及步骤S3，刻蚀去除所述绝缘部两侧的所述基底的部分，剩余的且位于所述绝缘部两侧壁上的所述基底形成多个堆叠的纳米线，剩余的除所述纳米线之外的所述基底形成第一基底本体，所述绝缘部位于上述第一基底本体的表面上。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3包括：步骤S31，对步骤S2形成的结构进行各向异性刻蚀，形成第一预纳米线；步骤S32，对所述第一预纳米线进行各向同性刻蚀，形成第二预纳米线；以及步骤S33，依次重复执行所述步骤S31和所述步骤S32多次，形成多个堆叠的所述第二预纳米线，所述第二预纳米线的至少部分为所述纳米线。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括：步骤S34，采用热氧化法将所述第一基底本体的靠近所述绝缘部的部分氧化为第一介质部，采用热氧化法将各所述第二预纳米线的远离所述绝缘部的部分氧化为第二介质部，所述第一介质部和所述第二介质部形成第一介质层，剩余的所述第二预纳米线为所述纳米线，剩余的所述第一基底本体为第二基底本体。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：步骤S4，在各所述纳米线的一端区域形成源区，另一端区域形成漏区，剩余的所述纳米线为纳米线本体；以及步骤S5，在所述第一介质层的裸露表面上设置栅极材料，形成栅极。5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，吴振华，张青竹，王文武，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11