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本申请提供了一种包括纳米线的器件与其制作方法。该制作方法包括：步骤S1，提供具有凹槽的基底；步骤S2，在凹槽中填充绝缘材料，形成绝缘部，凹槽与绝缘部一一对应；步骤S3，刻蚀去除绝缘部两侧的基底的部分，剩余的且位于绝缘部两侧壁上的基底形成多个...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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