半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置及其制造方法。在本发明专利技术的半导体装置中，以与焊盘电极ALP接触的方式形成有阻挡层BAL。作为阻挡层BAL，形成有包含钛膜与氮化钛膜的钛合金层。以与阻挡层BAL接触的方式形成有种晶层SED。作为种晶层SED，形成有铜膜。以与种晶层SED接触的方式形成有银凸块AGBP。银凸块AGBP由利用电镀法形成的银膜AGPL构成。在该银凸块AGBP上接合有锡合金球SNB。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体装置及其制造方法，其例如能够很好地应用于具备焊球的半导体装置。
技术介绍
半导体装置要求适应使用环境。例如，车载用的半导体装置要求具有希望的耐热性。为了满足耐热性要求，例如对半导体装置进行热循环试验及高温放置试验。热循环试验是指：在规定的温度范围内依次改变温度的环境下，反复进行规定次数的使半导体装置运行的试验。高温放置试验是指：在规定的高温环境下，使半导体装置运行规定时间的试验。而且，车载用的半导体装置为了控制而搭载有闪存器，因此还要对半导体装置的闪存器进行存储保持测试。在存储保持测试中，例如在250℃下进行大约8小时的烘烤(retentionbaking/保留烘烤)，从而判断存储于闪存器的信息(记忆)是否消失。另一方面，半导体装置期待具有散热特性及耐热性优异的封装结构，作为将半导体装置与基板连接的方法之一，采用倒装式接合。公开了这种半导体装置的文献例如有：专利文献1(日本特开2008-172232号公报)、非专利文献1(间仁田祥：“晶片电镀凸块技术-金及焊锡凸块的工艺规程”、电子安装学会志、Vol.1，No.5(1998))。在倒装式本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：元件形成区域，其划定在半导体基板上；半导体元件，其形成于所述元件形成区域；多层配线结构，其以覆盖所述半导体元件的方式形成，并且包括多个配线层及对所述多个配线层彼此之间进行电绝缘的层间绝缘膜；焊盘电极，其与所述多个配线层中的一个配线层电连接；阻挡层，以与所述焊盘电极接触的方式形成；银凸块，经由所述阻挡层与所述焊盘电极电连接；焊锡凸块，以与所述银凸块接触的方式形成。

【技术特征摘要】
2017.04.28 JP 2017-0893451.一种半导体装置，其特征在于，具备：元件形成区域，其划定在半导体基板上；半导体元件，其形成于所述元件形成区域；多层配线结构，其以覆盖所述半导体元件的方式形成，并且包括多个配线层及对所述多个配线层彼此之间进行电绝缘的层间绝缘膜；焊盘电极，其与所述多个配线层中的一个配线层电连接；阻挡层，以与所述焊盘电极接触的方式形成；银凸块，经由所述阻挡层与所述焊盘电极电连接；焊锡凸块，以与所述银凸块接触的方式形成。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述银凸块由包含钯(Pd)及金(Au)的银合金形成。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述银凸块由纯银形成。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述焊锡凸块由包含银(Ag)及铜(Cu)的锡合金形成。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述层间绝缘膜包括Low-k膜。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述阻挡层与所述银凸块之间存在种晶层。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述种晶层由铜膜形成。8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阻挡层由钛合金层形成。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件包括闪存器。10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备如下工序：在半导体基板上...

【专利技术属性】
技术研发人员：矢岛明，山田义明，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP