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本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在本发明的半导体装置中，以与焊盘电极ALP接触的方式形成有阻挡层BAL。作为阻挡层BAL，形成有包含钛膜与氮化钛膜的钛合金层。以与阻挡层BAL接触的方式形成有种晶层SED。作为种晶层SED，形成有铜膜。...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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