【技术实现步骤摘要】
一种二氧化钒薄膜及其制备方法和应用
本专利技术属于薄膜材料
，具体涉及一种二氧化钒薄膜，以及其制备方法和应用。
技术介绍
二氧化钒是一种具有相变性质的金属氧化物，其相变温度在68℃左右。常温下为绝缘体，晶体结构呈单斜相。68℃以上为金属，晶体结构呈金红石相。相变前后二氧化钒的电学和光学性质都发生比较大的变化，而且相变是可逆的。由于二氧化钒具有这些特性，它具有许多应用前景，比如智能窗户、晶体管、光存储、传感器、调制器等。现有技术中，制备二氧化钒薄膜的方法主要包括磁控溅射、脉冲激光沉积、溶胶凝胶等方法。磁控溅射法往往需要在溅射过程中对样品加热到较高温度，而且通入气体既有氩气也包含氧气，这增加了样品制备复杂性。脉冲激光沉积法对设备精度要求高，适合小规模研发，不适合大规模产业化。溶胶凝胶法制备成本低，但薄膜均匀性不好而且厚度不好控制。尽管这些方法都可以制备出二氧化钒薄膜，但已有的这些方法制备出来的二氧化钒薄膜在可见光波段相变前后光学性质变化很小，这也限制二氧化钒在可见光波段的应用。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出一种二氧化钒薄膜制备方法，首先通过电子束蒸发...
【技术保护点】
1.一种二氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，包括：采用电子束蒸发在衬底上制备钒薄膜，镀膜时，气压控制在2×10‑5Torr范围内，制得钒薄膜；将制得的钒薄膜进行氧气退火处理，退火时，氧气压强控制在8～12Pa，退火温度为430～470℃；退火后冷却到室温，得到二氧化钒薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种二氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，包括：采用电子束蒸发在衬底上制备钒薄膜，镀膜时，气压控制在2×10-5Torr范围内，制得钒薄膜；将制得的钒薄膜进行氧气退火处理，退火时，氧气压强控制在8～12Pa，退火温度为430～470℃；退火后冷却到室温，得到二氧化钒薄膜。2.如权利要求1所述的二氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，电子束蒸发镀膜时，气压为1×10-5Torr范围内。3.如权利要求1所述的二氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，电子束蒸发镀膜时，镀膜速率控制在镀膜时间控制在600～1500秒。4.如权利要求1所述的二氧化钒薄膜制备方法，其特征在于，退火时间不小于60分钟。5.如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：彭茹雯，束方洲，范仁浩，王牧，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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