有机薄膜晶体管及其制备方法技术

一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上制备有机半导体层、叉指电极层、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；将该蒸发源与待镀表面相对且间隔设置，并向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号或电信号，使该有机半导体层源材料蒸发，在该待镀表面上蒸镀形成该有机半导体层。

【技术实现步骤摘要】
有机薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFT)是一种半导体层由有机材料构成的薄膜晶体管，具有重量轻、具有柔性、低制造成本等诸多特点，目前已经被用于电子纸、传感器和记忆体中，并且在柔性显示器和集成电路中表现出应用潜力。有机半导体层可以通过旋涂和刻蚀形成在绝缘基底表面，然而，有机半导体材料对光刻工艺中的溶剂较为敏感，增加了制备难度。传统的薄膜晶体管的半导体层可以通过蒸镀法形成，然而，为了形成均匀的有机半导体层，需要在待镀基底周围形成均匀的气态蒸镀材料。并且，由于难以控制气态蒸镀材料原子的扩散运动方向，大部分蒸镀材料都不能附着在待镀基底表面，从而造成蒸镀率低且蒸镀速度慢等问题。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供一种能够解决上述问题的有机薄膜晶体管及其制备方法。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上制备有机半导体层、叉指电极层、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上制备有机半导体层、叉指电极层、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：S1，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；S2，将该蒸发源与该待镀表面相对且间隔设置，加热该碳纳米管膜结构使该有机半导体层源材料蒸发，在该待镀表面上蒸镀形成该有机半导体层。

【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在基底上制备有机半导体层、叉指电极层、栅极及绝缘层的步骤，该制备有机半导体层的步骤包括：S1，提供一蒸发源，该蒸发源包括碳纳米管膜结构及有机半导体层源材料，该碳纳米管膜结构为一载体，该有机半导体层源材料设置在该碳纳米管膜结构表面，通过该碳纳米管膜结构承载，该有机半导体层源材料为有机半导体层的材料或者用于形成该有机半导体层的前驱体，该前驱体在蒸镀的过程中反应生成该有机半导体层；S2，将该蒸发源与该待镀表面相对且间隔设置，加热该碳纳米管膜结构使该有机半导体层源材料蒸发，在该待镀表面上蒸镀形成该有机半导体层。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该待镀表面为该叉指电极层的表面、该基底的表面、该绝缘层的表面中的一个。3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在该基底表面形成叉指电极层，在该基底表面形成该叉指电极层包括以下步骤：清洗该基底；在该基底上蒸镀叉指电极薄膜；在所述叉指电极薄膜上设置掩膜进行光刻；去除掩膜形成叉指电极层。4.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该有机半导体层源材料通过溶液法、沉积法、蒸镀法、电镀法或化学镀法承载在该碳纳米管膜结构表面。5.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在该碳纳米管膜结构表面承载该有机半导体层源材料包括以下步骤：S21，将甲基碘化铵和碘化铅按照化学计量比均匀分散在有机溶剂中形成分散液；S22，将该分散液喷涂在该碳纳米管膜结构表面；以及S23，将该碳纳米管膜结构表面的有机溶剂蒸干。6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，该步骤S2进一步包括将该蒸发源及有机半导体层源材料设置在真空室中，在真空中向该碳纳米管膜结构输入所述电磁波信号或电信号的步骤。7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，当向该碳纳米管膜结构输入电磁波信号加热该碳纳米管膜结构时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏浩明，魏洋，姜开利，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11