The invention discloses an OFET tube drive based on a universal insulating layer, which comprises a gate (1), an insulating layer (2), an active layer (3), a source (4) and a drain (5), and an insulating layer (2) as a universal material PVP, covering a PVP layer (2) on a gate (1) surface and an active layer (3) on a PVP layer (2). The active layer (3) is a P-type active layer Pentance (31) and an N-type active layer F16CuPc (32). The surface of the insulating layer (2) is covered with Pentance and F16CuPc to form an ordered crystalline organic film. The invention comprises the following steps: 1. pretreatment of ITO substrate; 2. spin coating of insulating layer on substrate; 3. evaporation plating of Pentance and F16CuPc; 4. preparation of source and drain electrodes. The OFET tube drive of the invention improves the driving performance of the OFET tube, reduces the difficulty of preparing the OFET tube drive and simplifies the preparation process; realizes a kind of OFET tube drive which is stable in the air and has excellent performance. The method has wide application value in the fields of microelectronics and applied electronics.
【技术实现步骤摘要】
一种基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法
本专利技术涉及有机半导体器件,具体涉及基于普适绝缘层的OFET管驱动及其制备方法。
技术介绍
有机场效应晶体管((organicfieldeffecttransistor,OFET)因其轻便,柔软可折叠,低成本和制备工艺简单等诸多优势受到广泛关注。OFET管包括栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,目前,基于N型和P型OFET的柔性驱动器件仍存在不足之处。第一,大部分有机半导体材料对空气敏感,制备的器件稳定性差,在空气中迁移率会迅速降低,甚至无法显示出电学性质。第二,以SiO2作为绝缘层的硅基器件以其稳定的性能以及成熟的工艺等优势仍占领市场主要地位,但硅基器件无法实现真正意义上的柔性驱动,而传统的聚合物绝缘层PMMA因其薄膜界面较粗糙,在PMMA界面上结晶有源层无法获得有序晶体状有机薄膜,因此制备的基于PMMA为绝缘层的OFET管驱动性能较差。
技术实现思路
针对现有OFET管存在的问题,本专利技术所要解决的技术问题就是提供一种基于普适绝缘层的OFET管驱动,本专利技术使用了在空气中呈现出良好的载流子传输特征P型有机半导体材料Pentacene和N型有机半导体材料F16CuPc作为有源层,同时还使用了一种薄面界面粗糙度较低的聚合物材料PVP作为绝缘层,实现一种同时满足在空气中稳定且性能优良的OFET管驱动。本专利技术还提供该OFET管驱动的制备方法。为了解决上述技术问题,本专利技术提供一种基于普适绝缘层的OFET管驱动,它包括栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极,绝缘层为PVP,有源层分别为P型有源层Pentance和N ...
【技术保护点】
1.一种基于普适绝缘层的OFET管驱动,包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5),其特征是:绝缘层(2)为一种普适材料PVP,在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2),在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32),在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc,形成为有序晶体状有机薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种基于普适绝缘层的OFET管驱动,包括栅极(1)、绝缘层(2)、有源层(3)、源极(4)和漏极(5),其特征是:绝缘层(2)为一种普适材料PVP,在栅极(1)表面上覆盖PVP层(2),在PVP层(2)上覆盖有源层(3)。有源层(3)为P型有源层Pentance(31)和N型有源层F16CuPc(32),在绝缘层(2)表面上覆盖Pentance和F16CuPc,形成为有序晶体状有机薄膜。2.根据权利要求1所述的基于普适绝缘层的OFET管驱动,其特征是:所述的绝缘层材料为PVP,P型有源层材料为Pentance,N型有源层材料为F16CuPc。3.一种制备权利要求1所述OFET管驱动的方法,其特征是,包括以下步骤:步骤1、ITO基片的预处理:用镀有ITO的玻璃基片作为衬底,ITO作为栅极;将切割好的ITO基片分别置于清洗液、去离子水、氯仿、丙酮和异丙醇中各超声清洗,用氮气枪吹干基片后用紫外臭氧清洗,再将基片...
【专利技术属性】
技术研发人员:周建林,倪尧,周鑫,余江鹏,甘平,王志皓,王凡城,周唐奇,
申请(专利权)人:重庆大学,
类型:发明
国别省市:重庆,50
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。