有机薄膜晶体管及其制作方法技术

技术编号:19241579 阅读:38 留言:0更新日期:2018-10-24 04:39
本发明专利技术公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法,有机薄膜晶体管包含基板、疏水层、氧化层、亲水层、半导体层与源极或漏极层。疏水层覆盖基板的表面。氧化层位于疏水层上,且氧化层具有多个区段。亲水层位于氧化层的区段上,且氧化层位于亲水层与疏水层之间。半导体层位于亲水层上,且亲水层位于半导体层与氧化层之间。源极或漏极层跨接于氧化层的区段上的半导体层上。有机薄膜晶体管的亲水层不需经过光阻涂布、曝光、显影与蚀刻等步骤,便可将亲水层图案化,使得亲水层不会接触到光阻而被破坏。在后续工艺中,具有亲水性的半导体层将不会因图案化亲水层的步骤而影响其排列。

【技术实现步骤摘要】
有机薄膜晶体管及其制作方法
本案是关于一种有机薄膜晶体管及一种有机薄膜晶体管的制作方法。
技术介绍
在现有技术中,有机薄膜晶体管工艺可采用溶液工艺来制作。例如以特定的溶液先涂布于基板,待此溶液固化后,经由光阻涂布、显影、蚀刻等工艺来图案化固化后的溶液。固化后的溶液可能具有亲水性或疏水性。一般的溶液工艺在进行亲水性与疏水性材料的图案化时,由于会经过包含曝光与显影的光微影(Photolithography)工艺,因此具有亲水性的薄膜表面会接触到光阻。如此一来,亲水性薄膜可能会于图案化的过程中被光阻破坏,进而在后续工艺中,对亲水性自组装单分子膜(Self-assemblymonolayer;SAM)的排列造成影响。
技术实现思路
本专利技术的一目的为提供一种有机薄膜晶体管,该有机薄膜晶体管的亲水层不需经过光阻涂布、曝光、显影与蚀刻等步骤,便可将亲水层图案化,使得亲水层不会接触到光阻而被破坏。在后续工艺中,具有亲水性的半导体层将不会因图案化亲水层的步骤而影响其排列。根据本专利技术一实施方式,一种有机薄膜晶体管包含基板、疏水层、氧化层、亲水层、半导体层与源极或漏极层。疏水层覆盖基板的表面。氧化层位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机薄膜晶体管,其特征在于,包含:基板;疏水层,覆盖所述基板的表面;氧化层,位于所述疏水层上,且所述氧化层具有多个区段;亲水层,位于所述氧化层的所述多个区段上,其中所述氧化层位于所述亲水层与所述疏水层之间;半导体层,位于所述亲水层上,其中所述亲水层位于所述半导体层与所述氧化层之间;以及源极或漏极层,跨接于所述氧化层的所述多个区段上的所述半导体层上。

【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管,其特征在于,包含:基板;疏水层,覆盖所述基板的表面;氧化层,位于所述疏水层上,且所述氧化层具有多个区段;亲水层,位于所述氧化层的所述多个区段上,其中所述氧化层位于所述亲水层与所述疏水层之间;半导体层,位于所述亲水层上,其中所述亲水层位于所述半导体层与所述氧化层之间;以及源极或漏极层,跨接于所述氧化层的所述多个区段上的所述半导体层上。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述氧化层的所述多个区段的长度方向大致平行。3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述源极或漏极层的长度方向大致垂直所述半导体层的长度方向。4.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述氧化层的所述多个区段的相邻两者之间具有沟槽,且所述疏水层从所述沟槽裸露。5.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述疏水层的材质包含聚甲基三乙氧基硅烷。6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述氧化层的材质包含硅的氧化物。7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述亲水层的材质包含苯硫酚。8.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述源极或漏极层的材质包含铝。9.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管,其特征在于,所述基板的材质包含硅或硅的氧化物。10.一种有机薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:形成疏水层覆盖基板的表面;在所述疏水层上形成图案化的氧化层,使得所述氧化层具有多个区段;将具有所述氧...

【专利技术属性】
技术研发人员:冉晓雯蔡娟娟陈俊智刘洪铨李宗玹陈蔚宗
申请(专利权)人:元太科技工业股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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