底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法技术

一种底部发光型微发光二极管显示器，包含微发光二极管，设于透明基板上；导光层围绕微发光二极管，用以将微发光二极管所产生的光线控制导向透明基板；及反射层，形成于导光层上，用以反射微发光二极管所产生的光线使其向下发射，且局限微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。

【技术实现步骤摘要】
底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法
本专利技术是有关一种微发光二极管，特别是关于一种底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法。
技术介绍
微发光二极管(microLED、mLED或μLED)显示面板为平板显示器(flatpaneldisplay)的一种，其是由尺寸等级为1～10微米的个别精微(microscopic)发光二极管所组成。相较于传统液晶显示面板，微发光二极管显示面板具较大对比度及较快反应时间，且消耗较少功率。微发光二极管与有机发光二极管(OLED)虽然同样具有低功耗的特性，但是，微发光二极管因为使用三-五族二极管技术(例如氮化镓)，因此相较于有机发光二极管具有较高的亮度(brightness)、较高的发光效能(luminousefficacy)及较长的寿命。在制造微发光二极管显示面板时，必须使用静电(electrostatic)力、磁力或真空吸力吸取个别的微发光二极管并转移而接合(bond)至显示面板。在进行微发光二极管的吸取转移与接合时，实务上会有少量单独的微发光二极管未被正常吸取、释放，或者微发光二极管本身有功能缺陷而无法正常操作。当微发光二极管接合于显示面板的基板后，若发现其功能缺陷或无法正常操作，很难予以修补。一般需进行局部破坏以进行修补，但制程复杂且耗时。因此，亟需提出一种简易快速的方法以修补微发光二极管显示器。
技术实现思路
鉴于上述，本专利技术实施例的目的之一在于提出一种底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法。微发光二极管显示器的修补方法不须使用破坏性机制而能快速便利进行微发光二极管显示器的修补。根据本专利技术实施例，底部发光型微发光二极管显示器包含透明基板、微发光二极管、导光层及反射层。微发光二极管设于透明基板上。导光层围绕微发光二极管，用以将微发光二极管所产生的光线控制导向透明基板。反射层形成于导光层上，用以反射微发光二极管所产生的光线使其向下发射，且局限微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。所述的底部发光型微发光二极管显示器，更包含选择电极，设于该透明基板上，电性连接至该微发光二极管的第一电极。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该微发光二极管为垂直型微发光二极管。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该反射层作为共电极，并电性连接至该微发光二极管的第二电极。所述的底部发光型微发光二极管显示器，更包含绝缘层，设于该透明基板上，该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明基板，且该选择电极设于该暴露的透明基板上。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该微发光二极管为覆晶型微发光二极管。所述的底部发光型微发光二极管显示器，更包含：绝缘层，设于该透明基板与该选择电极上；及导电层，设于该绝缘层上，该导电层电性连接至该选择电极；其中该微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该导电层。所述的底部发光型微发光二极管显示器，更包含共电极，设于该微发光二极管与该透明基板之间，并电性连接至该微发光二极管的第二电极。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该透明基板包含玻璃。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该导光层包含折射系数大于1.4的透光材质。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该导光层包含聚合物。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该反射层包含导电物质。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该反射层包含金属。根据本专利技术实施例的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，提供透明基板，其具有原始区域及修补区域。形成第一导电层，因而在透明基板的原始区域之上形成选择电极，该选择电极往修补区域延伸具有延伸电极部。设置垂直型的原始微发光二极管于选择电极上，使得原始微发光二极管的第一电极接合且电性连接于选择电极。全面形成第一导光层于透明基板、选择电极、延伸电极部与原始微发光二极管上。蚀刻第一导光层以暴露出原始微发光二极管的第二电极及修补区域的透明基板。形成第二导电层，因而形成共电极于原始区域的第一导光层上，以电性连接至原始微发光二极管的第二电极，且修补区域的暴露的透明基板的顶面也形成有第二导电层，其中修补区域的延伸电极部与第二导电层互有重叠。当原始微发光二极管经功能测试通过，则执行以下步骤:全面形成第二导光层于共电极、第一导光层及修补区域的第二导电层上；蚀刻第二导光层以暴露出共电极，并形成上电极于第二导光层上，用以电性连接共电极。当原始微发光二极管经功能测试未通过，则执行以下步骤:设置垂直型的修补微发光二极管于修补区域的暴露的透明基板之上的第二导电层上，使得修补微发光二极管的第一电极接合且电性连接于暴露的透明基板之上的第二导电层；将互相重叠的第二导电层与延伸电极部熔接使其互相电性连接；全面形成第二导光层于修补微发光二极管、原始区域的共电极及第一导光层上；及蚀刻第二导光层以暴露出共电极及修补微发光二极管的第二电极，并形成上电极于第二导光层上，用以电性连接共电极及修补微发光二极管的第二电极。所述的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，其中互相重叠的该第二导电层与该延伸电极部的熔接使用激光焊接技术来执行。所述的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，其中该修补区域的暴露的透明基板相邻于该延伸电极部。所述的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，在形成该选择电极前，更包含全面形成绝缘层于该透明基板上，该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明基板，且该选择电极设于该暴露的透明基板上。根据本专利技术另一实施例的底部发光型微发光二极管显示器，包含透明基板、选择电极、垂直型的原始微发光二极管、第一导光层、共电极、第二导电层、垂直型的修补微发光二极管、第二导光层和上电极。透明基板具有原始区域及修补区域，选择电极形成于该透明基板的原始区域之上，该选择电极往该修补区域延伸具有延伸电极部，垂直型的原始微发光二极管设置于该选择电极上，使得该原始微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该选择电极，第一导光层形成于该透明基板、该选择电极、该延伸电极部与该原始微发光二极管上，该第一导光层未覆盖该修补区域的暴露的透明基板，共电极形成于该原始区域的第一导光层上，以电性连接至该原始微发光二极管的第二电极，第二导电层形成于该修补区域的暴露的透明基板的顶面，其中该修补区域的该延伸电极部与该第二导电层互有重叠，且经熔接而互相电性连接，垂直型的修补微发光二极管设置于该修补区域的暴露的透明基板之上的第二导电层上，使得该修补微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该暴露的透明基板之上的第二导电层，第二导光层形成于该修补微发光二极管、该原始区域的共电极及该第一导光层上，上电极形成于该第二导光层上，用以电性连接该共电极及该修补微发光二极管的第二电极。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该修补区域的暴露的透明基板相邻于该延伸电极部。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该透明基板包含玻璃。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该第一导光层及该第二导光层包含折射系数大于1.4的透光材质。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该第一导光层及该第二导光层包含聚合物。所述的底部发光型微发光二极管显示器，其中该共电极及该上电极包含金属。所述的底部发光型微发光二极管显示器，更包含绝缘层，全面形成于该透明基板上，该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种底部发光型微发光二极管显示器，包含:透明基板；微发光二极管，设于该透明基板上；导光层，围绕该微发光二极管，用以将该微发光二极管所产生的光线控制导向该透明基板；及反射层，形成于该导光层上，用以反射该微发光二极管所产生的光线使其向下发射，且局限该微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。

【技术特征摘要】
2017.05.03 TW 1061146911.一种底部发光型微发光二极管显示器，包含:透明基板；微发光二极管，设于该透明基板上；导光层，围绕该微发光二极管，用以将该微发光二极管所产生的光线控制导向该透明基板；及反射层，形成于该导光层上，用以反射该微发光二极管所产生的光线使其向下发射，且局限该微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。2.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含选择电极，设于该透明基板上，电性连接至该微发光二极管的第一电极。3.根据权利要求2所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该微发光二极管为垂直型微发光二极管。4.根据权利要求3所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该反射层作为共电极，并电性连接至该微发光二极管的第二电极。5.根据权利要求3所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含绝缘层，设于该透明基板上，该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明基板，且该选择电极设于该暴露的透明基板上。6.根据权利要求2所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该微发光二极管为覆晶型微发光二极管。7.根据权利要求6所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含：绝缘层，设于该透明基板与该选择电极上；及导电层，设于该绝缘层上，该导电层电性连接至该选择电极；其中该微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该导电层。8.根据权利要求6所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，更包含共电极，设于该微发光二极管与该透明基板之间，并电性连接至该微发光二极管的第二电极。9.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该透明基板包含玻璃。10.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该导光层包含折射系数大于1.4的透光材质。11.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该导光层包含聚合物。12.根据权利要求1所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该反射层包含导电物质。13.根据权利要求12所述的底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，其中该反射层包含金属。14.一种底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，其特征在于，包含:提供透明基板，其具有原始区域及修补区域；形成第一导电层，因而于该透明基板的原始区域之上形成选择电极，该选择电极往该修补区域延伸具有延伸电极部；设置垂直型的原始微发光二极管于该选择电极上，使得该原始微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该选择电极；全面形成第一导光层于该透明基板、该选择电极、该延伸电极部与该原始微发光二极管上；蚀刻该第一导光层以暴露出该原始微发光二极管的第二电极及该修补区域的透明基板；形成第二导电层，因而形成共电极于该原始区域的第一导光层上，以电性连接至该原始微发光二极管的第二电极，且该修补区域的暴露的透明基板的顶面也形成有该第二导电层，其中该修补区域的该延伸电极部与该第二导电层互有重叠；当该原始微发光二极管经功能测试通过，则执行以下步骤:全面形成第二导光层于该共电极及该第一导光层上；蚀刻该第二导光层以暴露出该共电极，并形成上电极于该第二导光层上，用以电性连接该共电极；当该原始微发光二极管经功能测试未通过，则执行以下步骤:设置垂直型的修补微发光二极管于该修补区域的暴露的透明基板之上的第二导电层上，使得该修补微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该暴露的透明基板之上的第二导电层；将互相重叠的该第二导电层与该延伸电极部熔接使其互相电性连接；全面形成该第二导光层于该修补微发光二极管、该原始区域的共电极及该第一导光层上；及蚀刻该第二导光层以暴露出该共电极及该修补微发光二极管的第二电极，并形成该上电极于该第二导光层上，用以电性连接该共电极及该修补微发光二极管的第二电极。15.根据权利要求14所述的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，其特征在于，其中互相重叠的该第二导电层与该延伸电极部的熔接使用激光焊接技术来执行。16.根据权利要求14所述的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，其特征在于，其中该修补区域的暴露的透明基板相邻于该延伸电极部。17.根据权利要求14所述的底部发光型微发光二极管显示器的修补方法，其特征在于，在形成该选择电极前，更包含全面形成绝缘层于该透明基板上，该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明基板，且该选择电极设于该暴露的透明基板上。18.一种底部发光型微发光二极管显示器，其特征在于，包含:透明基板，其具有原始区域及修补区域；选择电极，形成于该透明基板的原始区域之上，该选择电极往该修补区域延伸具有延伸电极部；垂直型的原始微发光二极管，设置于该选择电极上，使得该原始微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该选择电极；第一导光层，形成于该透明基板、该选择电极、该延伸电极部与该原始微发光二极管上，该第一导光层未覆盖该修补区域的暴露的透明基板；共电极，形成于该原始区域的第一导光层上，以电性连接至该原始微发光二极管的第二电极；第二导电层，形成于该修补区域的暴露的...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴炳升，吴昭文，
申请(专利权)人：启端光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71