一种Micro LED彩色显示阵列结构制造技术

本实用新型专利技术涉及LED灯技术领域，尤其是指一种Micro LED彩色显示阵列结构，包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，与传统的Micro LED相比，本实用新型专利技术在每个亚像素上均设置有电极寻址模块，驱动电路基板可根据指令精准的控制每个亚像素，实现彩色发光，本实用新型专利技术的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素依次呈阵列式排布于透明衬底上部，发光效果良好，并且有效的减少了LED灯的体积，还有在生产的过程中，容易运转，有效的减少了不良品的产生。

A Micro LED color display array structure

The utility model relates to the technical field of LED lamps, in particular to a micro LED color display array structure, which comprises a transparent substrate, a red sub-pixel, a green sub-pixel, a blue sub-pixel, a cathode structure, an anode structure and a drive circuit substrate. The red sub-pixel, the green sub-pixel and the blue sub-pixel all have bands. Compared with the traditional Miero LED, the utility model has an electrode addressing module on each sub-pixel, and the driving circuit substrate can accurately control each sub-pixel according to instructions to realize color luminescence. The red sub-pixel, green sub-pixel and blue sub-pixel of the utility model are arranged in array in turn. Arranged on the top of transparent substrate, the luminous effect is good, and effectively reduce the volume of LED lamps, and in the production process, easy to operate, effectively reducing the production of defective products.

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLED彩色显示阵列结构
本技术涉及LED灯
，尤其是指一种MicroLED彩色显示阵列结构。
技术介绍
随着可穿戴设备的快速发展，出现了微发出二极管技术(MicroLED)，微发出二极管技术是将LED微缩化和矩阵化，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，但是目前的MicroLED一般为单色的，还有部分的彩色MicroLED，但是这些彩色的MicroLED的阵列设置复杂，需要将不同颜色的MicroLED批量、多次的转运至电路基板上，转运的技术难点大，很难实现精准的控制，导致产生的次品较多，无法批量生产。
技术实现思路
本技术针对现有技术的问题提供一种方便控制的MicroLED彩色显示阵列结构。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案：本技术提供的一种MicroLED彩色显示阵列结构，包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，所述电极寻址模块与所述驱动电路板电连接，所述红色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端、所述蓝色亚像素的一端分别与所述阴极结构连接，所述红色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端、所述蓝色亚像素的另一端分别与所述阳极结构连接，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素依次呈阵列式排布于所述透明衬底上部，所述驱动电路基板的两端分别与所述阴极结构、所述阳极结构连接。作为优选，所述红色亚像素包括第一键合层、第一N型半导体、第一量子阱和第一P型半导体，所述第一键合层、所述第一N型半导体、所述第一量子阱、所述第一P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述红色亚像素的一端设置有第一阳极、另一端设置有第一阴极，所述第一阳极与所述阳极结构连接，所述第一阴极与所述阴极结构连接。作为优选，所述红色亚像素的第一阳极电压大小范围为1.5V-2.3V，所述红色亚像素的第一阴极接地。作为优选，所述第一量子阱的制成材料采用AlGaInP，其中Al与Ga的，摩尔组分比例小于1.06:1。作为优选，所述红色亚像素还包括第一DBR层和第一钝化层，所述第一DBR层和所述第一钝化层依次设置于所述第一P型半导体底部，其中第一DBR层适用的材料采用AlGaA或GaAs，所述第一钝化层的适用的材料为SiO2。作为优选，所述蓝色亚像素、所述绿色亚像素包括第二键合层、第二N型半导体、第二量子阱、第二P型半导体，所述第二N型半导体、所述第二量子阱和所述第二P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述蓝色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端均设置有第二阳极，所述蓝色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端设置有第二阴极，所述第二阳极与所述阳极结构连接，所述第二阴极与所述阴极结构连接。作为优选，所述第二量子阱的材料采用氮化铟镓，其中，氮化铟镓中的铟原子的摩尔比大于等于0.3。作为优选，所述绿色亚像素和所述蓝色亚像素的还包括第二钝化层，所述第二钝化层的材料为SiO2。作为优选，所述蓝色亚像素的第二阳极的、所述绿色亚像素的第三阳极的电压大小范围均为3.0V-3.5V，所述蓝色亚像素的第二阴极的、所述绿色亚像素的第三阴极的接地。作为优选，所述透明衬底的材质使用蓝宝石材质制成。本技术的有益效果：本技术提供的一种MicroLED彩色显示阵列结构，包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，与传统的MicroLED相比，本技术在每个亚像素上均设置有电极寻址模块，驱动电路基板可根据指令精准的控制每个亚像素，实现彩色发光，本技术的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素依次呈阵列式排布于透明衬底上部，发光效果良好，并且有效的减少了LED灯的体积，还有在生产的过程中，容易运转，有效的减少了不良品的产生。附图说明图1为本技术的结构图。图2为本技术的所述红色亚像素的结构剖面图。图3为本技术的所述绿色亚像素/蓝色亚像素的结构剖面图。附图标记分别为：透明衬底--1，红色亚像素--2，绿色亚像素--3，蓝色亚像素--4，阴极结构--5、阳极结构--6，第一键合层--8，第一N型半导体--9，第一量子阱--10，第一P型半导体--11，第一阴极--12，第一阳极--13，第一DBR层--14，第一钝化层--15，第二N型半导体-16，第二P型半导体--17，第二量子阱--18，反射层--19，第二阳极--20，第二阴极--21，第二钝化层--22。具体实施方式为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例与附图对本技术作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本技术的限定。以下结合附图对本技术进行详细的描述。如图1所示，本技术提供的一种MicroLED彩色显示阵列结构，包括透明衬底1、红色亚像素2、绿色亚像素3、蓝色亚像素4、阴极结构5、阳极结构6和驱动电路基板，所述红色亚像素2、所述绿色亚像素3、所述蓝色亚像素4均带有电极寻址模块，电极寻址模块与驱动电路基板电连接；所述红色亚像素2的一端、所述绿色亚像素3的一端、所述蓝色亚像素4的一端分别与所述阴极结构5连接，所述红色亚像素2的另一端、所述绿色亚像素3的另一端、所述蓝色亚像素4的另一端分别与所述阳极结构6连接，所述红色亚像素2、所述绿色亚像素3、所述蓝色亚像素4依次呈阵列式排布于所述透明衬底1上部，所述驱动电路基板的两端分别与所述阴极结构5、所述阳极结构6连接，与传统的MicroLED相比，本技术在每个亚像素上均设置有电极寻址模块，驱动电路基板可根据指令精准的控制每个亚像素，实现彩色发光，本技术的红色亚像素2、绿色亚像素3、蓝色亚像素4依次呈阵列式排布于透明衬底1上部，发光效果良好，并且有效的减少了LED灯的体积，还有在生产的过程中，容易运转，有效的减少了不良品的产生。如图1、2所示，本实施例中，所述红色亚像素2包括第一键合层8、第一N型半导体9、第一量子阱10和第一P型半导体11，所述第一键合层8、所述第一N型半导体9、所述第一量子阱10、所述第一P型半导体11在所述透明衬底1上依次连接，所述红色亚像素2的一端设置有第一阴极12、另一端设置有第一阳极13，所述第一阳极13与所述阳极结构6连接，所述第一阴极12与所述阴极结构5连接，为保证红色亚像素2发光的正常，所述红色亚像素2的第一阴极12电压大小范围为1.5V-2.3V，所述红色亚像素2的第一阳极13接地。本实施例中，所述第一量子阱10的制成材料采用AlGaInP，其中Al与Ga的摩尔组分比例小于1.06:1。本实施例中，所述红色亚像素2还包括第一DBR层14和第一钝化层15，所述第一DBR层14和所述第一钝化层15依次设置于所述第一P型半导体11底部，其中第一DBR层14为AlGaAs或GaAs，所述第一钝化层15的采用的材料为SiO2，第一DBR层14和第一钝化层15可有效的保证红色亚像素2发光的色彩饱和度。如图1、3，本实施例中，所述蓝色亚像素4和所述绿色亚像素3均包括第二N型半导体16、第二量子阱18、第二P型半导体17，所述第二N型半导体16、所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED彩色显示阵列结构，其特征在于：包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，所述电极寻址模块与所述驱动电路板电连接，所述红色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端、所述蓝色亚像素的一端分别与所述阴极结构连接，所述红色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端、所述蓝色亚像素的另一端分别与所述阳极结构连接，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素依次呈阵列式排布于所述透明衬底上部，所述驱动电路基板的两端分别与所述阴极结构、所述阳极结构连接。

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED彩色显示阵列结构，其特征在于：包括透明衬底、红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素、阴极结构、阳极结构和驱动电路基板，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素均带有电极寻址模块，所述电极寻址模块与所述驱动电路板电连接，所述红色亚像素的一端、所述绿色亚像素的一端、所述蓝色亚像素的一端分别与所述阴极结构连接，所述红色亚像素的另一端、所述绿色亚像素的另一端、所述蓝色亚像素的另一端分别与所述阳极结构连接，所述红色亚像素、所述绿色亚像素、所述蓝色亚像素依次呈阵列式排布于所述透明衬底上部，所述驱动电路基板的两端分别与所述阴极结构、所述阳极结构连接。2.根据权利要求1所述的一种MicroLED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述红色亚像素包括第一键合层、第一N型半导体、第一量子阱和第一P型半导体，所述第一键合层、所述第一N型半导体、所述第一量子阱、所述第一P型半导体在所述透明衬底上依次连接，所述红色亚像素的一端设置有第一阳极、另一端设置有第一阴极，所述第一阳极与所述阳极结构连接，所述第一阴极与所述阴极结构连接。3.根据权利要求2所述的一种MicroLED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述红色亚像素的第一阳极电压大小范围为1.5V-2.3V，所述红色亚像素的第一阴极接地。4.根据权利要求2所述的一种MicroLED彩色显示阵列结构，其特征在于：所述第一量子阱的制成材料采用AlGaInP，其中Al与Ga的，摩尔组分比例小于1.06:1。5.根据权利要求2所述的一种MicroLED彩...

【专利技术属性】
技术研发人员：张利新，宋旭东，许文才，马建设，虞炎林，刘彤，
申请(专利权)人：广东迅扬科技股份有限公司，清华大学深圳研究生院，
类型：新型
国别省市：广东,44