金属连线间形成空气隙的方法和金属连线结构技术

本发明专利技术提供一种金属连线间形成空气隙的方法和金属连线结构，该方法包括以下步骤：提供金属层间介质层；在所述金属层间介质层上形成金属层；刻蚀所述金属层形成相互间隔的多条金属连线；刻蚀金属层间介质层形成沟槽，所述沟槽的深度小于所述金属层间介质层的厚度，覆盖所述金属层依次沉积富硅氧化物、等离子体增强正硅酸乙酯和掺氟的二氧化硅或者依次沉积等离子体增强正硅酸乙酯和未掺氟的二氧化硅，以在所述金属连线间形成金属连线间介质层和空气隙。本发明专利技术能够改善金属连线侧壁的填充形貌，避免金属连线间发生短路现象。

【技术实现步骤摘要】
金属连线间形成空气隙的方法和金属连线结构
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种金属连线间形成空气隙的方法和金属连线结构。
技术介绍
在半导体器件的制造
中，金属连线间的寄生电容除了取决于金属间距、金属厚度和连线宽度之外，还受金属连线间的介质的介电常数的影响。在金属刻蚀之后填充的介质材料，通常为二氧化硅，其介电常数介于3.2-4.0之间。随着工艺节点的进步，金属连线的线宽和间距越来越小，金属连线之间的寄生电容也越来越大，对电路性能的影响也随之增大。而金属线的厚度和连线之间的最小距离受工艺节点所限，一般不能够任意变动。所以要实现更小的寄生电容，需要改变填充介质材料，以便得到较低的介电常数。在已知的物质中，干燥空气的介电常数最低，可以借助在金属连线间形成空气隙的方式来降低金属间介质的整体介电系数。由于金属连线间的寄生电容主要来自于在金属之间的隔离区域，边缘金属形成的电容只占很少的比例。因此，只需要在工艺制造过程中将空气隙形成于金属连线之间，其高度超过金属连线高度即可。请参考图1，在0.2微米以上的射频开关等半导体器件的制造工艺中形成空气隙的方法，包括以下步骤：步骤01，提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属连线间形成空气隙的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属层间介质层；在所述金属层间介质层上形成金属层；刻蚀所述金属层形成相互间隔的多条金属连线；刻蚀所述金属层间介质层形成沟槽，所述沟槽的深度小于所述金属层间介质层的厚度；覆盖所述金属层依次沉积富硅氧化物、等离子体增强正硅酸乙酯和掺氟的二氧化硅或者依次沉积等离子体增强正硅酸乙酯和未掺氟的二氧化硅，以在所述金属连线间形成金属连线间介质层和空气隙。

【技术特征摘要】
1.一种金属连线间形成空气隙的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供金属层间介质层；在所述金属层间介质层上形成金属层；刻蚀所述金属层形成相互间隔的多条金属连线；刻蚀所述金属层间介质层形成沟槽，所述沟槽的深度小于所述金属层间介质层的厚度；覆盖所述金属层依次沉积富硅氧化物、等离子体增强正硅酸乙酯和掺氟的二氧化硅或者依次沉积等离子体增强正硅酸乙酯和未掺氟的二氧化硅，以在所述金属连线间形成金属连线间介质层和空气隙。2.如权利要求1所述的金属连线间形成空气隙的方法，其特征在于，所述金属层间介质层为二氧化硅，所述金属层为铝。3.如权利要求1所述的金属连线间形成空气隙的方法，其特征在于，沉积所述等离子体增强正硅酸乙酯的厚度为至4.如权利要求1所述的金属连线间形成空气隙的方法，其特征在于，采用等离子体增强型化学气相沉积法沉积所述掺氟的二氧化硅或者未掺氟的二氧化硅。5.如权利要求1所述的金属连线间形成空气隙的方法，其特征在于，所述空气隙的底部低于所述金属连线的底部，所述空气隙的顶部高于所述金属连线...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙玉红，吴建荣，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31