用于晶圆/晶粒堆叠的修正晶粒制造技术

本发明专利技术的装置和技术的代表性实作为晶圆至晶圆堆叠或晶粒堆叠中有缺陷的晶粒提供修正。修正晶粒耦合至包括有缺陷的晶粒的堆叠中的晶粒。修正晶粒在电性上替代了有缺陷的晶粒。可选地，虚设晶粒可耦合至晶圆至晶圆堆叠中的其他晶粒堆叠，以调整堆叠的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于晶圆/晶粒堆叠的修正晶粒
技术介绍
现今持续要求在有限覆盖区内要有更大的存储器密度。虽然技术进步缩小了存储器装置的大小，但是各种应用和消费者市场仍缩小了存储器装置可占据的区域，并且限制了它们可能消耗的电量。这种情况的一个解决方案包括垂直地堆叠存储器装置晶粒。举例而言，存储器晶粒可堆叠在另一个的顶部上以使多个晶粒占据单一个晶粒的面积。堆叠晶粒可在更小外形因素和更少电力使用的情况下带来更大的存储器频宽。根据包括高频宽存储器(HBM)和混合式存储器立方体(HMC)配置的各种技术，2、4或至多8个动态随机存取存储器(DRAM)晶粒可被垂直堆叠，并且亦可包括存储器控制器以(举例而言)作为基底层(baselayer)。在各种方法中，可利用直通硅晶穿孔(TSV)、微凸块或其他互连/通信方案来互连堆叠的存储器晶粒。存储器晶粒的三维堆叠可(举例而言)替代电路板上的单一个存储器晶粒。然而，实施这些堆叠的存储器配置会有各种挑战。举例而言，一些堆叠技术可能是复杂的和/或昂贵的。另外，即便使用高产量的技术，量产制造制程通常也不能完全消除缺陷。每批制造的存储器晶粒有一定的百分比包括有缺陷的晶粒。含有至少一个有缺陷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微电子组件，其包括：在晶粒堆叠中耦合的多个半导体晶粒，所述晶粒堆叠中所述晶粒的数量经预选以包括比所述晶粒堆叠的预定容量所要的数量多至少一个额外的晶粒，在所述晶粒堆叠中至少一个所述晶粒是不运作的晶粒、被组态为不作使用的晶粒或仅用以在所述晶粒堆叠中与两个其他晶粒电性耦合在一起的晶粒。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.29 US 15/057,0831.一种微电子组件，其包括：在晶粒堆叠中耦合的多个半导体晶粒，所述晶粒堆叠中所述晶粒的数量经预选以包括比所述晶粒堆叠的预定容量所要的数量多至少一个额外的晶粒，在所述晶粒堆叠中至少一个所述晶粒是不运作的晶粒、被组态为不作使用的晶粒或仅用以在所述晶粒堆叠中与两个其他晶粒电性耦合在一起的晶粒。2.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述晶粒堆叠中所述晶粒的所述数量包括奇数数量，并且偶数数量的晶粒用于资料存储器功能。3.根据权利要求1所述的微电子组件，其中被组态为不作使用的至少一个所述晶粒包括虚设晶粒。4.根据权利要求3所述的微电子组件，其中所述虚设晶粒被设置为在所述晶粒堆叠中最顶部的晶粒。5.根据权利要求1所述的微电子组件，其中当所述不运作的晶粒被设置在所述晶粒堆叠中的晶粒之间或被设置为所述晶粒堆叠中的最底部的晶粒时，所述不运作的晶粒包括不起作用的晶粒。6.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述不运作的晶粒包括已知可运作的晶粒、已知不可运作的晶粒、已知有缺陷的晶粒或重组晶圆的一部分。7.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述晶粒堆叠中至少一个晶粒被组态为修正晶粒以补偿所述晶粒堆叠中不运作的晶粒。8.根据权利要求7所述的微电子组件，其中所述修正晶粒执行所述不运作的晶粒的全部电子功能。9.根据权利要求1所述的微电子组件，其中所述多个半导体晶粒经由表面安装技术或直接接合互连技术被耦合在所述晶粒堆叠中。10.一种微电子配置，其包括：在晶圆至晶圆堆叠中耦合的多个半导体晶圆，每一个晶圆包括多个晶粒，所述晶圆被对准以使每一个晶圆中的所述多个晶粒耦合以形成多个晶粒堆叠，每一个晶粒堆叠沿着大致上横向于至少一个所述晶圆的平面的轴对准；以及一或多个额外的晶粒，其耦合至一或多个晶粒堆叠中的晶粒以形成一或多个修改堆叠，每一个所述修改堆叠中所述多个晶粒中的一或多个晶粒和所述一或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：贝尔格森·哈巴，
申请(专利权)人：英帆萨斯公司，
类型：发明
国别省市：美国,US