【技术实现步骤摘要】
芯片及键合垫的形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种芯片及键合垫的形成方法。
技术介绍
集成电路芯片测试和封装过程中，芯片需要与外部测试单元连接从而对芯片的功能进行测试，芯片上有由顶层金属铝刻蚀制成的铝键合垫，用来测试的探针与铝键合垫接触，继而将芯片内部的电信号传输到外部。现有技术的芯片的键合垫的一种结构如图1，形成铝键合垫的一个方法为，在内层金属层110上沉积第一钝化层120，根据将要形成的键合垫的位置和大小对第一钝化层120进行刻蚀，刻蚀完成之后，再在第一钝化层120和内层金属层110上面沉积铝形成垫金属层130，之后再对垫金属层130进行刻蚀形成铝键合垫，铝键合垫与内层金属层110连接，从而将内层金属层110与外部测试电路连通。然而，铝金属刻蚀形成的铝键合垫在后续测试和封装过程中容易被探针穿透，导致内层金属层110铜裸露，而铜裸露出来可能产生可靠性的问题，甚至可能导致芯片报废。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种芯片和键合垫的形成方法，可以使得键合垫被探针穿透时，不会漏出内层金属，从而减少可靠性的问题发生，减少芯片报废的几率。为了达到上...
【技术保护点】
1.一种键合垫的形成方法，其特征在于，所述键合垫的形成方法包括：形成一内层金属层于一衬底上；形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。
【技术特征摘要】
1.一种键合垫的形成方法，其特征在于，所述键合垫的形成方法包括：形成一内层金属层于一衬底上；形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。2.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，形成所述图案化的第一钝化层于所述内层金属层上的步骤包括：形成一第一钝化层于所述内层金属层上；刻蚀所述第一钝化层以形成所述图案化的第一钝化层，所述图案化的第一钝化层具有一沟槽，所述沟槽暴露出所述内层金属层的部分。3.如权利要求2所述的键合垫的形成方法，其特征在于，所述沟槽呈环形。4.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，形成所述键合垫于所述图案化的第一钝化层上的步骤包括：形成一垫金属层于所述图案化的第一钝化层上，所述垫金属层还填充所述沟槽并与暴露出的所述内层金属层连接；对所述垫金属层进行刻蚀，暴露出部分所述图案化的第一钝化层以形成填充所述沟槽并延伸覆盖部分所述图案化的第一钝化层的键合垫。5.如权利要求1所述的键合垫的形成方法，其特征在于，在形成所述键合垫之后，所述键合垫的形...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超然，周俊，李赟，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42
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