【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本揭露是关于一种半导体装置,特别是关于一种半导体结构、半导体装置的制造方法以及设计布局的方法。
技术介绍
在集成电路(IntegratedCircuit,IC)装置完成制程后,IC装置是被封装,以利用在例如印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)上,做为大型电路的一部分。接触衬垫(也可当作连接衬垫)是形成在内连接结构上,且是暴露在半导体晶片的表面上。电性连接是透过接触衬垫形成,以连接半导体晶片至封装基材或其他晶片。在一些例示中,接触衬垫是用以引线接合(wirebonding)或覆晶接合(flip-chipbonding)。在晶圆级尺寸封装(waferlevelchipscalepackaging,WLCSP)中,利用后钝化内连接(postpassivationinterconnect,PPI)以连接接触衬垫及凸块底层金属(under-bumpmetallurgy,UBM)结构。
技术实现思路
本揭露的一态样是关于一种半导体装置的制造方法。方法包含形成第一接触衬垫及第二接触衬垫在第一钝化层上、沉积第一缓冲层在第一接触衬垫及第二接 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包含:形成一第一接触衬垫及一第二接触衬垫在一第一钝化层上,其中该第一接触衬垫是在一电路区域内,且该第二接触衬垫是在一非电路区域内;沉积一第一缓冲层在该第一接触衬垫及该第二接触衬垫上,其中该第二接触衬垫的一边缘是被暴露,且该第一接触衬垫的一周围及该第二接触衬垫的另一边缘是被该第一缓冲层覆盖;以及沉积一第二缓冲层在该第一缓冲层及该第二接触衬垫上。
【技术特征摘要】
2017.04.26 US 62/490,326;2017.07.06 US 15/642,8371.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包含:形成一第一接触衬垫及一第二接触衬垫在一第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:葛贝夫·辛格,李智铭,林其谚,郭文昌,刘洲宗,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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