用于制造电子组件封装的方法技术

在制造电子组件封装的过程中，一种方法包括：在第一临时衬底上形成牺牲材料；将第二临时衬底施加到所述牺牲材料；以及接着固化所述牺牲材料。在固化之后，移除所述第二临时衬底。所述牺牲层的顶表面由所述第二临时衬底限定。在移除之后，在所述顶表面上形成重布结构。在所述形成所述重布结构之后，将电子组件施加到所述重布结构。囊封所述电子组件以形成囊封板。移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料。将所述板单分成多个电子组件封装。

【技术实现步骤摘要】
用于制造电子组件封装的方法
本专利技术涉及一种用于制造电子组件封装的方法。
技术介绍
电子组件封装包括一个或多个电子组件，例如半导体管芯或囊封于囊封体中的独立电子组件，所述囊封体允许组件用于系统(例如电子系统，例如计算机、电话、笔记本电脑、或利用装置的其它系统，例如汽车、电器、机器人设备等)中。封装可包括用于向组件提供通信信号线和电源的外端(例如引线、垫片、凸块)。一些电子组件封装通过“芯片上”封装工艺形成，例如芯片上扇出型芯片级封装工艺。在芯片上工艺中，首先在衬底上形成重布结构。接着将电子组件附接到重布结构并随后囊封电子组件以形成囊封板。在移除了衬底之后，将板单分成多个电子组件封装。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种制造电子组件封装的方法，所述方法包括：将牺牲材料施加到第一临时衬底；将第二临时衬底施加到所述牺牲材料的顶侧；在所述第二临时衬底施加到所述顶侧时固化所述牺牲材料；在所述固化之后，从所述牺牲材料移除所述第二临时衬底，其中所述顶侧具有由所述第二临时衬底限定的顶表面；在所述移除之后，在所述牺牲材料的所述顶侧上形成重布结构，所述重布结构包括至少一个重布层；将多个电子组件附接到所述重布结构；在所述附接之后，囊封所述多个电子组件以形成包括所述重布结构的囊封板；在所述囊封之后从所述囊封板移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料；将所述囊封板单分成多个电子组件封装，所述多个中的每个电子组件封装包括所述多个电子组件中的至少一个电子组件。在一个或多个实施例中，所述形成所述重布结构包括在所述顶表面上形成第一层，其中所述第一层具有介于0.2到8微米的范围内的厚度。在一个或多个实施例中，所述牺牲材料到所述第二临时衬底的固化粘合剥落强度是0.5牛/25毫米或更小。在一个或多个实施例中，所述形成所述重布结构包括在所述顶表面上形成金属晶种层。在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：在形成所述金属晶种层之后，在所述金属晶种层上形成介电层，图案化所述介电层以形成多个开口来暴露所述金属晶种层，并且电镀所述多个开口中来自所述金属晶种层的导电材料以至少部分地填充所述多个开口。在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：在所述从所述囊封板移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料之后，移除所述金属晶种层，其中在所述图案化之后，所述介电层具有厚度，其中在所述单分之后，所述介电层的所述厚度的至少相当大部分保持与所述多个中的每个电子组件封装在一起。在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：在移除所述金属晶种层之后，将多个焊球附接到所述囊封板，其中所述多个电子组件封装中的每个电子组件封装包括所述多个焊球中的至少一个焊球，其中所述多个焊球中的每个焊球电耦合到所述多个开口中的开口中的电镀导电材料。在一个或多个实施例中，所述介电层具有介于3到8微米的范围内的厚度。在一个或多个实施例中，所述方法进一步包括：在所述移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料之后和在所述单分之前，将多个焊球附接到所述囊封板，其中所述多个电子组件封装中的每个电子组件封装包括所述多个焊球中的至少一个焊球。在一个或多个实施例中，所述固化包括以所施加的穿过所述第二临时衬底的UV辐射固化所述牺牲材料。在一个或多个实施例中，在将牺牲材料施加到第一临时衬底之前，所述方法包括将一层光热转换粘合剂施加到所述第一临时衬底的第一侧，其中所述牺牲材料施加于所述光热转换粘合剂层上。在一个或多个实施例中，所述从囊封板移除所述第一临时衬底和牺牲材料包括穿过所述第一临时衬底激光切除所述光热转换粘合剂层。在一个或多个实施例中，所述第一临时衬底和所述第二临时衬底都是由玻璃材料制成。在一个或多个实施例中，所述第二临时衬底具有第一侧，所述第一侧具有平面表面且至少一个凹楷在所述平面表面中，其中所述牺牲材料的所述顶侧在所述固化之后具有由所述第二临时衬底的所述第一侧限定的顶表面，且所述至少一个凹槽由于所述固化而在所述顶侧上形成至少一个对应的延伸结构。在一个或多个实施例中，所述第二临时衬底具有第一侧，所述第一侧具有平面表面且至少一个延伸部来自所述平面表面，其中所述牺牲材料的所述顶侧在所述固化之后具有由所述第二临时衬底的所述第一侧限定的顶表面，且所述至少一个延伸部由于所述固化而在所述顶侧中形成至少一个对应凹槽。在一个或多个实施例中，所述牺牲材料表征为UV固化树脂。在一个或多个实施例中，在所述移除所述第二临时衬底之后，所述顶表面的无特征区域具有1纳米或更小的粗糙度(Ra)。根据本专利技术的第二方面，提供一种制造电子组件封装的方法，所述方法包括：将牺牲材料施加到第一玻璃载体；将第二玻璃载体施加到所述牺牲材料的顶侧；在所述第二玻璃载体施加到所述顶侧时以穿过所述第二玻璃载体的UV辐射固化所述牺牲材料；在所述固化之后，从所述牺牲材料移除所述第二玻璃载体，其中所述顶侧具有由所述第二玻璃载体限定的顶表面；在所述移除之后，在所述牺牲材料的所述顶侧上形成重布结构，所述重布结构包括至少一个重布层；将多个电子组件附接到所述重布结构；在所述附接之后，囊封所述多个电子组件以形成包括所述重布结构的囊封板；在所述囊封之后从所述囊封板移除所述第一玻璃载体和所述牺牲材料；将所述囊封板单分成多个电子组件封装，所述多个电子组件封装中的每个电子组件封装包括所述多个电子组件中的至少一个电子组件。在一个或多个实施例中，在所述移除所述第二玻璃载体之后，所述顶表面的无特征区域具有1纳米或更小的粗糙度(Ra)。在一个或多个实施例中，在将牺牲材料施加到第一玻璃载体之前，所述方法包括将一层光热转换粘合剂施加到所述第一玻璃载体的第一侧，其中所述牺牲材料施加于所述光热转换粘合剂层上。本专利技术的这些和其它方面将根据下文中所描述的实施例显而易见，且参考这些实施例予以阐明。附图说明通过参考附图，可以更好地理解本专利技术，并且使得本领域的技术人员清楚本专利技术的多个目的、特征和优点。图1到9阐述根据本专利技术的一个实施例的形成电子组件封装中的各个阶段的剖视侧视图。图10到13阐述根据本专利技术的另一个实施例的形成电子组件封装中的各个阶段的剖视侧视图。除非另外指出，否则在不同图式中使用相同参考符号指示相同的物件。附图不一定按比例绘制。具体实施方式下文阐述用于执行本专利技术的模式的详细描述。描述旨在示出本专利技术，且不应被视为限制性的。在用于制造电子组件封装的工艺中，一种方法包括：在第一临时衬底上形成牺牲材料；将第二临时衬底施加到所述牺牲材料；以及接着固化所述牺牲材料。在固化之后，移除所述第二临时衬底。所述牺牲层的所述顶表面由所述第二临时衬底的表面限定。在移除之后，在所述顶表面上形成重布结构。在所述形成所述重布结构之后，将电子组件施加到所述重布结构。囊封所述电子组件以形成囊封板。在从所述囊封板移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料之后，将所述板单分成多个电子组件封装。在一个实施例中，提供一种用于形成电子组件封装的工艺可允许提供更光滑的表面来形成重布结构的工艺，所述形成工艺包括：在固化之前将第二临时衬底施加到所述牺牲材料以限定所述牺牲材料的所述顶表面。在一些实施例中，由于所述牺牲材料的属性，可易于从固化的临时材料移除第二临时衬底以提供可在上面形成重布结构的层的具有最小缺陷的平面表面。图1是示出根据本专利技术的一个实施例的电子组件封本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造电子组件封装的方法，其特征在于，所述方法包括：将牺牲材料施加到第一临时衬底；将第二临时衬底施加到所述牺牲材料的顶侧；在所述第二临时衬底施加到所述顶侧时固化所述牺牲材料；在所述固化之后，从所述牺牲材料移除所述第二临时衬底，其中所述顶侧具有由所述第二临时衬底限定的顶表面；在所述移除之后，在所述牺牲材料的所述顶侧上形成重布结构，所述重布结构包括至少一个重布层；将多个电子组件附接到所述重布结构；在所述附接之后，囊封所述多个电子组件以形成包括所述重布结构的囊封板；在所述囊封之后从所述囊封板移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料；将所述囊封板单分成多个电子组件封装，所述多个中的每个电子组件封装包括所述多个电子组件中的至少一个电子组件。

【技术特征摘要】
2017.04.26 US 15/497,2591.一种制造电子组件封装的方法，其特征在于，所述方法包括：将牺牲材料施加到第一临时衬底；将第二临时衬底施加到所述牺牲材料的顶侧；在所述第二临时衬底施加到所述顶侧时固化所述牺牲材料；在所述固化之后，从所述牺牲材料移除所述第二临时衬底，其中所述顶侧具有由所述第二临时衬底限定的顶表面；在所述移除之后，在所述牺牲材料的所述顶侧上形成重布结构，所述重布结构包括至少一个重布层；将多个电子组件附接到所述重布结构；在所述附接之后，囊封所述多个电子组件以形成包括所述重布结构的囊封板；在所述囊封之后从所述囊封板移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料；将所述囊封板单分成多个电子组件封装，所述多个中的每个电子组件封装包括所述多个电子组件中的至少一个电子组件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述牺牲材料到所述第二临时衬底的固化粘合剥落强度是0.5牛/25毫米或更小。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成所述重布结构包括在所述顶表面上形成金属晶种层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括：在形成所述金属晶种层之后，在所述金属晶种层上形成介电层，图案化所述介电层以形成多个开口来暴露所述金属晶种层，并且电镀所述多个开口中来自所述金属晶种层的导电材料以至少部分地填充所述多个开口。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，进一步包括：在所述从所述囊封板移除所述第一临时衬底和所述牺牲材料之后，移除所述金属晶种层，其中在所述图案化之后，所述介电层具有厚度，其中在所述单分之后，所述介电层的所述厚度的至少相当大部分保持与所述多个中的每个电子组件封装在一起。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，进一步包括：在移除所述金属晶种层之后，将多个焊球附接到所述囊封板，其中所述多个电子组件封装中...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿兰·J·马格纳斯，杰弗里·林恩·魏贝切特，詹森·R·赖特，科利·格雷格·兰普莱，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US