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本发明提供了一种芯片及键合垫的形成方法，所述键合垫的形成方法包括：形成一内层金属层于一衬底上；形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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