【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
本专利技术涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质。
技术介绍
作为半导体装置(器件)的制造工序的一个工序，存在进行对基板(晶圆)例如供给含硅的原料、氮化气体、氧化气体等反应剂，在基板上形成氮化膜、氧化膜等膜的工序、供给蚀刻气体而除去预定的膜的工序等基板处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平8－139084号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，在进行上述那样的基板处理的情况下，就电阻加热加热器、灯加热器等加热装置而言，由于加热装置自身需要避免被成膜、蚀刻等，因此多是设于基板处理空间的外部，有时无法将热能充分地向基板传递，难以进行均匀的基板处理。本专利技术的目的在于提供能够进行均匀的基板处理的基板处理技术。解决课题的手段根据本专利技术的一个方案，提供如下技术，其具有：保持基板的基板保持具；对所述基板进行处理的处理室；设于所述处理室内且供给对所述基板进行处理的处理气体的气体供给部；放射对所述处理室内进行加热的热能的加热装置；设于所述处理室内且吸收从所述加热装置放射的热能而放射与所述热能不同的波长...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：保持基板的基板保持具；对所述基板进行处理的处理室；设于所述处理室内，且供给对所述基板进行处理的处理气体的气体供给部；设于所述处理室外，且放射对所述处理室内进行加热的热能的加热装置；以及设于所述处理室内，且吸收从所述加热装置放射出的热能，并至少放射与所述热能不同的波长的热能的辐射部件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：保持基板的基板保持具；对所述基板进行处理的处理室；设于所述处理室内，且供给对所述基板进行处理的处理气体的气体供给部；设于所述处理室外，且放射对所述处理室内进行加热的热能的加热装置；以及设于所述处理室内，且吸收从所述加热装置放射出的热能，并至少放射与所述热能不同的波长的热能的辐射部件。2.根据权利要求1所述的基板处置装置，其特征在于，所述辐射部件以覆盖所述基板保持具的基板载置区域的侧面的方式设置于所述处理室内。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，所述辐射部件由以沿着所述处理室内的内壁的方式弯曲成圆弧状的板状部件构成，且在所述板状部件形成有切口。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述加热装置放射的热能包含红外线，所述辐射部件放射的热能包含远红外线。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有控制部，该控制部构成为以所述辐射部将所述基板表面加热为预定的温度的方式对所述加热装置的输出进行控制。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述辐射部件构成为在所述基板载置区域的侧面覆盖...
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