The utility model discloses a bearing structure and a system for growing nitride single crystals by flux method. The bearing structure comprises a seed crystal bearing body and a supporting mechanism, the seed crystal bearing body can be elevated and lowered to be arranged in a reaction vessel for nitride single crystal growth by flux method, the seed crystal bearing body is fixed and connected with a supporting mechanism, and the supporting mechanism is driven and connected with a driving mechanism. Compared with the prior art, the utility model can conveniently and quickly adjust the position of the seed crystal during the liquid phase epitaxy growth process of the nitride single crystal prepared by the flux method by setting a simple load-bearing structure matched with the reaction vessel of the nitride single crystal, so that the seed crystal epitaxy interface is always in a suitable pass in the melt. The continuous growth of high quality liquid phase epitaxial nitride single crystals is achieved in the saturation region.
【技术实现步骤摘要】
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统
本技术涉及一种氮化物单晶的制备系统,特别涉及一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的原料承载结构及系统。
技术介绍
助熔剂法(NaFluxmethod)生长氮化镓(GaN)单晶技术是目前国际上公认的获得高质量、大尺寸氮化镓体单晶的生长方法之一。由于生长体系所用的氮源为外部提供的氮气或氨气,因此,在气液界面处氮源浓度最高,且随着熔液深度增加,氮源浓度呈递减趋势。这就易导致在气液界面处形成大量多晶,消耗氮源,从而使氮源无法传输至坩埚底部籽晶生长区域或降低坩埚底部区域氮源浓度,这都不利于坩埚底部籽晶外延生长。目前有效的控制方法之一是通过添加碳添加剂来抑制气液界面处多晶形成,提高氮源向下传输的效率。通常籽晶外延生长需要体系内氮源浓度达到一定的过饱和度,过高的过饱和度易在籽晶外延界面形成过量自发成核单晶,从而导致外延界面处产生大量岛合并孔洞、包埋物或合并晶界;过低的过饱和度易导致外延界面生长过缓,产生氮空位等缺陷,因此,只有在较为合适的过饱和度区域内,才能获得结晶质量较好的外延单晶。此外,通常用于生长的籽晶均静置于坩埚底部,随着外延晶体生长厚度的不断增加,外延表面逐渐向气液界面靠近,一旦进入过高的过饱和度区域,后续生长的晶体质量将下降,且生长界面可能失衡,阻断后续外延生长。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统,以克服现有技术中的不足。为实现前述专利技术目的,本技术采用的技术方案包括:本技术实施例提供了一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构,其包括籽晶承载体和支撑机构,所述籽晶承载体可 ...
【技术保护点】
1.一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构,其特征在于包括籽晶承载体和支撑机构,所述籽晶承载体可升降地设置于助熔剂法生长氮化物单晶的反应容器内,所述籽晶承载体与支撑机构固定连接,所述支撑机构与驱动机构传动连接。
【技术特征摘要】
1.一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构,其特征在于包括籽晶承载体和支撑机构,所述籽晶承载体可升降地设置于助熔剂法生长氮化物单晶的反应容器内,所述籽晶承载体与支撑机构固定连接,所述支撑机构与驱动机构传动连接。2.根据权利要求1所述的承载结构,其特征在于:所述支撑机构一端穿入所述反应容器内并与籽晶承载体固定连接,另一端设于所述反应容器外部。3.根据权利要求2所述的承载结构,其特征在于:所述支撑机构与反应容器之间密封配合。4.根据权利要求1-3中任一项所述的承载结构,其特征在于:所述支撑机构为杆状。5.根据权利要求1-3中任一项所述的承载结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘宗亮,徐科,任国强,王建峰,
申请(专利权)人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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