半导体激光器装置制造方法及图纸

半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向出射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体激光器装置
本专利技术的实施方式涉及半导体激光器装置。
技术介绍
在使用量子级联激光器作为太赫兹波的光源时，通过电子的子带间跃迁，能够进行30GHz～30THz的激光振荡。在将端面发光型量子级联激光器作为光源时，需要使从端面扩展而射出的激光成为平行光的准直透镜，激光器装置的外形变大。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009－231773号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题提供能够高效率地射出平面波的太赫兹波的半导体激光器装置。用于解决课题的手段实施方式的半导体激光器装置具有有源层、第一层和表面金属膜。上述有源层层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁而射出太赫兹波的激光。上述第一层设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格(lattice)的方式设置有多个凹坑(pit)。上述表面金属膜设置在上述第一层之上，具有多个开口部。各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的。上述激光穿过上述多个开口部向与上述有源层大致垂直的方向射出。附图说明图1是第一实施方式的半导体激光器装置的示意立体图。图2是第一实施方式的半导体激光器装置的表面金属膜的示意平面图。图3是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器装置，其中，具备：有源层，层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光；第一层，设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑；以及表面金属膜，设置在上述第一层之上，设有多个开口部，各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的，上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向射出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.15 JP 2016-0516711.一种半导体激光器装置，其中，具备：有源层，层叠有多个量子阱层，能够通过子带间跃迁射出太赫兹波的激光；第一层，设置在上述有源层之上，具有第一面，该第一面上以构成二维的栅格的方式设置有多个凹坑；以及表面金属膜，设置在上述第一层之上，设有多个开口部，各个凹坑相对于与上述栅格的边平行的线是非对称的，上述激光穿过上述多个开口部，向与上述有源层大致垂直的方向射出。2.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，上述第一层的上述栅格由凹坑构成，该凹坑具有将上述第一层中的规定区域从上述第一面朝向深度方向切下后的形状。3.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，上述开口部构成二维的栅格。4.如权利要求2所述的半导体激光器装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：山根统，斋藤真司，角野努，金子桂，桥本玲，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本,JP