半导体激光器及其加工方法技术

一种半导体激光器(100)及其加工方法，能够提高调制带宽。该半导体激光器(100)包括：谐振腔(110)和有源层(120)，该谐振腔(110)包括上反射镜层(111)和下反射镜层(112)，在该半导体激光器(100)的上反射镜层(111)或该下反射镜层(112)中的至少一层设置有至少两个凹部(114)，该至少两个凹部(114)在该水平面的投影位于第一轴线上，该解理面(113)与该第一轴线的两个交点之间的距离LV是根据该有源层(120)发射的光束的波长λ和自由光谱宽度FSR确定的，该至少两个凹部(114)中的任意一个凹部(114)与该解理面(113)的最短距离L1是根据距离LV和氧化孔(130)的半径Ro确定的，以使该有源层(120)在平行于第一轴线方向发射的、到达该解理面(113)后反射的第一光束与该有源层(120)在平行于该第一轴线方向发射的第二光束产生光子共振。

Semiconductor laser and its processing method

A semiconductor laser (100) and its processing method can improve the modulation bandwidth. \u8be5\u534a\u5bfc\u4f53\u6fc0\u5149\u5668(100)\u5305\u62ec\uff1a\u8c10\u632f\u8154(110)\u548c\u6709\u6e90\u5c42(120)\uff0c\u8be5\u8c10\u632f\u8154(110)\u5305\u62ec\u4e0a\u53cd\u5c04\u955c\u5c42(111)\u548c\u4e0b\u53cd\u5c04\u955c\u5c42(112)\uff0c\u5728\u8be5\u534a\u5bfc\u4f53\u6fc0\u5149\u5668(100)\u7684\u4e0a\u53cd\u5c04\u955c\u5c42(111)\u6216\u8be5\u4e0b\u53cd\u5c04\u955c\u5c42(112)\u4e2d\u7684\u81f3\u5c11\u4e00\u5c42\u8bbe\u7f6e\u6709\u81f3\u5c11\u4e24\u4e2a\u51f9\u90e8(114)\uff0c\u8be5\u81f3\u5c11\u4e24\u4e2a\u51f9\u90e8(114)\u5728\u8be5\u6c34\u5e73\u9762\u7684\u6295\u5f71\u4f4d\u4e8e\u7b2c\u4e00\u8f74\u7ebf\u4e0a\uff0c\u8be5\u89e3\u7406\u9762(113)\u4e0e\u8be5\u7b2c\u4e00\u8f74\u7ebf\u7684\u4e24\u4e2a\u4ea4\u70b9\u4e4b\u95f4\u7684\u8ddd\u79bbLV\u662f\u6839\u636e\u8be5\u6709\u6e90\u5c42(120)\u53d1\u5c04\u7684\u5149\u675f\u7684\u6ce2\u957f\u03bb\u548c\u81ea\u7531\u5149\u8c31\u5bbd\u5ea6FSR\u786e\u5b9a\u7684\uff0c\u8be5\u81f3\u5c11\u4e24\u4e2a\u51f9\u90e8(114)\u4e2d\u7684\u4efb\u610f\u4e00\u4e2a\u51f9\u90e8(114)\u4e0e\u8be5\u89e3\u7406\u9762(113)\u7684\u6700\u77ed\u8ddd\u79bbL1\u662f\u6839\u636e\u8ddd\u79bbLV\u548c\u6c27\u5316\u5b54(130)\u7684\u534a\u5f84Ro\u786e\u5b9a\u7684\uff0c\u4ee5\u4f7f\u8be5\u6709\u6e90\u5c42(120)\u5728\u5e73\u884c\u4e8e\u7b2c\u4e00\u8f74\u7ebf\u65b9\u5411\u53d1\u5c04\u7684\u3001\u5230\u8fbe\u8be5\u89e3\u7406\u9762(113)\u540e\u53cd\u5c04\u7684 The first beam produces a photon resonance with the second beam that is transmitted in the direction of the first axis (120) in parallel to the direction of the first axis.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈健，胡菁，徐之光，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44