发光元件阵列和光传输装置制造方法及图纸

发光元件阵列和光传输装置。一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。

【技术实现步骤摘要】
发光元件阵列和光传输装置
本专利技术涉及发光元件阵列和光传输装置。
技术介绍
专利文献1公开了一种包括选择性氧化台面的表面发射半导体激光器。表面发射半导体激光器包括：基板；第一台面，其形成在基板上并具有发射激光的至少一个台面；以及第二台面，其形成在基板上并具有防止激光的发射的至少一个台面。现有技术文献专利文献专利文献1：JP-A-2005-252240
技术实现思路
发光元件阵列可包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在该发光元件阵列中，如果多个发光元件在从端子到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度，则从外部施加的电涌可能使具有最短路径长度的多个发光元件同时损坏。本专利技术的目的在于提供一种发光元件阵列和光传输装置，其与多个发光元件在从端子到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的情况相比，从外部施加的电涌使多个发光元件同时损坏的可能性降低。根据本专利技术的第一方面，一种发光元件阵列包括通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件。在从端子沿着电流的路径到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。根据本专利技术的第二方面，在第一方面的发光元件阵列中，所述多个发光元件的数量为三。具有最短路径长度的发光元件的数量为一。根据本专利技术的第三方面，在第一方面的发光元件阵列中，所述多个发光元件的数量为四。具有最短路径长度的发光元件的数量为四。根据本专利技术的第四方面，在第一至第三方面中的任一方面的发光元件阵列中，所述多个发光元件在从端子沿着所述电流的所述路径到各个发光元件的所述布线上全部具有不同的路径长度。根据本专利技术的第五方面，第一至第四方面中的任一方面的发光元件阵列还包括调控区域。该调控区域形成在所述多个发光元件中所包括的发光元件之间。该调控区域被配置为调控流向发光元件的所述电流的所述路径。在通过调控区域调控的所述电流的所述路径上最靠近端子的发光元件的数量为一。根据本专利技术的第六方面，在第一至第五方面中的任一方面的发光元件阵列中，所述多个发光元件中在从端子沿着所述电流的所述路径到其的布线上具有较短路径长度的发光元件的电流限制直径小于所述多个发光元件中在从端子沿着所述电流的所述路径到其的布线上具有较长路径长度的发光元件的电流限制直径。根据本专利技术的第七方面，一种光传输装置包括第一至第六方面中的任一方面的发光元件阵列。发光元件阵列被设置为使得从发光元件阵列发射的光进入被配置为传输光的光传输路径。根据本专利技术的第八方面，在第七方面的光传输装置中，光传输路径是芯直径为约100μm或更小的多模光纤。本专利技术的第一和第七方面具有这样的优点：与多个发光元件在从端子到各个发光元件的布线上的路径长度当中具有最短路径长度的情况相比，提供了一种发光元件阵列和光传输装置以使得从外部施加的电涌使多个发光元件同时损坏的可能性降低。本专利技术的第二方面具有这样的优点：如果发光元件的数量为三，则从外部施加的电涌使多个发光元件同时损坏的可能性降低。本专利技术的第三方面具有这样的优点：如果发光元件的数量为四，则从外部施加的电涌使多个发光元件同时损坏的可能性降低。本专利技术的第四方面具有这样的优点：与从端子的至少一些路径长度相同的情况相比，多个发光元件同时损坏的可能性降低。本专利技术的第五方面具有这样的优点：与不存在被配置为调控发光元件之间的电流路径的调控区域的情况相比，即使发光元件被密集地设置，多个发光元件同时损坏的可能性降低。本专利技术的第六方面具有这样的优点：与没有考虑从端子沿着电流路径到各个发光元件的布线的路径长度与电流限制直径之间的关系的情况相比，在较早阶段检测到由于ESD引起的劣化。本专利技术的第八方面具有这样的优点：当在使用芯直径为100μm或更小的多模光纤的光传输装置中从外部施加电涌时，多个发光元件同时损坏的可能性降低。附图说明将基于以下附图详细描述本专利技术的示例性实施方式，附图中：图1A是示出根据第一示例性实施方式的发光元件阵列的配置的示例的横截面图；图1B是发光元件阵列的平面图；图2是根据第一示例性实施方式的从发光区域中的发光单元的焊盘的路径长度的说明图；图3A至图3D是示出根据比较例的发光元件阵列的ESD耐压测试结果的发光单元的图像；图3E是示出根据比较例的发光元件阵列的各个发光单元的布置的平面图；图4A是示出根据比较例的发光元件阵列的作为ESD耐压测试结果的一部分的光输出特性的曲线图；图4B至图4E是示出根据比较例的发光元件阵列的作为ESD耐压测试结果的一部分的光谱特性的曲线图；图5A至图5F是示出根据第一示例性实施方式的发光元件阵列的制造方法的示例的横截面图；图6A、图6C、图6E、图6F、图6H和图6I是各自示出根据第一示例性实施方式的第一改型的发光区域中的发光单元的布置的示例的平面图；图6B、图6D和图6G是各自示出根据比较例的发光区域中的发光单元的布置的平面图；图7A和图7B是各自示出根据第一示例性实施方式的第二改型的发光区域中的发光单元的布置的示例的平面图；图8A和图8B是各自示出根据第一示例性实施方式的第三改型的发光区域中的发光单元的布置的示例的平面图；图9A是示出根据第二示例性实施方式的光传输装置的配置的示例的平面图；图9B是示出光传输装置的横截面图；图10A是示出根据第二示例性实施方式的光传输装置中的发光元件阵列与光纤的耦合状态的侧视图；以及图10B是示出耦合状态的平面图。具体实施方式以下，将参照附图详细描述用于实现本专利技术的示例性实施方式。[第一示例性实施方式]将参照图1A和图1B描述根据本示例性实施方式的发光元件阵列10的配置的示例。下面将描述垂直腔表面发射激光(VCSEL)阵列被应用于根据本示例性实施方式的发光元件阵列的示例。图1A是根据本示例性实施方式的发光元件阵列10的横截面图。图1B是发光元件阵列10的平面图。图1A所示的横截面图是在图1B所示的平面图中沿线A-A’截取的横截面图。作为一个示例，发光元件阵列10用在光传输装置的光发送机中。从发光元件阵列10发射的光耦合到光纤等的光传输路径。在本示例性实施方式中，多个VCSEL主要用于确保从光发送机发射的光的冗余。即，构成根据示例性实施方式的发光元件阵列的各个发光元件具有能够作为单个发光元件输出执行通信所需的光量的额定值，并且发光元件阵列配置有彼此并联连接的多个发光元件，以使得即使一个发光元件损坏，仍维持正常通信。通过这种配置，确保了冗余。应该注意，并不总是需要各个发光元件能够作为单个发光元件发射执行通信所需的光量。如图1A所示，发光元件阵列10形成为层叠结构。该层叠结构包括n侧电极布线30、形成在n型砷化镓(GaAs)基板12上的n型下分布布拉格反射器(DBR)14、有源层区域16、氧化物限制层26、p型上DBR18、层间绝缘膜20和p侧电极布线22。如图1B所示，发光元件阵列10包括发光区域40和p侧电极焊盘28。发光区域40是被配置成包括多个发光单元的VCSEL阵列的区域。在本示例性实施方式中，例如，提供按照台面形状形成的四个发光单元50-1、50-2、50-3和50-4(下面可统称为“发光单元50”)。各个发光单元的除了发射孔径之外的区域被p侧电极布线22覆盖，以使得各个发光单元彼此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光元件阵列，该发光元件阵列包括：通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件，其中，在从所述端子沿着所述电流的路径到所述多个发光元件中的各个发光元件的所述布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。

【技术特征摘要】
2016.11.16 JP 2016-2235451.一种发光元件阵列，该发光元件阵列包括：通过连接至被配置为供应电流的端子的布线彼此并联连接的多个发光元件，其中，在从所述端子沿着所述电流的路径到所述多个发光元件中的各个发光元件的所述布线上的路径长度当中具有最短路径长度的发光元件的数量为一。2.根据权利要求1的所述发光元件阵列，其中所述多个发光元件的数量为三，并且具有最短路径长度的所述发光元件的数量为一。3.根据权利要求1的所述发光元件阵列，其中所述多个发光元件的数量为四，并且具有最短路径长度的所述发光元件的数量为四。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光元件阵列，其中，所述多个发光元件在从所述端子沿着所述电流的所述路径到所述多个发光元件中的各个发光元件的所述布线上全部具有不同的路径长度。5.根据权利要求1至4中的任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：早川纯一朗，村上朱实，中山秀生，大塚勤，
申请(专利权)人：富士施乐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP