【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体模块以及半导体模块的制造方法
本专利技术涉及半导体模块以及半导体模块的制造方法,特别是涉及包括功率半导体元件在内的功率半导体模块以及功率半导体模块的制造方法。
技术介绍
半导体模块通常具有:具有导体图案的基板;具有与导体图案接合的背面和设置有表面电极的表面的半导体元件;以及与表面电极接合的接合线。上述基板、半导体元件和接合线通常由热硬化性树脂或者凝胶状树脂等密封材料密封。这样的半导体模块的一例记载于专利文献1(日本特开2009-302261号公报)。在专利文献1记载的半导体模块中,以从半导体芯片产生的热的扩散为目的,接合线与半导体元件的表面电极的接合部由热传导率高的覆盖层涂布。该覆盖层是通过蒸镀等而形成的铜(Cu)等。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2009-302261号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题专利文献1记载的半导体模块通过利用热传导率高的覆盖层对接合线与半导体元件的表面电极的接合部进行涂布,从而能够促进在半导体元件中产生的热的扩散。但是,专利文献1记载的覆盖层是通过蒸镀等而形成的Cu等。因此,专利文献1记载的覆盖层不利于半导体元件的表 ...
【技术保护点】
1.一种半导体模块,其中,该半导体模块具备:半导体元件,该半导体元件具有表面电极;接合线,该接合线具有与所述表面电极接合的接合部;第1密封构件,该第1密封构件对所述接合部进行密封,并具有第1弹性率;以及第2密封构件,该第2密封构件覆盖所述第1密封构件,并具有第2弹性率,所述第1弹性率比所述第2弹性率高,所述表面电极在所述接合部的周围具有凹部,在所述凹部填充有所述第1密封构件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.24 JP 2016-0331111.一种半导体模块,其中,该半导体模块具备:半导体元件,该半导体元件具有表面电极;接合线,该接合线具有与所述表面电极接合的接合部;第1密封构件,该第1密封构件对所述接合部进行密封,并具有第1弹性率;以及第2密封构件,该第2密封构件覆盖所述第1密封构件,并具有第2弹性率,所述第1弹性率比所述第2弹性率高,所述表面电极在所述接合部的周围具有凹部,在所述凹部填充有所述第1密封构件。2.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述凹部以在俯视时围绕所述接合部的方式形成。3.根据权利要求2所述的半导体模块,其中,所述凹部连续地形成。4.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述凹部具有开口、侧面和底,在俯视时,所述底或者所述侧面的至少一部分位于与所述开口相比远离所述接合部的位置。5.根据权利要求1所述的半导体模块,其中,所述第1密封构件的电导率比所述第2密封构件的电导率高。6.根据权利要求1所述的半导...
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