保护膜形成用复合片制造技术

本发明专利技术的保护膜形成用复合片具备支撑片、在所述支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具有所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，其中，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的表面粗糙度Ra小于所述支撑片的具备涂敷层的一侧表面的表面粗糙度Ra。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】保护膜形成用复合片
本专利技术涉及用于在半导体芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用复合片。本申请基于2016年3月4日在日本提出申请的日本特愿2016-042689号要求优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
近年来，已使用被称为所谓倒装(facedown)方式的安装法来进行半导体装置的制造。在倒装方式中，可使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，而所述电极与基板接合。因此，芯片的与电路面相反侧的背面有时会露出。在该露出的芯片的背面，有时形成由有机材料制成的树脂膜作为保护膜，并以带保护膜的半导体芯片的形式安装在半导体装置中。保护膜是为了防止在切割工序、封装之后在芯片上产生裂纹而利用的。在形成这样的保护膜时，使用在支撑片上具备保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片。作为上述支撑片，例如使用树脂制基材、基材及粘合剂层等的层叠结构体，上述基材的保护膜形成用膜或粘合剂层等的层叠面有时进行表面处理。对于上述保护膜形成用复合片而言，保护膜形成用膜具有保护膜形成能力，此外，支撑片能够作为切割片发挥功能，保护膜形成用膜与切割片可以形成为一体。在被用于支撑片的加工前的上述基材中，通常在其单面或两面具有凹凸形状。这是由于，如果不具有这样的凹凸形状，则在将基材卷取而形成卷时，会导致基材彼此间的接触面粘贴而发生粘连，从而变得使用困难。如果基材彼此间的接触面中至少一者具有凹凸形状，则接触面的面积减小，因此可抑制粘连。对于这样的使用了具有凹凸面的基材的以往的保护膜形成用复合片而言，代表性的具有图4所示那样的结构。图4是示意性地示出以往的保护膜形成用复合片的一例的剖面图。需要说明的是，在后文说明中所使用的附图中，例如为了更容易理解保护膜形成用复合片的特征，为了方便起见，有时对于作为要部的部分放大示出，并不限于各构成要素的尺寸比率等与实际相同的情况。这里所示的以往的保护膜形成用复合片9在支撑片90上具备保护膜形成用膜13而成，支撑片90由基材91及粘合剂层12的层叠结构体构成，并且在粘合剂层12上具备保护膜形成用膜13。保护膜形成用膜13通过固化而成为保护膜。保护膜形成用复合片9进一步在保护膜形成用膜13上具备剥离膜15，在使用保护膜形成用复合片9时，剥离膜15被去除。在保护膜形成用复合片9中，支撑片90的与具备保护膜形成用膜13的面(表面)90a相反侧的面(背面)90b、也就是基材91的与具备粘合剂层12的面(表面)91a相反侧的面(背面)91b成为了凹凸面。对于保护膜形成用复合片9而言，这样地通过基材91的背面91b成为了凹凸面，在卷取而成为卷时，可抑制粘连。即，可抑制层叠后的保护膜形成用复合片9彼此间的粘贴，更具体地，可抑制基材91的背面91b与剥离膜15的露出面(表面)15a的粘贴。另一方面，保护膜形成用复合片有时会在由保护膜形成用膜形成的保护膜的支撑片侧的面上通过照射激光来进行印字(以下，有时称为“激光印字”)。激光印字时，从支撑片的与形成了保护膜一侧的相反侧进行照射。此时，例如，在保护膜形成用复合片9的情况下，从基材91的背面91b侧透过支撑片90对保护膜照射激光，但由于基材91的背面91b为凹凸面，在此光会发生漫反射，存在激光印字不清晰这样的问题。作为能够防止这样的光的漫反射的保护膜形成用复合片，已知有具有图5所示那样结构的保护膜形成用复合片8(例如参照专利文献1)。图5是示意性地示出以往的保护膜形成用复合片的另一例的剖面图。这里所示的以往的保护膜形成用复合片8与保护膜形成用复合片9同样地在支撑片80上具备保护膜形成用膜13，支撑片80由基材81及粘合剂层12的层叠结构体构成，并且在粘合剂层12上具备保护膜形成用膜13。但是，在支撑片80中，基材81的凹凸面的配置与支撑片90中的基材91相反。即，在保护膜形成用复合片8中，基材81的具备粘合剂层12的面(表面)81a成为了凹凸面，基材81的与表面81a相反侧的面(背面)81b成为了平滑面。支撑片80中的基材81、保护膜形成用膜13及剥离膜15分别与支撑片90中的基材91、保护膜形成用膜13及剥离膜15相同。但是，在保护膜形成用复合片8的情况下，基材81的背面81b、也就是支撑片80的与具备粘合剂层12的面(表面)80a相反侧的面(背面)80b成为了平滑面，在将保护膜形成用复合片8卷取而成为卷时，无法抑制基材81的背面81b与剥离膜15的露出面(表面)15a的粘贴、即无法抑制粘连。发生粘连时，保护膜形成用复合片8上产生褶皱、或者在将保护膜形成用复合片8从卷上连续抽出时，导致剥离膜15从保护膜形成用膜13上剥离。此外，在基材81的表面81a上，为了消除凹凸的形状，需要粘合剂层12具有足够的厚度。粘合剂层12的厚度不足时，基材81的凹凸形状得到反映而使得保护膜形成用膜13的支撑片80侧的面(背面)13b具有了凹凸形状，从而存在对由这样的保护膜形成用膜13形成的保护膜的支撑片侧的面实施的激光印字变得不清晰这样的问题。因此，实际情况是，目前为止，尚没有能够兼备可抑制粘连、及对保护膜清晰地激光印字的保护膜形成用复合片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第5432853号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术的课题在于，提供一种保护膜形成用复合片，其用于在半导体芯片的背面形成保护膜，该保护膜形成用复合片能够抑制粘连，并且可以对保护膜清晰地进行激光印字。解决问题的方法本专利技术提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、在所述支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具有所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的表面粗糙度Ra小于所述支撑片的具备涂敷层的一侧表面的表面粗糙度Ra。对于本专利技术的保护膜形成用复合片而言，使用进一步在所述保护膜形成用膜上具备剥离膜的所述保护膜形成用复合片，按照下述方法测得的所述剥离膜的剥离力可以为10mN/50mm以下，(剥离膜的剥离力的测定方法)将保护膜形成用膜上具有剥离膜且宽50mm、长100mm的所述保护膜形成用复合片按照所述涂敷层均朝向相同方向、且所述涂敷层的总厚度为10～60μm的方式叠合多张，由此形成一个最外层为涂敷层、另一个最外层为剥离膜的层叠体，将所述层叠体在所述保护膜形成用复合片的层叠方向施加了980.665mN的力并在40℃下静置3天，然后在所述层叠方向以剥离速度300mm/分、剥离角度180°的条件将最靠近所述最外层的涂敷层的剥离膜从相邻的涂敷层上剥离，测定此时的剥离力。对于本专利技术的保护膜形成用复合片而言，可以是上述支撑片由基材及粘合剂层层叠而成，上述保护膜形成用复合片是依次层叠上述涂敷层、基材、粘合剂层及保护膜形成用膜而成的。对于本专利技术的保护膜形成用复合片而言，上述粘合剂层可以是能量线固化性或非能量线固化性的粘合剂层。在本专利技术的保护膜形成用复合片中，上述保护膜形成用膜可以是热固性或能量线固化性的膜。专利技术的效果本专利技术的保护膜形成用复合片用于在半导体芯片的背面形成保护膜，通过使用该保护膜形成用复合片，可以抑制保护膜形成用复合片的粘连，并且可以对保护膜清晰地进行激光印字。附图说明图1是示意性地示出本专利技术的保护膜形成用复合片的一个实施方式的剖面图。图2是示意性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、在所述支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具备所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的表面粗糙度Ra小于所述支撑片的具备涂敷层的一侧表面的表面粗糙度Ra。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.04 JP 2016-0426891.一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片、在所述支撑片的一个表面上具备保护膜形成用膜、且在所述支撑片的与具备所述保护膜形成用膜的一侧相反侧的表面上具备涂敷层而成，所述涂敷层的与所述支撑片相接触的一侧相反侧的表面的表面粗糙度Ra小于所述支撑片的具备涂敷层的一侧表面的表面粗糙度Ra。2.根据权利要求1所述的保护膜形成用复合片，其中，使用进一步在所述保护膜形成用膜上具备剥离膜的所述保护膜形成用复合片，按照下述方法测得的所述剥离膜的剥离力为10mN/50mm以下，剥离膜的剥离力的测定方法：将保护膜形成用膜上具有剥离膜且宽50mm、长100mm的所述保护膜形成用复合片按照所述涂敷层均朝向相同方向、且所述涂敷层的总...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐伯尚哉，佐佐木辽，米山裕之，山本大辅，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP