存储器系统和用于数据存储的方法技术方案

一种存储器系统可以配置为进行从低储存密度区域到高储存密度区域的数据的立即折叠。可以监测低储存密度目标区域，并且当低储存密度目标区域的容量达到阈值水平时，低储存密度目标区域中储存的数据可以被折叠到相关联的高储存密度目标区域。存储器系统可以采用指针系统来管理数据的折叠。指针系统还可以用于读取操作，以便避免对于低储存密度和高储存密度区域两者都更新地址映射表。

【技术实现步骤摘要】
存储器系统中的使用单次地址更新的折叠操作
本申请涉及存储器系统。
技术介绍
存储器系统可以配置为根据不同储存密度，或每单元的位数在存储器的不同区域中储存数据。单级单元(SLC)可以配置为储存每单元一个位，并且多级单元(MLC)可以配置为储存每单元多个位。当存储器系统从主机系统接收数据时，数据可以初始地储存在为SLC数据储存器指定的存储器区域中。在经过某段时间之后，存储器系统可能决定将数据移动到为MLC数据储存器指定的不同存储器区域。将数据从SLC存储器区域移动到MLC存储器区域的此过程可以称为折叠操作。此外，存储器系统采用地址数据结构来识别数据在存储器中储存在何处。对于被折叠到MLC存储器区域的给定的数据集，存储器系统可以采用到与折叠的数据集相关联的地址数据结构的至少两次更新——第一更新，以识别数据集在SLC存储器区域中储存在何处；以及第二更新，以识别数据集在MLC存储器区域中储存在何处。另外，由于在数据被折叠到MLC存储器区域之前经过了某段时间，可以为SLC存储器区域指定相对大量的储存容量，以确保对于要初始地储存的数据存在足够量的SLC储存器。允许到地址数据结构的单次更新且减小SLC储存器区域的大小的将数据从SLC存储器区域折叠到MLC区域的方式可能是符合期望的。
技术实现思路
作为介绍，以下实施例涉及存储器系统和方法，用于识别特定存储器位置的响应与如BER模型所指示的预期或估计的响应相比的偏差。在一个实施例中，存储器和控制器。存储器包含第一存储器区域第二存储器区域，其中第一存储器区域包含比第二存储器区域更低的储存密度。控制器配置为：将要储存在第二存储器区域的储存位置中的数据集编程到第一存储器区域的储存位置中，其中第一存储器区域的储存位置和第二存储器区域的储存位置在储存容量上相等。响应于全部数据集被储存在第一存储器区域的储存位置中，在第二存储器区域的储存位置上进行写入操作的初始时段，以将数据集储存在第二存储器区域的储存位置中。在一些实施例中，控制器配置为等待进行写入操作的下一时段，直到全部下一数据集被编程到第一存储器区域的下一储存位置中。在一些实施例中，第一存储器区域的储存位置包含第一存储器区域的第一储存位置，第二存储器区域的储存位置包含第二存储器区域的第一储存位置，数据集包含第一数据集，写入操作包含第一写入操作，并且控制器配置为：将要储存在第二存储器区域的第二储存位置中的第二数据集编程到第一存储器区域的第二储存位置中，其中第一存储器区域的第二储存位置和第二存储器区域的第二储存位置在储存容量上相等。响应于全部第二数据集被储存在第一存储器区域的第二储存位置中：进行第二写入操作的第一时段，以将第二数据集储存在第二存储器区域的第二储存位置中；并且进行第一写入操作的第二时段，以将第一数据集储存在第二存储器区域的第一储存位置中。在一些实施例中，控制器配置为：确定其中要储存第三数据集的第一存储器区域的第三储存位置和第二存储器区域的第三储存位置，其中第一存储器区域的第三储存位置和第二存储器区域的第三储存位置在储存容量上相等。响应于确定第一存储器区域的第三储存位置储存全部第三数据集：进行第三写入操作的第一时段，以将第三数据集储存在第二存储器区域的第三储存位置中；进行第二写入操作的第二时段，以将第二数据集储存在第二存储器区域的第二储存位置中；并且进行第一写入操作的第三时段，以将第一数据集储存在第二存储器区域的第一储存位置中。在一些实施例中，控制器配置为，在进行第三写入操作的第三时段以将第三数据集储存在第二存储器的第三储存位置中之前，进行提交操作以提交第一数据集，并且进行第二写入操作的第三时段以将第二数据集储存在第二存储器区域的第二储存位置中。在一些实施例中，第二存储器区域的第一储存位置、第二存储器区域的第二储存位置，以及第二存储器区域的第三储存位置是第二存储器区域的相邻储存位置。在一些实施例中，第一存储器区域和第二存储器区域各自分区为与第一数据类型相关联的第一数据类型部分和与第二数据类型相关联的第二数据类型部分。此外，控制器配置为：将数据集识别为第一数据类型的或第二数据类型；响应于识别数据是第一数据类型，确定第一存储器区域的储存位置和第二存储器区域的储存位置在相应的第一数据类型部分中；并且响应于识别数据是第二数据类型，确定第一存储器区域的储存位置和第二存储器区域的储存位置在相应的第二数据类型部分中。在一些实施例中，第二存储器区域的储存位置是单个储存页。在另一实施例中，进行折叠方法。方法包含：用系统的控制器监测储存在存储器系统的低储存密度存储器区域的储存位置中的数据量；用控制器确定数据量已经达到阈值水平；以及响应于确定，用功率控制电路输出第一编程操作的初始脉冲系列，以将数据量编程在存储器系统的高储存密度存储器区域的储存位置中。在一些实施例中，低储存密度存储器区域的储存位置包含低储存密度存储器区域的第一储存位置，高储存密度存储器区域的储存位置包含高储存密度存储器区域的第一储存位置，数据集量包含第一数据量，初始脉冲系列包含第一初始脉冲系列，并且方法包含：用控制器监测储存在存储器系统的低储存密度存储器区域的第二储存位置中的第二数据量；响应于控制器确定第二数据量已经达到阈值水平：功率控制电路输出第二编程操作的初始脉冲系列，以将第二数据量编程在高储存密度存储器区域的第二储存位置中；并且功率控制电路输出第一编程操作的第二脉冲系列，以将第一数据量编程在高储存密度存储器区域的第一储存位置中。在一些实施例中，方法包含：用控制器监测储存在存储器系统的低储存密度存储器区域的第三储存位置中的第三数据量；响应于控制器确定第三数据量已经达到阈值水平：用功率控制电路输出第三编程操作的初始脉冲系列，以将第三数据量编程在高储存密度存储器区域的第三储存位置中；用功率控制电路输出第二编程操作的第二脉冲系列，以将第二数据量编程在高储存密度存储器区域的第二储存位置中；并且用功率控制电路输出第一编程操作的第三脉冲系列，以将第一数据量编程在高储存密度存储器区域的第二储存位置中。在一些实施例中，第二存储器区域的第一储存位置、第二存储器区域的第二储存位置，以及第二存储器区域的第三储存位置是第二存储器区域的相邻储存位置。在一些实施例中，储存位置是高储存密度存储器区域的单个页。在另一实施例中，存储器系统包含存储器和控制器。存储器包含第一存储器区域和第二存储器区域，其中第一存储器区域包含比第二存储器区域更低的储存密度。控制器配置为：将数据集编程到第一存储器区域和第二存储器区域；并且更新地址数据结构以将数据集识别为储存在第二存储器区域中而不储存在第一存储器区域中。在一些实施例中，控制器配置为接收读取请求以从存储器读取数据集；并且响应于请求的接收：确定第二存储器区域中储存的数据集已提交还是未提交；响应于确定第二存储器区域中储存的数据集已提交，从第二存储器区域读取数据集；并且响应于确定第二存储器区域中储存的数据集未提交，从第一存储器区域读取数据集。在一些实施例中，控制器配置为相对于提交指针在地址数据库中指向的第二存储器区域地址，识别数据集在第二存储器区域中储存在何处，以便确定第二存储器区域中储存的数据集是否已校验。在一些实施例中，提交指针指向第二存储器区域的储存最后提交本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，包括：存储器，所述存储器包括第一存储器区域和第二存储器区域，所述第一存储器区域包括比所述第二存储器区域更低的储存密度；以及控制器，所述控制器配置为：将要储存在所述第二存储器区域的储存位置中的数据集编程到所述第一存储器区域的储存位置中，所述第一存储器区域的储存位置和所述第二存储器区域的储存位置在储存容量上相等；并且响应于全部所述数据集被储存在所述第一存储器区域的储存位置中，在所述第二存储器区域的储存位置上进行写入操作的初始时段，以将所述数据集储存在所述第二存储器区域的储存位置中。

【技术特征摘要】
2017.04.10 US 15/483,1851.一种存储器系统，包括：存储器，所述存储器包括第一存储器区域和第二存储器区域，所述第一存储器区域包括比所述第二存储器区域更低的储存密度；以及控制器，所述控制器配置为：将要储存在所述第二存储器区域的储存位置中的数据集编程到所述第一存储器区域的储存位置中，所述第一存储器区域的储存位置和所述第二存储器区域的储存位置在储存容量上相等；并且响应于全部所述数据集被储存在所述第一存储器区域的储存位置中，在所述第二存储器区域的储存位置上进行写入操作的初始时段，以将所述数据集储存在所述第二存储器区域的储存位置中。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器还配置为等待进行所述写入操作的下一时段，直到全部下一数据集被编程到所述第一存储器区域的下一储存位置中。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第一存储器区域的储存位置包括所述第一存储器区域的第一储存位置，所述第二存储器区域的储存位置包括所述第二存储器区域的第一储存位置，所述数据集包括第一数据集，所述写入操作包括第一写入操作，并且其中所述控制器还配置为：将要储存在所述第二存储器区域的第二储存位置中的第二数据集编程到所述第一存储器区域的第二储存位置中，所述第一存储器区域的第二储存位置和所述第二存储器区域的第二储存位置在储存容量上相等；响应于全部所述第二数据集被储存在所述第一存储器区域的第二储存位置中：进行第二写入操作的第一时段，以将所述第二数据集储存在所述第二存储器区域的第二储存位置中；并且进行所述第一写入操作的第二时段，以将所述第一数据集储存在所述第二存储器区域的第一储存位置中。4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中所述控制器还配置为：确定其中要储存第三数据集的所述第一存储器区域的第三储存位置和所述第二存储器区域的第三储存位置，所述第一存储器区域的第三储存位置和所述第二存储器区域的第三储存位置在储存容量上相等；并且响应于确定所述第一存储器区域的第三储存位置储存全部所述第三数据集：进行第三写入操作的第一时段，以将所述第三数据集储存在所述第二存储器区域的第三储存位置中；进行所述第二写入操作的第二时段，以将所述第二数据集储存在所述第二存储器区域的第二储存位置中；并且进行所述第一写入操作的第三时段，以将所述第一数据集储存在所述第二存储器区域的第一储存位置中。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述控制器还配置为：在进行所述第三写入操作的第三时段以将所述第三数据集储存在所述第二存储器的第三储存位置中之前，进行提交操作以提交所述第一数据集，并且进行所述第二写入操作的第三时段以将所述第二数据集储存在所述第二存储器区域的第二储存位置中。6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述第二存储器区域的第一储存位置、所述第二存储器区域的第二储存位置，以及所述第二存储器区域的第三储存位置是所述第二存储器区域的相邻储存位置。7.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第一存储器区域和所述第二存储器区域各自分区为与第一数据类型相关联的第一数据类型部分和与第二数据类型相关联的第二数据类型部分，其中所述控制器还配置为：将所述数据集识别为所述第一数据类型或所述第二数据类型；响应于识别所述数据是所述第一数据类型，确定所述第一存储器区域的储存位置和所述第二存储器区域的储存位置在相应的所述第一数据类型部分中；并且响应于识别所述数据是所述第二数据类型，确定所述第一存储器区域的储存位置和所述第二存储器区域的储存位置在相应的所述第二数据类型部分中。8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第二存储器区域的储存位置包括单个储存页。9.一种折叠方法，包括：用系统的控制器监测储存在所述存储器系统的低储存密度存储器区域的储存位置中的数据量；用所述控制器确定所述数据量已经达到阈值水平；以及响应于所述确定，用功率控制电路输出第一编程操作的初始脉冲系列，以在所述存储器系统的高储存密度存储器区域的储存位置中编程所述数据量。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述低储存密度存储器区域的储存位置包括所述低储存密度存储器区域的第一储存位置，所述高储存密度存储器区域的储存位置包括所述高储存密度存储器区域的第一储存位置，数据集量包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：NC拉维莫汉，M贾雅拉曼，B拉詹德兰，SK冈达巴图拉，R拉马穆尔蒂，R萨思雅纳拉扬，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US