一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法技术

本发明专利技术公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括，S1：将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体；S2：在碳化硅功率器件的外壳上开孔，在孔内放置弹性件；S3：将碳化硅功率器件按照隔离衬板上预留的安装位置逐一对位安装；S4：将上壳体和下壳体向隔离衬板靠拢，壳体扣合后将螺栓拧紧在螺柱上完成封装，弹性件在封装后处于压缩状态。本方案通过预制壳体对碳化硅功率器件进行定位，使外力传递到碳化硅功率器件之前得到一个缓冲，从而更好的保护封装体内的碳化硅功率器件。

【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法
本专利技术涉及碳化硅功率模块封装
，特别是涉及一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法。
技术介绍
功率半导体器件广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子、机车牵引、钢铁冶炼、大功率电源、电力系统等领域，除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用，在发展低碳经济、节能减排、控制气候变暖等方面不可或缺。传统的硅基功率器件受制于硅材料所固有的物理属性的限制，在高频高功率应用领域已经遇到了难以克服的困难。在这种情况下，基于碳化硅的功率器件脱颖而出，凭借碳化硅材料击穿电场强度高、热稳定性好、载流子饱和漂移速度高和热导率高等特点，可大幅降低逆变器及变频器等电力转换类器件的能量损失和体积重量。可以预见，碳化硅功率器件将在未来能源系统中扮演越来越重要的角色。自从碳化硅功率肖特基二极管问世以来，围绕碳化硅功率器件的开发和应用日趋活跃，高品质、大直径的碳化硅衬底和大幅改善的元件接连亮相，并成功应用于开关模式电源、燃料电动车逆变器、空调变频器和太阳能发电系统等领域。为了使碳化硅功率器件能在大电流条件下工作，必须将多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括S1：壳体预制，将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体（1），壳体（1）为两片，分别为上壳体（31）和下壳体（32），两片所属壳体（1）相对的面上预留有用于安放碳化硅功率器件（1）的嵌槽（34）；S2：芯片外壳处理，在碳化硅功率器件（1）的外壳上开孔，在所述孔内放置弹性件（13）；S3：碳化硅功率器件组装，取隔离衬板（2），将碳化硅功率器件按照隔离衬板（2）上预留的安装位置逐一对位安装；S4：整体封装，将上壳体（31）和下壳体（32）分别对应所述隔离铲板（2）的两侧向所述隔离衬板（2）靠拢，扣合的过程中逐一嵌槽（34）与碳化硅...

【技术特征摘要】
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括S1：壳体预制，将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体（1），壳体（1）为两片，分别为上壳体（31）和下壳体（32），两片所属壳体（1）相对的面上预留有用于安放碳化硅功率器件（1）的嵌槽（34）；S2：芯片外壳处理，在碳化硅功率器件（1）的外壳上开孔，在所述孔内放置弹性件（13）；S3：碳化硅功率器件组装，取隔离衬板（2），将碳化硅功率器件按照隔离衬板（2）上预留的安装位置逐一对位安装；S4：整体封装，将上壳体（31）和下壳体（32）分别对应所述隔离铲板（2）的两侧向所述隔离衬板（2）靠拢，扣合的过程中逐一嵌槽（34）与碳化硅功率器件（1）之间一一对应，壳体（1）扣合后将螺栓拧紧在螺柱（24）上完成封装，壳体（1）扣合过程中，所述弹性件（13）受到壳体（1）的压力发生形变，并在封装后处于压缩状态。2.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，其特征在于：S2：所述孔向所述碳化硅功率器件（1）内部延伸至内置芯片的接线端成为接线孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张浩，
申请(专利权)人：江苏芯澄半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32