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本发明公开了一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，涉及碳化硅功率模块封装技术领域。该一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装方法，包括，S1：将环氧树脂材料调制好后，放入模具中定型，脱模后得到壳体；S2：在碳化硅功率器件的外壳上开孔，在...
该专利属于江苏芯澄半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏芯澄半导体有限公司授权不得商用。

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