The invention discloses a high temperature packaging structure of a wide band gap semiconductor silicon carbide power module, which relates to the technical field of silicon carbide power module packaging, including a silicon carbide power device and a wiring group connecting various silicon carbide power devices, including an isolation lining board, a silicon carbide power device being mounted on an isolation lining board and each two carbonizations. Silicon power devices are a group, each group of two silicon carbide power devices connected channel is set relative to each other, the isolation plate is equipped with a buttoned silicon carbide power device shell, the shell includes an upper shell and a lower shell respectively located on both sides of the isolation plate. The silicon carbide power device is positioned by a prefabricated shell, so that the parallel silicon carbide power device is more stable as a whole and has higher mechanical strength.
【技术实现步骤摘要】
一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构
本专利技术涉及碳化硅功率模块封装
,特别是涉及一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构。
技术介绍
功率半导体器件广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子、机车牵引、钢铁冶炼、大功率电源、电力系统等领域,除了保证这些设备的正常运行以外,功率器件还能起到有效的节能作用,在发展低碳经济、节能减排、控制气候变暖等方面不可或缺。传统的硅基功率器件受制于硅材料所固有的物理属性的限制,在高频高功率应用领域已经遇到了难以克服的困难。在这种情况下,基于碳化硅的功率器件脱颖而出,凭借碳化硅材料击穿电场强度高、热稳定性好、载流子饱和漂移速度高和热导率高等特点,可大幅降低逆变器及变频器等电力转换类器件的能量损失和体积重量。可以预见,碳化硅功率器件将在未来能源系统中扮演越来越重要的角色。自从碳化硅功率肖特基二极管问世以来,围绕碳化硅功率器件的开发和应用日趋活跃,高品质、大直径的碳化硅衬底和大幅改善的元件接连亮相,并成功应用于开关模式电源、燃料电动车逆变器、空调变频器和太阳能发电系统等领域。为了使碳化硅功率器件能在大电流条件下工作,必须将多个碳化硅芯片并联封装。碳化硅功率器件的工作温度可达600℃,远高于硅功率器件的150℃。碳化硅功率器件的高温工作能力不仅使其在实际应用中充分发挥高频高功率的优势,而且降低了对系统热预算的要求。但是,传统的并联封装技术采用焊接合金把器件的一个端面贴合在衬板上,另外的端面与铝线或金线键合在一起。这种方法在大功率、高温工作条件下缺乏可靠性,且不具备足够的机械强度。
技术实现思路
本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构,包括碳化硅功率器件(1)和连接各所述碳化硅功率器件(1)的排线组(4),其特征在于:还包括隔离衬板(2),所述碳化硅功率器件(1)穿设在所述隔离衬板(2)上,且每两个所述碳化硅功率器件(1)为一组,每组两所述碳化硅功率器件(1)的接线通道(17)相对设置,所述隔离板(2)外设有扣合所述碳化硅功率器件(1)的壳体(3),所述壳体(3)包括分别设于所述隔离板(2)两侧的上壳体(31)和下壳体(32)。
【技术特征摘要】
1.一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构,包括碳化硅功率器件(1)和连接各所述碳化硅功率器件(1)的排线组(4),其特征在于:还包括隔离衬板(2),所述碳化硅功率器件(1)穿设在所述隔离衬板(2)上,且每两个所述碳化硅功率器件(1)为一组,每组两所述碳化硅功率器件(1)的接线通道(17)相对设置,所述隔离板(2)外设有扣合所述碳化硅功率器件(1)的壳体(3),所述壳体(3)包括分别设于所述隔离板(2)两侧的上壳体(31)和下壳体(32)。2.根据权利要求1所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构,其特征在于:所述碳化硅功率器件(1)包括芯片外壳(11)和内置芯片,所述芯片外壳(11)上设有接线孔(16),所述接线孔(16)正对所述内置芯片,所述芯片外壳(11)上设有接线通道(17),所述接线通道(17)连通所述接线孔(16)。3.根据权利要求2所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构,其特征在于:所述接线孔(16)内设有压环(12),所述排线组(4)上的排线通过所述接线通道(17)插入所述压环(12)与所述内置芯片之间。4.根据权利要求3所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构,其特征在于:所述压环(12)上放设有弹性件(13),所述弹性件(13)伸出所述接线孔(16)。5.根据权利要求4所述的一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构,其特征在于:所述芯片外壳(11)侧面伸出有定...
【专利技术属性】
技术研发人员:张浩,
申请(专利权)人:江苏芯澄半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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